公开(公告)号：CN112787548B

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN202110014393.1

申请日：2021-01-06

Applicant: 苏州大学

Inventor： 杨朔 ,  靳然 ,  王玉生 ,  宋涛 ,  孙宝全

IPC: H02N3/00 ,  H02S10/10 ,  H02S20/00 ,  H02S40/44 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种水伏电池单元的制备方法及水伏/光伏发电系统，包括以下步骤：对硅片的表面进行处理，去除硅片表面的有机物和氧化物，获得处理后的硅片，其中，硅片的背面贴附保护层；将处理后的硅片置于HF和AgNO3的混合溶液中并搅拌，使得硅片的正面形成银纳米颗粒层，获得表面具有银纳米颗粒层的硅片；通过溶液刻蚀法对S2处理后的硅片进行刻蚀，使得硅片表面形成硅纳米线，所述硅片表面形成硅纳米线/银纳米颗粒复合层；溶解硅片表面的银纳米颗粒，获得表面仅有硅纳米线的硅片；在所述硅片的正面制备正电极，去除硅片表面的保护层并在硅片的背面制备负电极，获得水伏电池。其输出功率高，稳定性好，性能优异，适用范围广。

公开(公告)号：CN112787548A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202110014393.1

申请日：2021-01-06

Applicant: 苏州大学

Inventor： 杨朔 ,  靳然 ,  王玉生 ,  宋涛 ,  孙宝全

IPC: H02N3/00 ,  H02S10/10 ,  H02S20/00 ,  H02S40/44 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种水伏电池单元的制备方法及水伏/光伏发电系统，包括以下步骤：对硅片的表面进行处理，去除硅片表面的有机物和氧化物，获得处理后的硅片，其中，硅片的背面贴附保护层；将处理后的硅片置于HF和AgNO3的混合溶液中并搅拌，使得硅片的正面形成银纳米颗粒层，获得表面具有银纳米颗粒层的硅片；通过溶液刻蚀法对S2处理后的硅片进行刻蚀，使得硅片表面形成硅纳米线，所述硅片表面形成硅纳米线/银纳米颗粒复合层；溶解硅片表面的银纳米颗粒，获得表面仅有硅纳米线的硅片；在所述硅片的正面制备正电极，去除硅片表面的保护层并在硅片的背面制备负电极，获得水伏电池。其输出功率高，稳定性好，性能优异，适用范围广。