表面等离激元共振装置及制备方法、吸水量检测系统及方法

    公开(公告)号:CN110672562A

    公开(公告)日:2020-01-10

    申请号:CN201911137945.7

    申请日:2019-11-19

    申请人: 苏州大学

    IPC分类号: G01N21/552 G01N21/01 B81C1/00

    摘要: 本发明揭示了一种表面等离激元共振装置及制备方法、吸水量检测系统及方法,表面等离激元共振装置包括:衬底、位于衬底上的金属膜和位于金属膜上的高分子薄膜,所述高分子薄膜上设置有若干阵列分布的表面等离激元谐振腔,所述高分子薄膜在不同吸水量条件下的厚度不同。本发明中的表面等离激元共振装置用于检测高分子水凝胶的定向溶胀,结合表面等离激元共振(SPR),实现了密闭湿度环境内吸水量的原位无损检测,其应用范围较传统的湿度计和湿度指示硅胶有了明显的扩展。

    黑硅光阴极的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN106374000B

    公开(公告)日:2018-01-09

    申请号:CN201610963328.2

    申请日:2016-10-28

    申请人: 苏州大学

    IPC分类号: H01L31/0224 H01L31/18

    摘要: 本发明公开了一种黑硅光阴极的制备方法,包括以下步骤:S1、提供一硅片;S2、将硅片放入氢氟酸溶液中清洗,再放入氢氧化钾和异丙醇的混合溶液中反应,最后在盐酸和过氧化氢的混合溶液中反应,在硅片表面进行制绒;S3、将具有绒面的硅片放入氢氟酸溶液中清洗,然后放入金属盐溶液中反应,将反应完的硅片放入氢氟酸和过氧化氢的混合溶液中反应,对硅片表面的绒面进行刻蚀;S4、在刻蚀后的硅片表面沉积活性薄膜层,活性薄膜层包括钴、镍、钴化合物、镍化合物中的一种或多种,得到黑硅光阴极。本发明中的黑硅光阴极在硅片的绒面上进一步沉积活性薄膜层,可有效提高黑硅光阴极的光电转换性能,大大提高了光电器件的光开路电压,能够增加光电转换效率。

    反蛋白石结构铁电薄膜复合光电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN108624899B

    公开(公告)日:2019-12-27

    申请号:CN201810493087.9

    申请日:2018-05-22

    申请人: 苏州大学

    发明人: 方亮 南峰 蒋天琪

    IPC分类号: C25B1/04 C25B11/06

    摘要: 本发明公开了一种反蛋白石结构铁电薄膜复合光电极及其制备方法,所述方法包括以下步骤:S1、提供一基片,在基片上形成反蛋白石结构铁酸铋晶体,得到铁酸铋光电极;S2、采用滴液法将石墨烯量子点溶液分散到铁酸铋光电极表面,在铁酸铋光电极表面形成第一催化层;S3、在铁酸铋光电极表面继续沉积金属层或金属化合物层,在铁酸铋光电极表面形成第二催化层,得到反蛋白石结构铁电薄膜复合光电极。本发明采用两步法分别沉积石墨烯量子点与金属纳米颗粒,工艺简单,成本较低,便于大规模使用;两步沉积得到的反蛋白石结构铁电薄膜复合光电极能够将光电流由0.5μA/cm2提高到3.5μA/cm2,两层催化层能够较大程度的提高效率又不会作为影响光吸收的因素,且能够降低溶液与铁酸铋接触面的阻抗。

    金属/TiO2复合多层膜光催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN102407107A

    公开(公告)日:2012-04-11

    申请号:CN201110354462.X

    申请日:2011-11-10

    申请人: 苏州大学

    IPC分类号: B01J23/42 C02F1/32 C02F103/30

    摘要: 本发明涉及一种金属/TiO2复合多层膜光催化剂及其制备方法,其包括下述步骤:(1)将载体放置于真空反应腔内,将真空反应腔内的压力控制在第一压力范围;(2)向真空反应腔内通入氩气并将真空反应腔内的压力控制在第二压力范围;(3)通过磁控溅射法于所述载体表面分别沉积第一TiO2薄膜层、Pt薄膜层和第二TiO2薄膜层,从而获得三层膜结构的光催化剂;(4)将步骤(3)中获得的光催化剂在空气中进行烧结,然后自然冷却到室温。本发明的有益效果是:催化活性高、成本低。

    基于等厚干涉的温度可视化装置及温度可视化方法

    公开(公告)号:CN110702257A

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201911138361.1

    申请日:2019-11-19

    申请人: 苏州大学

    发明人: 居露 翁雨燕 方亮

    IPC分类号: G01K11/00 G01K15/00

    摘要: 本发明揭示了一种基于等厚干涉的温度可视化装置及温度可视化方法,温度可视化装置包括安装架、升降台、单色光源、干涉显示装置、电源和帕尔贴,升降台安装在安装架上,单色光源设置在安装架上,干涉显示装置和帕尔贴设置在升降台上,帕尔贴设置在干涉显示装置的下方,帕尔贴与电源连接,单色光源提供照向干涉显示装置的单色光,从而在干涉显示装置上形成干涉条纹,电源为帕尔贴供电,当电源电压变化时,帕尔贴的温度发生改变,干涉条纹也随之变化。本发明中的基于等厚干涉的温度可视化装置通过干涉条纹的变化能精确快速地看到发热位置,为分析热源提供了很好的依据,可用于热故障的精准定位;本发明成本低,响应时间快,使用范围广泛。

