公开(公告)号：CN1869748B

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200610082031.1

申请日：2006-03-29

申请人： 英特尔公司

发明人： M·萨利布 ,  D·尼科诺夫

IPC分类号： G02B6/26 ,  G02B6/27 ,  G02B6/12 ,  G02F1/09 ,  H04B10/00

CPC分类号： G02F1/0955 ,  G02B6/2746 ,  G02B6/2821 ,  G02F1/2257 ,  G02F2001/212 ,  G02F2201/16

摘要： 一种光隔离器，包括设置在半导体芯片内的第一和第二光分离-组合器。光分离-组合器由同样配置在该半导体芯片上的第一和第二波导区一起耦合成干涉仪结构。非互易光学相移元件设置在该半导体芯片内，并包含通过该非互易光学相移元件的第一波导区。该光隔离器配置成使得正向传输波通过第二光分离-组合器相长地重新组合，而反向传输波通过第二光分离-组合器相消地重新组合；其中非互易光学相移元件包括：第一接触垫，在邻近第一波导区的第一侧设置的第一方向上磁化，以将注入到第一波导区的第一载流子的自旋偏振；以及第二接触垫，在与第一方向相反的邻近第一波导区的第二侧设置的第二方向上磁化，以将注入到第一波导区的第二载流子的自旋相反地偏振。本发明还提供了相应的方法和系统。

公开(公告)号：CN1869748A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610082031.1

申请日：2006-03-29

申请人： 英特尔公司

发明人： M·萨利布 ,  D·尼科诺夫

IPC分类号： G02B6/26 ,  G02B6/27 ,  G02B6/12 ,  G02F1/09 ,  H04B10/00

CPC分类号： G02F1/0955 ,  G02B6/2746 ,  G02B6/2821 ,  G02F1/2257 ,  G02F2001/212 ,  G02F2201/16

摘要： 一种光隔离器，包括设置在半导体电路芯片内的第一和第二光分离－组合器。光分离－组合器由同样配置在该半导体电路芯片上的第一和第二波导区一起耦合成干涉仪结构。非互易光学相移元件设置在该半导体电路芯片内，并包含通过该非互易光学相移元件的第一波导区。该光隔离器配置成使得正向传输波通过第二光分离－组合器相长地重新组合，而反向传输波通过第二光分离－组合器相消地重新组合。