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公开(公告)号：CN115560813A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210462759.6
申请日：2022-04-28
申请人： 苏州司南传感科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种无损检测MEMS流量传感器，包含设置在管道一侧的红外辐射单元、设置在管道另一侧的红外接收单元；所述红外辐射单元包括设置在管道管壁上用于向外辐射红外波的黑体、设置在黑体外侧用于给黑体加热的加热电阻、设置在加热电阻周围且通过两条导线与加热电阻连接的电源；所述红外接收单元为MEMS红外热电堆传感器阵列，且接收端正对黑体，用于吸收黑体辐射出的红外波，并转化为直流电压；本发明安装在管道外部，实现了对管道无损伤测量其内部的流速大小，在工作时受环境干扰小、热污染低，具有更高的准确度，且由于不直接接触流体，无需要额外的防水、密封要求，对管道的内部流体无影响，具有成本低、安装方便等优点。
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公开(公告)号：CN113624397A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110934387.8
申请日：2021-08-16
申请人： 苏州司南传感科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种硅压阻式压力传感器校准补偿方法，以精密电阻作为分压器，替换常规方法中模数转换模块所需的高精度基准电源；本发明不仅省去了模数转换模块所需的高精度电压基准源，而且也免去了对电桥激励电压的测量以及需要对由激励电压变化或者波动所带来误差进行补偿的软件，这样可以明显地降低供电电压或者器件激励电压幅值的波动以及随温度的漂移可能带来的测试误差，从而能够提升测量精度以及稳定度，消除了激励信号对提升整体测量精度的限制作用，同时也降低了成本，简化了电路。
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公开(公告)号：CN113666331B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202110965470.1
申请日：2021-08-23
申请人： 苏州司南传感科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种与MEMS深硅刻蚀工艺相兼容的薄硅释放工艺，包含以下步骤：先在硅片正面通过深硅刻蚀工艺制作出多个MEMS喷雾器的喷雾通道、出雾口以及切割槽，并在出雾口均预留一层薄硅阻挡层，然后沿着切割槽对硅片上的多个MEMS喷雾器进行切割，最后将出雾口预留的薄硅阻挡层进行释放工艺，得到MEMS喷雾器；本发明通过将深硅刻蚀工艺与薄硅释放工艺相结合，在MEMS喷雾器的出雾口预留一层薄硅阻挡层，可以有效阻止切割产生的残渣进入MEMS喷雾器的喷雾口，从而提高MEMS喷雾器的出雾质量以及出雾效果。
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公开(公告)号：CN115153096A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210608258.4
申请日：2022-05-31
申请人： 苏州司南传感科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种低成本MEMS雾化芯及其制备方法，其中低成本MEMS雾化芯包含衬底、设置在衬底背面的二氧化硅薄膜层、分别设置在二氧化硅薄膜层底部的加热电阻丝、用于覆盖加热电阻丝的保护层氮化硅、设置在衬底正面中部的空腔、设置在衬底正面并覆盖空腔表面的烟油吸附层；所述保护层氮化硅的底部分别设置有与加热电阻丝两端连接的金属电极；本发明通过在加热电阻丝和烟油吸附层之间设置衬底，并通在衬底正面设置空腔，能增大了烟油吸附层的表面积，提高烟油吸附效率，且低成本MEMS雾化芯的制备采用半导体工艺和MEMS工艺，具有批量化和一致性好的特点，并且不需要PCB板等结构，因而具有低成本的优点。
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公开(公告)号：CN113551813A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110907047.6
申请日：2021-08-09
申请人： 苏州司南传感科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种集成温控的微小型硅压阻式压力传感器及其制造方法，该集成温控的微小型硅压阻式压力传感器包含基板、盖板、恒温管壳、硅压阻式压力传感器芯片、温度传感器芯片和PI加热片；所述恒温管壳设置在基板和盖板之间，且两端分别与基板和盖板固定连接，形成恒温腔室；所述恒温管壳上还设置有导气管；所述硅压阻式压力传感器芯片和温度传感器芯片设置在基板上，且均位于恒温腔室内；所述PI加热片设置在恒温管壳上，用于给恒温腔室加热，使硅压阻式压力传感器芯片温度恒定；本发明不仅能保证硅压阻式压力传感器芯片温度恒定，避免温度波动对压力测量的影响，且结构简单、体积小，能满足压力传感器小型化、低功耗的要求。
