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公开(公告)号：CN103413867B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310373013.9
申请日：2013-08-23
申请人： 英利能源(中国)有限公司
发明人： 胡海波
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明提供了一种太阳能电池的扩散制结方法、太阳能电池及其制作方法。该扩散制结方法包括：步骤S1，在硅片的表面上生长SiO2层，得到预处理硅片；步骤S2，在预处理硅片的SiO2层上进行磷扩散。本发明在沉积P原子之前，在硅片表面沉积SiO2层，SiO2层就会对发射区起到很好的保护作用，降低不活泼磷原子的浓度，进而降低过饱和浅结磷扩所造成的硅表面晶格损伤。并且上述方法简单、易实现，适用于大规模产业化生产。
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公开(公告)号：CN102938433A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210442267.7
申请日：2012-11-07
申请人： 英利能源(中国)有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种去除磷硅玻璃的设备和方法，该方法包括：将扩散完成后的硅片放置在第二密封容器中；将N2通入到氢氟酸溶液中，通过N2将含水的氟化氢气体通入第二密封容器中，其中，所述氢氟酸溶液存储在第一密封容器中；在第二密封容器中，含水的氟化氢气体与硅片表面的PSG反应，去除硅片表面的PSG；从第二密封容器中排出反应生成物。本发明提供的去除磷硅玻璃的方法，由于含水的氟化氢气体与硅片表面的PSG的反应是在密封设备中进行的，因此，降低了人接触剧毒化学品氢氟酸的概率，增加了生产的安全性。
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公开(公告)号：CN102569532A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210058534.0
申请日：2012-03-07
申请人： 英利能源(中国)有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明提供了一种选择性发射极电池二次沉积扩散工艺，用于在晶硅太阳能电池硅片表面进行磷源沉积，包括将所述晶硅太阳能电池硅片置于第一预设温度环境中，通源、通氧至磷源沉积到预设浓度。或者，将所述晶硅太阳能电池硅片置于第三预设温度环境中，通源、通氧，以第一预设温度推进至磷源沉积到预设浓度。当达到预设浓度时，降温至第二预设温度后，继续通源、通氧以进行磷源沉积，激光掺杂后得到二次沉积后的晶硅太阳能电池。在降温后继续通源、通氧，磷源会继续在硅片表面进行沉积，使得硅片表面的磷源浓度提高，对表面磷源浓度较高的晶硅太阳能电池硅片进行激光掺杂工艺，可以采用较低的激光能量，得到符合要求的晶硅太阳能电池。
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公开(公告)号：CN103413867A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310373013.9
申请日：2013-08-23
申请人： 英利能源(中国)有限公司
发明人： 胡海波
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明提供了一种太阳能电池的扩散制结方法、太阳能电池及其制作方法。该扩散制结方法包括：步骤S1.在硅片的表面上生长SiO2层，得到预处理硅片；步骤S2.在预处理硅片的SiO2层上进行磷扩散。本发明在沉积P原子之前，在硅片表面沉积SiO2层，SiO2层就会对发射区起到很好的保护作用，降低不活泼磷原子的浓度，进而降低过饱和浅结磷扩所造成的硅表面晶格损伤。并且上述方法简单、易实现，适用于大规模产业化生产。
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公开(公告)号：CN102881770B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201210369890.4
申请日：2012-09-28
申请人： 英利能源(中国)有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种选择性发射极电池的制备方法。该方法依次包括损伤层的去除及绒面制备、扩散制作p-n结、表面PSG的去除及周边p-n结的去除、钝化减反射层的制备、金属化、以及分选，在扩散制作p-n结步骤与表面PSG的去除及周边p-n结的去除步骤之间进一步包括激光掺杂制作选择性发射极的步骤。应用本发明的技术方案，只需在现有的常规太阳能电池的制备工艺基础上添加一步激光掺杂制作选择性发射极的步骤，就可以完成选择性发射极电池的制备，工艺步骤简单，而且操作参数容易控制，适宜大规模的工业化生产。
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公开(公告)号：CN102881770A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210369890.4
申请日：2012-09-28
申请人： 英利能源(中国)有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种选择性发射极电池的制备方法。该方法依次包括损伤层的去除及绒面制备、扩散制作p-n结、表面PSG的去除及周边p-n结的去除、钝化减反射层的制备、金属化、以及分选，在扩散制作p-n结步骤与表面PSG的去除及周边p-n结的去除步骤之间进一步包括激光掺杂制作选择性发射极的步骤。应用本发明的技术方案，只需在现有的常规太阳能电池的制备工艺基础上添加一步激光掺杂制作选择性发射极的步骤，就可以完成选择性发射极电池的制备，工艺步骤简单，而且操作参数容易控制，适宜大规模的工业化生产。
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公开(公告)号：CN203295602U
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201320372830.8
申请日：2013-06-26
申请人： 英利能源(中国)有限公司
IPC分类号： C23C16/44
摘要： 本实用新型提供了一种镀减反射膜设备，所述镀减反射膜设备包括进料腔室、预热腔室、工艺腔室、冷却腔室和出料腔室，其中，所述进料腔室、所述预热腔室和所述工艺腔室的顶部均至少设置有一个气体吹扫装置，所述进料腔室、所述预热腔室和所述工艺腔室的底部均至少设置有一个碎屑排出口。在对一批硅片进行镀减反射膜前，首先对三个腔室进行氮气吹扫清理，保证腔室内部清洁，进而保证放入腔室内的每一批硅片的镀膜面的清洁，减少出现色差片的情况，提高了镀减反射膜的合格率，进而提高制作太阳能电池合格率。
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