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公开(公告)号：CN116222838A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310514446.5
申请日：2023-05-09
申请人： 苏州亿波达光电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种感测元件及压力传感器，其中感测元件包括第一衬底，第二衬底，覆盖于第一衬底；第二衬底内设有至少一个压敏电阻区，压敏电阻区靠近第二衬底的上表面，压敏电阻区具有压敏电阻连接区，压敏电阻连接区电接触接触区；至少一个保护层，覆盖于第二衬底的上表面；至少一个保护环，设于第二衬底内，且压敏电阻区和压敏电阻连接区位于保护环内侧；屏蔽层，设置在保护层的表面或者设置在保护层和压敏电阻区之间；其中，第一衬底、保护环和屏蔽层中的至少一个通过接触区和外电路连接。本发明规避衬底产生的游离电荷对压阻区域的影响，提高压力传感器的精度和长期稳定性。
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公开(公告)号：CN116222839B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310514513.3
申请日：2023-05-09
申请人： 苏州亿波达光电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种感测元件及压力传感器，其中感测元件包括：衬底，在其厚度方向具有相对的第一表面和第二表面；衬底设有至少一个压敏电阻区，压敏电阻区靠近第一表面，压敏电阻区具有压敏电阻连接区，压敏电阻连接区电接触至少两个接触区；至少一个保护层，覆盖于衬底的第一表面；至少一个第一保护环，位于压敏电阻区和衬底的第二表面之间；至少一个第二保护环，设于衬底内，且位于保护层和第一保护环之间；屏蔽层，设置在保护层的表面或者设置在保护层和压敏电阻区之间；其中，第一保护环、第二保护环和屏蔽层中的至少一个通过接触区和外电路连接。本发明规避衬底产生的游离电荷对压阻区域的影响，提高压力传感器的精度和长期稳定性。
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公开(公告)号：CN116222838B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310514446.5
申请日：2023-05-09
申请人： 苏州亿波达光电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种感测元件及压力传感器，其中感测元件包括第一衬底，第二衬底，覆盖于第一衬底；第二衬底内设有至少一个压敏电阻区，压敏电阻区靠近第二衬底的上表面，压敏电阻区具有压敏电阻连接区，压敏电阻连接区电接触接触区；至少一个保护层，覆盖于第二衬底的上表面；至少一个保护环，设于第二衬底内，且压敏电阻区和压敏电阻连接区位于保护环内侧；屏蔽层，设置在保护层的表面或者设置在保护层和压敏电阻区之间；其中，第一衬底、保护环和屏蔽层中的至少一个通过接触区和外电路连接。本发明规避衬底产生的游离电荷对压阻区域的影响，提高压力传感器的精度和长期稳定性。
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公开(公告)号：CN117023504A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310959811.3
申请日：2023-08-01
申请人： 苏州亿波达光电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种二维MEMS微镜和制备方法，其二维MEMS微镜包括：第一SOI晶圆；第二SOI晶圆：第二SOI晶圆上刻蚀带有多个空槽的环状动齿和设置在空槽内并与动齿垂直连接的扭转梁；动齿与扭转梁连接处设为圆角；第三SOI晶圆：第三SOI晶圆上刻蚀带有多个第二隔离槽的上静齿；第二SOI晶圆和第三SOI晶圆均刻蚀微间隙；第一SOI晶圆、第二S0I晶圆和第三S0I晶圆键合；第一S0I晶圆、第二SOI晶圆和第三SOI晶圆的硅器件层厚度为60至150μm；本发明实现了采用三片S0I键合，上S0I刻蚀出的上静齿用于抵消或减轻微镜自身重力，并使微镜在静电力作用下能够严格沿扭转轴进行偏转且在扭转梁位置处设计为圆角结构，防止应力集中导致扭转梁的断裂。
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公开(公告)号：CN116953918A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311193462.5
申请日：2023-09-15
申请人： 苏州亿波达光电子科技有限公司
IPC分类号： G02B26/08
摘要： 本发明提供了一种MEMS微镜阵列的制备方法，包括如下步骤：S1、在读出电路板表面设置基板；S2、在基板表面沉积牺牲层，并在牺牲层表面刻蚀通孔；S3、在牺牲层表面沉积与读出电路板连接的镜面，得到MEMS微镜；S4、刻蚀MEMS微镜得到阵列化排布的微镜单元；S5、去除牺牲层，得到MEMS微镜阵列。本方法通过读出电路板与每个微镜单元的独立连接实现了其阵列化设置，每个微镜单元均能够独立控制其偏转，可在较小的静电驱动力作用下满足所需的偏转角度，提高了产品的使用灵活程度及效果，此外，本方法通过牺牲层的设置制备出扭转刚度较小的微镜阵列，并提高了镜面的填充率，使微镜单元可呈现出更佳的成像效果。
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公开(公告)号：CN116222839A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310514513.3
申请日：2023-05-09
申请人： 苏州亿波达光电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种感测元件及压力传感器，其中感测元件包括：衬底，在其厚度方向具有相对的第一表面和第二表面；衬底设有至少一个压敏电阻区，压敏电阻区靠近第一表面，压敏电阻区具有压敏电阻连接区，压敏电阻连接区电接触至少两个接触区；至少一个保护层，覆盖于衬底的第一表面；至少一个第一保护环，位于压敏电阻区和衬底的第二表面之间；至少一个第二保护环，设于衬底内，且位于保护层和第一保护环之间；屏蔽层，设置在保护层的表面或者设置在保护层和压敏电阻区之间；其中，第一保护环、第二保护环和屏蔽层中的至少一个通过接触区和外电路连接。本发明规避衬底产生的游离电荷对压阻区域的影响，提高压力传感器的精度和长期稳定性。
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公开(公告)号：CN116858895A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310762183.X
申请日：2023-06-27
申请人： 苏州亿波达光电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种小体积的氢气传感器及其加工方法，包括：惠斯通电桥，所述惠斯通电桥包括：催化组件，所述催化组件包括两个阻值相同的催化电阻，其中一个所述催化电阻暴露在空气中，在预设温度范围内催化氢气产热；参考组件，其提供参考信号，所述参考组件包括两个阻值相同的掺杂参考电阻，所述掺杂参考电阻的阻值为催化电阻的100‑1000倍。其结构小巧，工艺难度低，节约工艺成本。
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