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公开(公告)号：CN115918965A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210608095.X
申请日：2022-05-31
申请人： 苏州司南传感科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种快速响应MEMS雾化芯及其制备方法，其中快速响应MEMS雾化芯包含第一衬底、设置在第一衬底顶部的第二衬底、设置在第一衬底和第二衬底之间的密封空腔、分别沉积在第一衬底和第二衬底顶部的二氧化硅薄膜、设置在第二衬底顶部二氧化硅薄膜上的加热电阻丝、用于覆盖加热电阻丝的保护层氮化硅、覆盖在保护层氮化硅上的烟油吸附材料、设置在第二衬底底部且分别与加热电阻丝连接的金属电极；本发明通过在第一衬底和第二衬底之间设置密封空腔，可减少热量向下的热传导，降低了热损耗，提高了加热电阻丝的升温速度，从而在相同的烟油雾化温度目标下，提高了MEMS雾化芯的烟油雾化的响应时间。
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公开(公告)号：CN115790750A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202210462540.6
申请日：2022-04-28
申请人： 苏州司南传感科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种红外检测MEMS流量传感器，包含红外辐射单元和红外接收单元；所述红外辐射单元包括悬臂设置在管道内且呈空心结构的细软支架、悬挂在细软支架头部的加热电阻、附着在加热电阻上用于向外辐射红外波的黑体、设置在管道外的电压源、两条穿过细软支架用于连接电压源和加热电阻的导线；所述红外接收单元为MEMS红外热电堆传感器阵列，且接收端正对黑体，用于吸收黑体辐射出的红外波，并转化为直流电压；本发明中用于释放红外辐射的黑体位于管道内部，而用于检测流体流速的MEMS红外热电堆传感器阵列位于管道外部，在工作时其受环境干扰小、热污染低，具有更高的准确度，且对防水、密封性要求低，具有成本低、安装方便等优点。
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公开(公告)号：CN115703631A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110907071.X
申请日：2021-08-09
申请人： 苏州司南传感科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种抗腐蚀高稳定性的流量传感器及其制作方法，该抗腐蚀高稳定性的流量传感器包含硅片和盖板；所述硅片的正反面均设置有钝化层；所述硅片的正面分别设置有连接电极、测量电极和测温电极，背面设置有隔热腔体；所述盖板的正面设置有流体槽道，背面分别设置有与连接电极、测量电极和测温电极对应的腔室；所述硅片的正面与盖板的背面粘接在一起，且连接电极、测量电极和测温电极分别位于腔室内；本发明通过采用盖板与流量传感器封装的方法，不仅能够增加流量传感器的抗腐蚀效果，还可以增加流量传感器的耐外力冲击强度，提高传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN115153095A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210608236.8
申请日：2022-05-31
申请人： 苏州司南传感科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种低功耗MEMS雾化芯及其制备方法，其中低功耗MEMS雾化芯包含衬底、设置在衬底背面中部的空腔、两个分别贯穿衬底正面和背面且位于空腔两侧的金属过孔、沉积在衬底正面以及两个金属过孔内的二氧化硅薄膜、填充在两个金属过孔内且被二氧化硅薄膜包裹的金属、设置在衬底正面且分别与两个金属连接的加热电阻丝、覆盖在加热电阻丝上的保护层氮化硅、覆盖在保护层氮化硅上的烟油吸附材料、设置在衬底背面且分别与两个金属连接的PCB板；本发明通过衬底和空腔可减少热量向下的热传导，提高加热电阻丝的温度，进而提高电能转化为热能的效率，在烟油雾化目标温度相同的情况下，显著降低了MEMS雾化芯的功耗。
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公开(公告)号：CN113666331A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110965470.1
申请日：2021-08-23
申请人： 苏州司南传感科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种与MEMS深硅刻蚀工艺相兼容的薄硅释放工艺，包含以下步骤：先在硅片正面通过深硅刻蚀工艺制作出多个MEMS喷雾器的喷雾通道、出雾口以及切割槽，并在出雾口均预留一层薄硅阻挡层，然后沿着切割槽对硅片上的多个MEMS喷雾器进行切割，最后将出雾口预留的薄硅阻挡层进行释放工艺，得到MEMS喷雾器；本发明通过将深硅刻蚀工艺与薄硅释放工艺相结合，在MEMS喷雾器的出雾口预留一层薄硅阻挡层，可以有效阻止切割产生的残渣进入MEMS喷雾器的喷雾口，从而提高MEMS喷雾器的出雾质量以及出雾效果。
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