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公开(公告)号:CN1680807A
公开(公告)日:2005-10-12
申请号:CN200410033530.2
申请日:2004-04-06
申请人: 联发科技股份有限公司
IPC分类号: G01N21/892 , G06K7/00
摘要: 本发明公开一种光学存储装置决定缺陷检测模式的方法,其是先分配光学存储媒体上至少一个检测区以作为存储数据处,并依据缺陷数量多少而设定该检测区为写入检测或写入验证的缺陷检测模式。当该检测区执行该写入检测而发现缺陷累积数量大于一预设的阈值时,则将该检测区变更设定为写入验证的缺陷检测模式。
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公开(公告)号:CN1484224A
公开(公告)日:2004-03-24
申请号:CN02142409.8
申请日:2002-09-17
申请人: 联发科技股份有限公司
摘要: 本发明为一种缓冲区设定系统,应用于包含光学读写头的光学读写装置中。本发明在所述光学读写装置进行寻轨动作(seek)后进入跟踪闭环回路(tracking close loop)时,设定包含有复数个缓冲块的缓冲区,以使光学读写头可在缓冲区内先缓冲稳定后继而锁定在目标存储轨道中的目标块以读取数据。该设定系统包含缓冲时间计算模块和缓冲块设定模块。缓冲时间计算模块用于计算缓冲时间。缓冲块设定模块内记录有稳定时间。根据该稳定时间以及该缓冲时间,由预定的设定程序设定该缓冲区中所应包含的缓冲块的数目。因此,本发明所设定的缓冲区不会包含过多或过少的缓冲块,使得该光学读写头可以稳定地锁定该目标块。
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公开(公告)号:CN1680807B
公开(公告)日:2010-04-28
申请号:CN200410033530.2
申请日:2004-04-06
申请人: 联发科技股份有限公司
IPC分类号: G01N21/892 , G06K7/00
摘要: 本发明公开一种光学存储装置决定缺陷检测模式的方法,其是先分配光学存储媒体上至少一个检测区以作为存储数据处,并依据缺陷数量多少而设定该检测区为写入检测或写入验证的缺陷检测模式。当该检测区执行该写入检测而发现缺陷累积数量大于一预设的阈值时,则将该检测区变更设定为写入验证的缺陷检测模式。
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公开(公告)号:CN100399436C
公开(公告)日:2008-07-02
申请号:CN02142409.8
申请日:2002-09-17
申请人: 联发科技股份有限公司
摘要: 本发明为一种缓冲区设定系统,应用于包含光学读写头的光学读写装置中。本发明在所述光学读写装置进行寻轨动作(seek)后进入跟踪闭环回路(tracking close loop)时,设定包含有复数个缓冲块的缓冲区,以使光学读写头可在缓冲区内先缓冲稳定后继而锁定在目标存储轨道中的目标块以读取数据。该设定系统包含缓冲时间计算模块和缓冲块设定模块。缓冲时间计算模块用于计算缓冲时间。缓冲块设定模块内记录有稳定时间。根据该稳定时间以及该缓冲时间,由预定的设定程序设定该缓冲区中所应包含的缓冲块的数目。因此,本发明所设定的缓冲区不会包含过多或过少的缓冲块,使得该光学读写头可以稳定地锁定该目标块。
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