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公开(公告)号:CN119493533A
公开(公告)日:2025-02-21
申请号:CN202510078084.9
申请日:2025-01-17
Applicant: 苏州萨沙迈半导体有限公司 , 合肥智芯半导体有限公司 , 上海萨沙迈半导体有限公司 , 天津智芯半导体科技有限公司
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明公开了一种数据处理方法、存储介质和电子设备,涉及嵌入式系统技术领域,所述数据处理方法包括:确定待写入模拟EEPROM存储空间的第一待处理数据;其中,所述模拟EEPROM存储空间基于FLASH存储空间生成;将所述第一待处理数据写入缓冲队列中;其中,所述缓冲队列预设于所述FLASH存储空间以外的存储空间中;通过周期性的执行针对所述缓冲队列的写入命令,将所述缓冲队列中的各项数据按照队列顺序写入的所述模拟EEPROM存储空间,以提高写入数据的便利性。