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发明公开
一种发光芯片及其制作方法审中-实审

公开(公告)号：CN116995180A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202311049744.8

申请日：2023-08-21

申请人： 芜湖聚飞光电科技有限公司

发明人： 姜贝 , 邢美正 , 黄明

IPC分类号： H01L33/56 , H01L33/00 , H01L33/06

摘要： 本发明涉及一种发光芯片及其制作方法，发光芯片包括：外延层以及将所述外延层覆盖的绝缘层，所述外延层上设置外露于所述绝缘层的N电极、P电极，所述外延层包括依次设置的N型半导体层、有源层、P型半导体层，所述N电极与所述N型半导体层电连接，所述P电极与所述P型半导体层电连接；所述绝缘层上设置第一Al2O3层，所述第一Al2O3层至少将所述N电极、所述P电极外露于所述绝缘层的侧壁完全覆盖。第一Al2O3层具有良好的抗湿抗腐蚀能力，其将发光芯片电极外露于绝缘层的侧壁完全覆盖，可对易被水汽入侵的电极侧壁形成保护，避免了水汽、腐蚀性气体与电极中的Al发生反应的情况，提高了发光芯片与器件电连接的稳定性。