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公开(公告)号：CN105636887B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201480053639.4
申请日：2014-09-29
申请人： 肖特股份有限公司
CPC分类号： B65H18/28 , B32B7/06 , B32B17/064 , B32B17/065 , B65H18/08 , B65H20/00 , B65H23/00 , B65H23/105 , B65H2515/31 , B65H2701/17 , B65H2701/1712 , B65H2701/18422 , B65H2801/61 , C03C3/076 , C03C3/087 , C03C3/091 , C03C3/093 , C03C3/118
摘要： 本发明涉及一种用于进一步加工薄玻璃(1)的方法，其中薄玻璃(2)通过进一步加工而承受拉应力σapp，该拉应力小于(公式I)，其中(公式III)和(公式II)是弯曲情况下薄玻璃(1)的试样(10)断裂时拉应力的平均值，Lref和Aref分别表示试样(10)的边缘长度和面积，其中(公式III)是在试样(10)的表面中断裂时拉应力的平均值以及(公式II)是从试样(10)的边缘开始断裂时拉应力的平均值，并且Δe和Δa表示平均值(公式II或公式III)的标准偏差，并且Aapp是薄玻璃(1)的面积以及Lapp是薄玻璃(1)的相对侧边缘(22、23)的总边缘长度并且Φ是在至少半年的时间内规定的最大断裂率。。
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公开(公告)号：CN107690421A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201680031512.1
申请日：2016-05-12
申请人： 肖特股份有限公司
CPC分类号： G01B21/20 , C03B23/037 , G01N21/958 , C03B15/18 , C03B2225/00
摘要： 本发明力求，在制造优选构造成薄玻璃带的材料带时避免侧弯。对此设置检测装置，其用于检测在制造沿纵向方向(7.a)运动的材料带(1)时的工艺误差，其中，工艺误差引起材料带(1)的尤其在几何结构上的缺陷，这通过以下方式实现：检测与纵向坐标相关的并且通过缺陷影响的、由材料带(1)决定的特征变量曲线，其中，该曲线具有在横向于纵向方向(7.a)的方向(7.b)上的伸展；以及根据特征变量的曲线确定工艺误差。
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公开(公告)号：CN106463658A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580033824.1
申请日：2015-06-23
申请人： 肖特股份有限公司
IPC分类号： H01M2/02 , H01M2/08 , H01M4/131 , H01M4/525 , H01M4/66 , H01M6/40 , H01M10/04 , H01M10/0585 , C03C3/078 , C03C3/087 , C03C3/091 , C03C3/093 , C03C3/095 , C03C3/097 , C03C17/22 , C03C17/245 , C03C17/42 , H01M10/0525 , H01M10/0562
摘要： 本发明涉及一种包括至少一个片状不连续元件的蓄电系统，所述至少一个片状不连续元件具有对于高能电辐射而言提高的透明度；以及涉及一种片状不连续元件，所述片状不连续元件对于高能电辐射而言具有提高的透明度；以及涉及所述片状不连续元件的制造。
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公开(公告)号：CN107690421B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201680031512.1
申请日：2016-05-12
申请人： 肖特股份有限公司
摘要： 本发明力求，在制造优选构造成薄玻璃带的材料带时避免侧弯。对此设置检测装置，其用于检测在制造沿纵向方向(7.a)运动的材料带(1)时的工艺误差，其中，工艺误差引起材料带(1)的尤其在几何结构上的缺陷，这通过以下方式实现：检测与纵向坐标相关的并且通过缺陷影响的、由材料带(1)决定的特征变量曲线，其中，该曲线具有在横向于纵向方向(7.a)的方向(7.b)上的伸展；以及根据特征变量的曲线确定工艺误差。
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公开(公告)号：CN106463659B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201580034119.3
申请日：2015-06-23
申请人： 肖特股份有限公司
IPC分类号： H01M2/02 , H01M2/08 , H01M10/04 , H01M10/0585 , C03C3/11 , C03C3/085 , H01M6/40 , H01M10/0525
摘要： 本发明涉及一种包括至少一个不连续的片状元件的蓄电系统及其制造，该片状元件对于优选在200至400nm波长范围内的高能量的电磁辐射具有特别低的透射度；本发明还涉及一种不连续的片状元件及其制造，该片状元件对于优选在200至400nm波长范围内的高能量的电磁辐射具有特别低的透射度。
