公开(公告)号：CN111149187B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN201880062832.2

申请日：2018-10-09

申请人： 艾克塞利斯科技公司

发明人： 陶天照 ,  大卫·柯克伍德

IPC分类号： H01J37/317

摘要： 本发明涉及一种离子注入系统，其具有配置为形成离子束的离子源以及具有AEF区域的角能量滤波器(AEF)。气体源通过膜与气体的反应而钝化和/或蚀刻留存于AEF上的膜。该气体可为氧化气体或含氟气体。气体源可在形成离子束的同时选择性将气体供应到AEF区域。加热AEF，以辅助气体钝化和/或蚀刻膜。热量可源自离子束和/或源自与AEF相关联的辅助加热器。歧管分配器可操作性耦接至气体源并配置为将气体供应到一个或多个AEF电极。

公开(公告)号：CN111149187A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201880062832.2

申请日：2018-10-09

申请人： 艾克塞利斯科技公司

发明人： 陶天照 ,  大卫·柯克伍德

IPC分类号： H01J37/317

摘要： 本发明涉及一种离子注入系统，其具有配置为形成离子束的离子源以及具有AEF区域的角能量滤波器(AEF)。气体源通过膜与气体的反应而钝化和/或蚀刻留存于AEF上的膜。该气体可为氧化气体或含氟气体。气体源可在形成离子束的同时选择性将气体供应到AEF区域。加热AEF，以辅助气体钝化和/或蚀刻膜。热量可源自离子束和/或源自与AEF相关联的辅助加热器。歧管分配器可操作性耦接至气体源并配置为将气体供应到一个或多个AEF电极。