公开(公告)号：CN118943219A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410996834.6

申请日：2024-07-24

申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司

发明人： 钱洪强 ,  崔昊亮 ,  周海龙 ,  张俊巍 ,  高振洲 ,  刘玉申 ,  况亚伟

IPC分类号： H01L31/0525 ,  H01L31/054 ,  H01L31/056 ,  H01L31/048

摘要： 本申请涉及一种集成热能收集与利用系统的双玻光伏组件，实现热电联产，提高能源的综合利用效率。该双玻光伏组件在背面玻璃层中靠近第二EVA层的一侧设置了集热管道，该集热管道采用双弧面设计，并设有反射层，在不对光线产生额外影响的同时，收集太阳能电池组件内部的热量，通过弧面反射层反射光线，使电池片间隙内的光线得到充分利用，保证电池组件的光电转换效率。此外，背面玻璃层由两层子玻璃层堆叠后粘结形成，子玻璃层包含对应弧面的凹槽，简化背面玻璃层的制作过程，便捷地实现集热管道的设计结构。通过减小电池组件内部的热量，保证了电池组件在合适的温度下进行发电，优化了发电效率，同时，实现热能的收集和利用。

公开(公告)号：CN114142790B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202111181121.7

申请日：2021-10-11

申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 ,  常熟理工学院

发明人： 张树德 ,  刘玉申 ,  况亚伟 ,  连维飞 ,  倪志春

IPC分类号： H02S10/10 ,  H02N1/04 ,  H01L31/048 ,  A45F3/04

摘要： 本发明提供一种背包及发电机构，包括背包体及设于背包体上的发电机构，发电机构包括IBC太阳能电池，IBC太阳能电池具有位于其背面的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极上下设置；发电机构还包括：摩擦片，其和IBC太阳能电池的背面接触且能够相对IBC太阳能电池上下移动，摩擦片由得电子能力大于第一电极和第二电极的绝缘材料制成；其中，发电机构至少具有第一状态和第二状态，在第一状态时，摩擦片和第一电极接触而脱离第二电极；在第二状态时，摩擦片和第二电极接触而脱离第一电极。本发明的背包具有光伏发电功能，能够将使用者行走时产生的机械能转换为电能，具有较高的电能输出功率。

公开(公告)号：CN115863461A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211424163.3

申请日：2022-11-15

申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 ,  常熟理工学院

发明人： 钱洪强 ,  周海龙 ,  张俊巍 ,  李怡洁 ,  王晓蕾 ,  况亚伟 ,  刘玉申 ,  张惠国

IPC分类号： H01L31/048 ,  H01L31/054 ,  H01L31/18 ,  H02S30/20

摘要： 本发明提供一种太阳能电池组件及封装方法，涉及太阳能光伏技术领域。该太阳能电池组件，包括柔性玻璃以及柔性薄膜电池阵列，所述柔性薄膜电池阵列由若干柔性薄膜电池组成，所述柔性薄膜电池与柔性薄膜电池之间嵌合有反光板，所述柔性薄膜电池阵列的下侧壁设置有第二粘连层，所述第二粘连层的下侧壁固定连接有背板；所述柔性薄膜电池的上侧壁固定连接有导电铜带，所述导电铜带的上侧壁与柔性玻璃之间设置有第一粘连层以及绝缘层。通过柔性玻璃以及柔性薄膜电池的使用，可以有效对太阳能电池组件的尺寸进行调整，能够有效提高太阳能电池组件的适用范围。

公开(公告)号：CN115775842A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202211417894.5

申请日：2022-11-14

申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 ,  常熟理工学院

发明人： 钱洪强 ,  周海龙 ,  张俊巍 ,  李怡洁 ,  王晓蕾 ,  况亚伟 ,  张惠国 ,  刘玉申

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/048 ,  H01L31/05 ,  H02S40/34

摘要： 本发明提供一种太阳能电池组件的封装工艺及其封装设备，涉及太阳能电池领域。该太阳能电池组件的封装工艺，采用封装设备进行封装，所述封装设备包括依次连接的进料自动线、第一工作台自动线、第二工作台自动线、第三工作台自动线、第四工作台自动线以及出料自动线。该封装工艺在太阳能电池组件的四周安装密封套，密封套能够将太阳能电池组件围成封闭结构，真空系统通过密封套两侧的抽气管将太阳能电池组件中的气体抽出，使得太阳能电池组件的各个组件相互紧贴，经过固化装置后EVA胶体对太阳能电池组件的各个组件进行固定，通过该工艺对太阳电池组件进行封装，能够有效降低太阳能电池组件中的气泡含量，提高封装效果。

公开(公告)号：CN110634983A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910920590.2

申请日：2019-09-26

申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 ,  常熟理工学院 ,  苏州大学

发明人： 张树德 ,  魏青竹 ,  况亚伟 ,  钱洪强 ,  丁可 ,  揭建胜 ,  张晓宏 ,  李跃 ,  连维飞 ,  倪志春 ,  刘玉申 ,  杨希峰

IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种晶硅太阳电池，包括：P型硅基体，所述P型硅基体正面设有正面N型硅，所述P型硅基体与所述正面N型硅连接形成浮动结；采用浮动结作为正面的钝化结构，在保证正面钝化效果的前提下，一方面简化制备流程，另一方面规避了硼扩散的高温对P型硅基体少子寿命的影响，提高了电池的效率。

