公开(公告)号：CN101765972A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200880100518.5

申请日：2008-07-28

申请人： 英特尔公司

发明人： H·拉达瓦拉 ,  A·拉维 ,  O·迪加尼 ,  I·霍德

IPC分类号： H03K7/08

CPC分类号： H03K7/10 ,  H03F3/2178 ,  H04B1/0483 ,  H04L25/4902

摘要： 简言之，根据一个或多个实施例，在脉位和脉位调制异相发射器中，相角的范围θ可被分成一个以上的范围，以利用第一范围的θ驱动第一功率放大器，而利用第二范围的θ驱动第二功率放大器。在一个或多个实施例中，用具有较高概率密度函数的第一相范围驱动主功率放大器，而利用具有较低概率密度函数的第一相范围驱动过载功率放大器。在一个或多个实施例中，全加器用于组合两个相，其中和信号用于驱动主功率放大器，而进位信号用于驱动过载功率放大器。

公开(公告)号：CN109644002B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201780053343.6

申请日：2017-08-30

申请人： 英特尔公司

发明人： G·埃谢尔 ,  S·梅尔科维奇 ,  O·迪加尼 ,  H·拉达瓦拉

IPC分类号： H03M1/40 ,  H03M1/42

摘要： 一些实施例包括设备和方法，其使用电容器电路对输入信号的值进行采样；使用比较器将输入信号的值与一系列电压值进行比较，并提供比较结果；使用逐次逼近寄存器(SAR)逻辑电路基于比较结果生成第一位和第二位；以及使用电路计算第二位的值与第一位的一部分位的值的平均值，并且生成表示输入信号的值的输出位，该输出位包括基于平均值生成的位。

公开(公告)号：CN103887186A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310704018.5

申请日：2013-12-19

申请人： 英特尔公司

发明人： T·喀姆盖恩 ,  V·拉奥 ,  O·迪加尼

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L23/31

摘要： 描述了形成微电子封装结构的方法和由此形成的相关联的结构。这些方法和结构可以包括形成包括设置于器件的背面的分立的天线的封装结构，其中，分立的天线包括天线衬底、穿过天线衬底垂直设置的穿过天线衬底的通孔。垂直地设置于器件内的穿过器件衬底的通孔与穿过天线衬底的通孔耦合，而封装衬底与器件的有源面耦合。

公开(公告)号：CN101765972B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200880100518.5

申请日：2008-07-28

申请人： 英特尔公司

发明人： H·拉达瓦拉 ,  A·拉维 ,  O·迪加尼 ,  I·霍德

IPC分类号： H04L25/49 ,  H03K7/08

CPC分类号： H03K7/10 ,  H03F3/2178 ,  H04B1/0483 ,  H04L25/4902

摘要： 简言之，根据一个或多个实施例，在脉位和脉位调制异相发射器中，相角的范围θ可被分成一个以上的范围，以利用第一范围的θ驱动第一功率放大器，而利用第二范围的θ驱动第二功率放大器。在一个或多个实施例中，用具有较高概率密度函数的第一相范围驱动主功率放大器，而利用具有较低概率密度函数的第一相范围驱动过载功率放大器。在一个或多个实施例中，全加器用于组合两个相，其中和信号用于驱动主功率放大器，而进位信号用于驱动过载功率放大器。

公开(公告)号：CN109644002A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780053343.6

申请日：2017-08-30

申请人： 英特尔公司

发明人： G·埃谢尔 ,  S·梅尔科维奇 ,  O·迪加尼 ,  H·拉达瓦拉

IPC分类号： H03M1/40 ,  H03M1/42

CPC分类号： H03M1/04 ,  H03M1/0656 ,  H03M1/0695 ,  H03M1/144 ,  H03M1/145 ,  H03M1/36 ,  H03M1/466

摘要： 一些实施例包括设备和方法，其使用电容器电路对输入信号的值进行采样；使用比较器将输入信号的值与一系列电压值进行比较，并提供比较结果；使用逐次逼近寄存器(SAR)逻辑电路基于比较结果生成第一位和第二位；以及使用电路计算第二位的值与第一位的一部分位的值的平均值，并且生成表示输入信号的值的输出位，该输出位包括基于平均值生成的位。