公开(公告)号：CN107112181B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201580070493.9

申请日：2015-12-28

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 爱德华·C·艾伊斯勒 ,  伯·范德伯格

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/12 ,  H01J37/05 ,  H01J37/147 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明提出用于以低能量将离子注入工件内的系统及方法。提供配置成生成离子束的离子源，其中，质量解析磁体被配置成质量解析该离子束。离子束可以是带状射束或经扫描的点状离子束。定位于质量解析磁体下游的质量解析孔径过滤离子束中的不良粒种。组合静电透镜系统被定位于质量分析器的下游，其中，使离子束的路径偏转并且大体上滤除离子束中的污染物，同时使离子束减速并平行化。工件固持与平移系统进一步被定位于组合静电透镜系统的下游并被配置成选择性使工件在一个或多个方向上平移通过离子束，在其中将离子注入工件内。

公开(公告)号：CN107112181A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580070493.9

申请日：2015-12-28

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 爱德华·C·艾伊斯勒 ,  伯·范德伯格

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/12 ,  H01J37/05 ,  H01J37/147 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明提出用于以低能量将离子注入工件内的系统及方法。提供配置成生成离子束的离子源，其中，质量解析磁体被配置成质量解析该离子束。离子束可以是带状射束或经扫描的点状离子束。定位于质量解析磁体下游的质量解析孔径过滤离子束中的不良粒种。组合静电透镜系统被定位于质量分析器的下游，其中，使离子束的路径偏转并且大体上滤除离子束中的污染物，同时使离子束减速并平行化。工件固持与平移系统进一步被定位于组合静电透镜系统的下游并被配置成选择性使工件在一个或多个方向上平移通过离子束，在其中将离子注入工件内。