公开(公告)号：CN110133095A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910212112.6

申请日：2014-11-26

申请人： 蒙特利尔史密斯安检仪公司

发明人： I·库布利克 ,  S·菲尔德 ,  B·阿塔曼舒克 ,  M·皮尼亚尔斯基 ,  M·莱希特尔 ,  D·莱文 ,  V·谢尔盖耶夫 ,  H·扎列斯基

IPC分类号： G01N27/62 ,  G01N27/68 ,  H05H1/24

摘要： 本发明公开了一种电离设备和离子迁移谱仪设备，该电离设备包括：基底；布置在所述基底上的第一平面电极；以及第二平面电极；其中，介电层将所述第一平面电极与所述第二平面电极分离；以及其中，所述电离设备被配置成产生与所述第一平面电极和所述第二平面电极之间的局部增强的电场相对应的多个等离子体生成位置。

公开(公告)号：CN105814440A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201480064756.0

申请日：2014-11-26

申请人： 蒙特利尔史密斯安检仪公司

发明人： I·库布利克 ,  S·菲尔德 ,  B·阿塔曼舒克 ,  M·皮尼亚尔斯基 ,  M·莱希特尔 ,  D·莱文 ,  V·谢尔盖耶夫 ,  H·扎列斯基

IPC分类号： G01N27/68

CPC分类号： G01N27/68 ,  G01N27/622 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2412 ,  H05H2001/2468

摘要： 电离设备包括第一电极，该第一电极包括涂覆有介电层的导电组件。所述电离设备还包括脊柱，该脊柱邻近所述第一电极延伸并且至少部分地沿着所述第一电极延伸。所述电离设备还包括第二电极，该第二电极包括邻近所述第一电极布置的导电段。每一个所述导电段在各自的接触位置处接触所述脊柱。所述第一电极的所述介电层将所述第一电极的导电组件与所述脊柱和所述第二电极分离。所述电离设备被配置成产生与所述第一电极和所述第二电极的交叉处相对应的等离子体生成位置。

公开(公告)号：CN105814440B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201480064756.0

申请日：2014-11-26

申请人： 蒙特利尔史密斯安检仪公司

发明人： I·库布利克 ,  S·菲尔德 ,  B·阿塔曼舒克 ,  M·皮尼亚尔斯基 ,  M·莱希特尔 ,  D·莱文 ,  V·谢尔盖耶夫 ,  H·扎列斯基

IPC分类号： G01N27/68

摘要： 电离设备包括第一电极，该第一电极包括涂覆有介电层的导电组件。所述电离设备还包括脊柱，该脊柱邻近所述第一电极延伸并且至少部分地沿着所述第一电极延伸。所述电离设备还包括第二电极，该第二电极包括邻近所述第一电极布置的导电段。每一个所述导电段在各自的接触位置处接触所述脊柱。所述第一电极的所述介电层将所述第一电极的导电组件与所述脊柱和所述第二电极分离。所述电离设备被配置成产生与所述第一电极和所述第二电极的交叉处相对应的等离子体生成位置。