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公开(公告)号:CN1100397C
公开(公告)日:2003-01-29
申请号:CN98805240.7
申请日:1998-03-17
Applicant: 艾利森电话股份有限公司
Inventor: P-O·M·勃兰特
CPC classification number: H03K17/063 , H03F1/0244 , H04B1/44
Abstract: 提供了采用n沟道MOSFET(66)来控制电源(46)对TDMA功率放大器(58)的开关的电源接口电路(64)。接通时,n沟道MOSFET(66)将电源(46)连接在功率放大器(58)上,而在截止时,它将电源从功率放大器上断开。电源接口电路(64)包含响应开关控制信号控制n沟道MOSFET(66)的开关状态的开关控制电路(70)。开关控制信号具有在其中截止n沟道MOSFET(66)的第一双态及在其中接通n沟道MOSFET的第二双态。
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公开(公告)号:CN1257622A
公开(公告)日:2000-06-21
申请号:CN98805240.7
申请日:1998-03-17
Applicant: 艾利森电话股份有限公司
Inventor: P-O·M·勃兰特
CPC classification number: H03K17/063 , H03F1/0244 , H04B1/44
Abstract: 提供了采用n沟道MOSFET(66)来控制电源(46)对TDMA功率放大器(58)的开关的电源接口电路(64)。接通时,n沟道MOSFET(66)将电源(46)连接在功率放大器(58)上,而在截止时,它将电源从功率放大器上断开。电源接口电路(64)包含响应开关控制信号控制n沟道MOSFET(66)的开关状态的开关控制电路(70)。开关控制信号具有在其中截止n沟道MOSFET(66)的第一双态及在其中接通n沟道MOSFET的第二双态。
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