    EuFeO3纳米光催化剂制备方法

    公开(公告)号:CN102814182A

    公开(公告)日:2012-12-12

    申请号:CN201110152206.2

    申请日:2011-06-08

    申请人: 苏州大学

    IPC分类号: B01J23/83 C02F1/30

    摘要: 本发明实施例公开了一种EuFeO3纳米光催化剂制备方法,该方法包括:使铕盐和铁盐分别在有机溶剂中溶解,形成含铕盐的有机溶液和含铁盐的有机溶液;将所述含铕盐的有机溶液和含铁盐的有机溶液充分混合,形成含铕盐和铁盐的混合有机溶液;向所述含铕盐和铁盐的混合有机溶液中加入酒石酸,形成EuFeO3溶胶;将所述EuFeO3溶胶进行蒸干,得到EuFeO3干凝胶;将所述EuFeO3干凝胶研磨成粉末并进行退火处理。本发明所提供的EuFeO3纳米光催化剂制备方法,由于采用酒石酸作为螯合剂,因此,最终所得产物不会发生团聚现象;且最终产物的成分均匀、颗粒大小可控、比表面积较大;再有,所得EuFeO3纳米光催化剂是一种可见光响应且能磁力回收的光催化剂。

    一种铁电薄膜退极化时间的测量方法

    公开(公告)号:CN101915878B

    公开(公告)日:2012-07-25

    申请号:CN201010231417.0

    申请日:2010-07-16

    申请人: 苏州大学

    IPC分类号: G01R31/00 G01R19/00

    摘要: 本发明公开了一种铁电薄膜退极化时间的测量方法,其特征在于:包括下列步骤:(1)在铁电薄膜上分别设置上电极和下电极,构成金属/薄膜/金属电容器结构,将测量系统置于电磁屏蔽罩及暗室中;(2)在上述电容器结构上施加外加电场;(3)撤除外加电场,等待时间间隔T后,用光源从薄膜上方照射样品表面,采集记录光电流随时间的变化曲线;(4)从0开始逐渐增大时间间隔T,重复上述步骤(2)和(3),分别记录在不同的时间间隔T下的光电流变化曲线,至光电流变化曲线中的峰值电流不再发生变化时停止;(5)光电流变化曲线中的峰值电流达到最小时的时间间隔T,即为该铁电薄膜的退极化时间。本发明的方法能测量铁电薄膜的退极化时间,解决了现有技术中不能表征退极化快慢的问题。

    一种用于表征铁电薄膜光电流的测量方法

    公开(公告)号:CN101776709B

    公开(公告)日:2012-04-04

    申请号:CN201010018160.0

    申请日:2010-01-15

    申请人: 苏州大学

    IPC分类号: G01R19/00

    摘要: 本发明公开了一种用于表征铁电薄膜光电流的测量方法,包括:构建金属/薄膜/金属电容器结构;在电容器结构上施加外加电场,以极化薄膜;撤除外加电场,用光源从薄膜上方照射样品表面,采集记录稳定的光电流的大小;分别记录在不同的极化电压下的光电流大小,绘制成光电流回路;如果光电流回线的纵向对称中心处的电流值为正,则下界面肖特基势垒大于上界面肖特基势垒,为负,则上界面肖特基势垒大于下界面肖特基势垒,等于零,则上下界面肖特基势垒是对称的。本发明通过对光电流的检测,可以确定不同界面的肖特基垫垒和剩余极化对光电流的影响,而不需要采用大型高端设备,从而大大降低了测量成本,适于推广应用。

    一种用于表征铁电薄膜光电流的测量方法

    公开(公告)号:CN101776709A

    公开(公告)日:2010-07-14

    申请号:CN201010018160.0

    申请日:2010-01-15

    申请人: 苏州大学

    IPC分类号: G01R19/00

    摘要: 本发明公开了一种用于表征铁电薄膜光电流的测量方法,包括:构建金属/薄膜/金属电容器结构;在电容器结构上施加外加电场,以极化薄膜;撤除外加电场,用光源从薄膜上方照射样品表面,采集记录稳定的光电流的大小;分别记录在不同的极化电压下的光电流大小,绘制成光电流回路;如果光电流回线的纵向对称中心处的电流值为正,则下界面肖特基势垒大于上界面肖特基势垒,为负,则上界面肖特基势垒大于下界面肖特基势垒,等于零,则上下界面肖特基势垒是对称的。本发明通过对光电流的检测,可以确定不同界面的肖特基垫垒和剩余极化对光电流的影响,而不需要采用大型高端设备,从而大大降低了测量成本,适于推广应用。

    铁电薄膜三元复合光电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN110656350A

    公开(公告)日:2020-01-07

    申请号:CN201911108265.2

    申请日:2019-11-13

    申请人: 苏州大学

    发明人: 方亮 王顺 游陆

    摘要: 本发明揭示了一种铁电薄膜三元复合光电极及其制备方法,所述制备方法包括:S1、提供一导电基片;S2、在导电基片表面制备铁电薄膜,得到铁电薄膜光电极;S3、在铁电薄膜表面制备氧化钛薄膜;S4、通过化学气相沉积法在氧化钛薄膜表面负载石墨相氮化碳,得到铁电薄膜三元复合光电极。本发明采用三步法制备铁电薄膜三元复合光电极,工艺简单,成本较低,便于大规模制备;三元复合光电极能够最大程度上提高光电极与电解液间载流子传输性能,提高光电转化效率,光电流密度能从15μA/cm2提高到70μA/cm2。