公开(公告)号：CN118553728A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410197093.5

申请日：2024-02-22

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： T·埃尔多尔 ,  W·哈特纳 ,  P·布伦纳 ,  S·康普罗布斯特 ,  G·维斯

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/31

摘要： 本发明的实施例涉及包括屏蔽结构的半导体封装件。一种半导体封装件包括半导体芯片，该半导体芯片包括多个射频通道。半导体封装件还包括信号端口，该信号端口布置在半导体芯片外部并且与多个射频通道中的一个射频通道相关联。半导体封装件还包括屏蔽结构，当在第一方向上观察时，该屏蔽结构至少部分围绕信号端口，其中屏蔽结构被配置为减少干扰信号在垂直于第一方向的第二方向上来自和/或去往信号端口的传播。

公开(公告)号：CN114093834A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202110956135.5

申请日：2021-08-19

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： S·卡里姆 ,  P·布伦纳 ,  M·德尚 ,  J·E·S·弗里津

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/552 ,  H01L21/60 ,  H05K1/18 ,  H05K3/32

摘要： 本公开的实施例涉及包括类同轴电连接的装置及其制造方法。一种装置包括半导体芯片，其包括布置在半导体芯片的主表面上的电接触部。该装置包括外部连接元件，其被配置为在装置与印刷电路板之间提供第一类同轴电连接，其中第一类同轴电连接包括在垂直于半导体芯片主表面的方向上延伸的部段。该装置还包括电再分配层，其布置在半导体芯片的主表面之上、并被配置为在半导体芯片的电接触部与外部连接元件之间提供第二类同轴电连接，其中第二类同轴电连接包括在平行于半导体芯片主表面的方向上延伸的部段。

公开(公告)号：CN114639661A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202111536097.4

申请日：2021-12-15

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： P·布伦纳 ,  W·哈特纳 ,  J·W·凯萨 ,  S·卡里姆

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01Q1/52 ,  H01Q1/36

摘要： 本公开的实施例涉及一种包括衰减介电材料的高频器件。一种器件包括高频芯片和布置在第一区域和第二区域之间的介电材料，第一区域辐射在1GHz和1THz之间的第一频率范围中的电磁干扰信号，第二区域接收电磁干扰信号。介电材料的衰减至少在第一频率范围的子范围内大于5dB/cm。

公开(公告)号：CN117438388A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310886554.5

申请日：2023-07-19

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： T·埃尔多尔 ,  W·哈特纳 ,  P·布伦纳 ,  S·康普罗布斯特 ,  M·迈尔

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/40

摘要： 本公开涉及包括射频吸收性特征的射频器件。公开了一种射频器件和用于制造射频器件的方法。一种器件包括射频芯片和布置在射频芯片之上的散热片。器件还包括布置在射频芯片和散热片之间的层堆叠体。层堆叠体包括包含第一材料的第一层、热界面材料，以及布置在第一材料和热界面材料之间的金属层。