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公开(公告)号：CN106715290B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201580048936.4
申请日：2015-09-11
申请人： 肖特股份有限公司
IPC分类号： B65D85/48 , B65D85/676 , B65H18/28 , C03C21/00
摘要： 本发明的任务在于，提供呈玻璃卷形式的玻璃带，所述玻璃带在同时紧凑尺寸的情况下长使用寿命的上述要求方面被优化。为了求取所述玻璃卷(1)的内侧处的弯曲半径，所述玻璃卷满足上述要求，实施玻璃材料的样品的断裂测试，根据断裂测试求取统计学的参数和将统计学的参数换算成弯曲半径的范围，所述弯曲半径满足对所述玻璃卷(1)的使用寿命和尽可能紧凑的尺寸的要求。
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公开(公告)号：CN107004786A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580065514.8
申请日：2015-11-26
申请人： 肖特股份有限公司
IPC分类号： H01M2/02 , H01M10/04 , H01M10/0525 , H01M10/0585
摘要： 本发明涉及厚度小于2mm的电存储系统，包括至少一个板状分立元件，其特征是，对于过渡金属或过渡金属的离子、尤其钛的侵蚀，板状分立元件具有高的耐受性，其中，板状分立元件含钛，以及本发明涉及一种用在电存储系统中的板状分立元件，相对于过渡金属或过渡金属的离子、尤其钛的侵蚀，板状分立元件具有高的耐受性。
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公开(公告)号：CN106715290A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580048936.4
申请日：2015-09-11
申请人： 肖特股份有限公司
IPC分类号： B65D85/48 , B65D85/676 , B65H18/28 , C03C21/00
CPC分类号： C03C21/002 , B65D85/48 , B65D85/676 , B65H18/28 , B65H2801/61
摘要： 本发明的任务在于，提供呈玻璃卷形式的玻璃带，所述玻璃带在同时紧凑尺寸的情况下长使用寿命的上述要求方面被优化。为了求取所述玻璃卷(1)的内侧处的弯曲半径，所述玻璃卷满足上述要求，实施玻璃材料的样品的断裂测试，根据断裂测试求取统计学的参数和将统计学的参数换算成弯曲半径的范围，所述弯曲半径满足对所述玻璃卷(1)的使用寿命和尽可能紧凑的尺寸的要求。
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公开(公告)号：CN106463659A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580034119.3
申请日：2015-06-23
申请人： 肖特股份有限公司
IPC分类号： H01M2/02 , H01M2/08 , H01M10/04 , H01M10/0585 , C03C3/11 , C03C3/085 , H01M6/40 , H01M10/0525
摘要： 本发明涉及一种包括至少一个不连续的片状元件的蓄电系统及其制造，该片状元件对于优选在200至400nm波长范围内的高能量的电磁辐射具有特别低的透射度；本发明还涉及一种不连续的片状元件及其制造，该片状元件对于优选在200至400nm波长范围内的高能量的电磁辐射具有特别低的透射度。
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公开(公告)号：CN105636887A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201480053639.4
申请日：2014-09-29
申请人： 肖特股份有限公司
CPC分类号： B65H18/28 , B32B7/06 , B32B17/064 , B32B17/065 , B65H18/08 , B65H20/00 , B65H23/00 , B65H23/105 , B65H2515/31 , B65H2701/17 , B65H2701/1712 , B65H2701/18422 , B65H2801/61 , C03C3/076 , C03C3/087 , C03C3/091 , C03C3/093 , C03C3/118
摘要： 本发明涉及一种用于进一步加工薄玻璃(1)的方法，其中薄玻璃(2)通过进一步加工而承受拉应力σapp，该拉应力小于(公式I)，其中(公式III)和(公式II)是弯曲情况下薄玻璃(1)的试样(10)断裂时拉应力的平均值，Lref和Aref分别表示试样(10)的边缘长度和面积，其中(公式III)是在试样(10)的表面中断裂时拉应力的平均值以及(公式II)是从试样(10)的边缘开始断裂时拉应力的平均值，并且Δe和Δa表示平均值(公式II或公式III)的标准偏差，并且Aapp是薄玻璃(1)的面积以及Lapp是薄玻璃(1)的相对侧边缘(22、23)的总边缘长度并且Φ是在至少半年的时间内规定的最大断裂率。
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