公开(公告)号：CN108321238A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201810214013.7

申请日：2018-03-15

申请人： 常熟理工学院 ,  苏州腾晖光伏技术有限公司

发明人： 况亚伟 ,  顾涵 ,  马玉龙 ,  张静 ,  倪志春 ,  魏青竹 ,  潘启勇 ,  杨希峰 ,  刘玉申 ,  冯金福

IPC分类号： H01L31/054 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种石墨烯双面太阳能电池，包括n型单晶硅，所述n型单晶硅的一面设置二氧化硅层，所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构，所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的n型单晶硅表面上设置石墨烯薄膜层，在位于所述二氧化硅层通孔的四周区域的石墨烯薄膜层上设置前电极；所述n型单晶硅的另一面设置n+型多晶硅，所述n+型多晶硅表面设置光学减反层，所述光学减反层表面设置背栅线电极。本发明还公开了石墨烯双面太阳能电池的制备方法。本发明在单晶硅前后表面均形成内建电场进行光生载流子分离，实现双面石墨烯太阳能电池，具有结构简单，效率高的特点，适合批量生产。

公开(公告)号：CN112271221B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202011090280.1

申请日：2020-10-13

申请人： 常熟理工学院 ,  苏州腾晖光伏技术有限公司

发明人： 刘玉申 ,  况亚伟 ,  张树德 ,  洪学鹍 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  王书昶 ,  郝明辉 ,  张德宝

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开了一种具备微结构的三层氮化硅减反层，包括按光线入射方向依次层叠的第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜，所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜折射率依次增加而厚度依次减小，所述三层氮化硅减反层设有贯通所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜的纳米圆柱孔阵列微结构。本发明还公开了具备微结构的三层氮化硅减反层的制备方法，以等离子增强气相沉积法沉积氮化硅膜，由氮气流量和硅烷流量的比例控制氮化硅膜折射率，通过调控沉积时间控制氮化硅膜厚度。本发明在扩展增透光谱宽度的同时提高了光吸收率，且制备工艺兼容现有硅基电池工艺。

公开(公告)号：CN114050204A

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN202111339977.2

申请日：2021-11-12

申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司

发明人： 张树德 ,  刘玉申 ,  况亚伟 ,  连维飞 ,  倪志春

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/068

摘要： 本发明提供了一种P型IBC电池的制备方法。与现有技术相比，本发明采用双面硼扩散技术正面的P+掺杂硅层可起到表面钝化的作用，背面的P+掺杂硅层可起到提取空穴的作用，两个功能层同时制备一步完成，且无需做边缘绝缘处理，正面和背面的P+掺杂硅层通过边缘连接在一起，不会导致漏电；同时硼扩散生成的硼硅玻璃层可作为阻挡层，使磷掺杂时磷只掺杂入去除硼硅玻璃层的区域，无需额外制备阻挡层；再者，利用磷掺杂浓度比硼掺杂浓度更高的特点，对去除硼硅玻璃层的P+掺杂硅区域进行补偿掺杂，将其转变为N+掺磷硅，从而实现P型IBC电池的制备，制备步骤简单，无需光刻技术，可显著降低电池成本。

公开(公告)号：CN113555470A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110826671.3

申请日：2021-07-21

申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 ,  常熟理工学院

发明人： 张树德 ,  刘玉申 ,  况亚伟 ,  连维飞 ,  倪志春

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0224

摘要： 本申请公开了一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件，该方法包括获得正面依次层叠有钝化层和减反层的硅基体；对钝化层和减反层对应正电极的区域进行开孔；开孔深度等于钝化层和减反层的厚度之和；采用电镀法在开孔区域沉积铝形成铝电极，得到电池结构体；对电池结构体进行退火处理，铝电极和硅基体发生共晶反应，在硅基体对应铝电极的区域形成铝重掺杂区域；在硅基体的背面制备钝化接触结构和背电极，得到太阳能电池。本申请用电镀法在开孔区域沉积铝，通过退火时铝和硅发生共晶反应对硅基体进行局部重掺杂，无需复杂的掩膜工艺、高温扩散、高精度对准，制备过程简单，且不会影响硅基体的体少子寿命；铝电极宽度窄，减小对硅基体正面的遮光面积。

公开(公告)号：CN112599635A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202011422086.9

申请日：2020-12-08

申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 ,  常熟理工学院

发明人： 张树德 ,  魏青竹 ,  刘玉申 ,  况亚伟 ,  赵保星 ,  缪乾 ,  符欣 ,  连维飞 ,  倪志春

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224

摘要： 本发明公开了一种基于P型硅片的太阳能电池片及其制备方法。该制备方法包括：A、提供制绒后的P型硅片；B、对P型硅片进行扩散形成P型轻掺杂层；C、对P型轻掺杂层进行选择性的开槽，使P型硅片的局部正面露出；D、对步骤C处理后的P型硅片进行二次扩散，在P型硅片的对应开槽区域的部分中形成P型重掺杂部；E、在P型硅片的正面和背面分别制备正面介质层和背面介质层；F、在正面介质层上印刷正面浆料，且至少部分正面浆料位于P型重掺杂部的正上方；在背面介质层上印刷背面浆料；G、烧结，其中正面浆料穿透正面介质层而和P型重掺杂部接触。本发明提升了填充因子FF，降低了载流子的传输损耗，提高光电转化效率。