一种锥型潘宁离子源的中子管结构

    公开(公告)号:CN114007323A

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN202111289817.1

    申请日:2021-11-02

    申请人: 西京学院

    IPC分类号: H05H3/06 H01J27/04

    摘要: 一种锥型潘宁离子源的中子管结构,包括绝缘陶瓷筒,绝缘陶瓷筒一端设有第一永磁体,第一永磁体内侧通过第一陶瓷环固定有第一阴极,第一阴极内侧连接锥形阳极筒一端,锥形阳极筒的另一端与第二阴极相连接后共同嵌于第二陶瓷环内,第二阴极及第二陶瓷环外侧与第二永磁体内侧相连接;通过外部给磁性阳极筒加高电压,在磁场和电场共同作用下,从阴极发出的电子与磁性阳极筒内部的气体发生电离,产生的离子分别两侧的引出口被引出,被引出的离子通过两侧的法拉第筒加速后轰击靶,从而反应生成中子;本发明提升了潘宁离子源产额,得到了更为紧凑高效的微型离子源,具有结构简单、操作方便及高效实用的优点。

    一种靶距可调式中子管靶极结构
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113099600A

    公开(公告)日:2021-07-09

    申请号:CN202110361045.1

    申请日:2021-04-02

    申请人: 西京学院

    IPC分类号: H05H3/06 H05H6/00

    摘要: 一种靶距可调式中子管靶极结构,包括靶极绝缘体,靶极绝缘体外侧嵌接有法拉第筒的出口侧,靶极绝缘体内侧两端分别与螺杆的一端相连接,两根螺杆的另一端分别垂直穿过挡板两端与螺母相适配连接;靶极绝缘体与挡板之间连接有波纹伸缩管,挡板内侧连接有拉杆的固定端,拉杆的游离端穿过波纹伸缩管内腔与靶极相连接;通过调节螺母在螺杆上的位置,带动波纹伸缩管的伸缩,可使得挡板沿轴向往复运动,从而利用拉杆带动靶极,使得其和法拉第筒之间的距离可调,提高离子束打到靶极表面的范围,增加参与反应的离子数量,提高靶极的利用率,增加了中子产额;具有结构简单,操作简便,实用高效的优点。

    一种双向引出的潘宁离子源结构
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113097037A

    公开(公告)日:2021-07-09

    申请号:CN202110361044.7

    申请日:2021-04-02

    申请人: 西京学院

    IPC分类号: H01J27/04 H01J27/02

    摘要: 一种双向引出的潘宁离子源结构,包括阳极筒,阳极筒两端中间分别对称设置有阴极,阳极筒两端与阴极共同嵌于两侧陶瓷筒的内侧端,陶瓷筒的外侧端与磁环的内侧端相连接;通过给阳极筒加高电压,在磁场和电场共同作用下,同时从两端引出潘宁离子源,或者依次从两边分别引出潘宁离子源;从而极大地增加离子产额,提高其利用率;本发明具有结构简单,操作方便,实用高效的优点。

    一种便携式补偿中子测井仪三级刻度器

    公开(公告)号:CN108005645B

    公开(公告)日:2020-12-01

    申请号:CN201711251761.4

    申请日:2017-12-01

    申请人: 西京学院

    IPC分类号: E21B49/00

    摘要: 一种便携式补偿中子测井仪三级刻度器,包括不同内径的、分别刻度过的中心管,中心管外部设有装淡水的水囊,水囊的外部设有气囊;中心管的内管直径与要刻度的补偿中子测井仪外径对应,外管的外径相同,中心管为硬质塑料材料制作而成,由内外两个同心圆管构成,内外两层中的空间被间隔成4个工作扇区,两端均密封,其中两个相对的一对工作扇区是主刻度扇区,另外两个相对的工作扇区是辅助刻度扇区,主刻度扇区、辅助刻度扇区呈左右对称;中心管每个工作扇区和水囊内均带有浮球式排气装置;本发明放水、放气后体积很小,重量轻,方便携带;可在现场进行组装,然后加水、加气,具有体积小、重量轻、安装方便等优点。

    一种加速极可调式径向引出潘宁离子源中子管结构

    公开(公告)号:CN116033641A

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202310029380.0

    申请日:2023-01-09

    申请人: 西京学院

    IPC分类号: H05H3/06 H01J27/04

    摘要: 一种加速极可调式径向引出潘宁离子源中子管结构,包括套筒,套筒内部的一端配置有阳极筒,阳极筒的筒身外嵌接有绝缘子,阳极与绝缘子的侧边开设有径向引出孔,径向引出孔的外侧与绝缘子同轴设有加速筒,加速筒尾端配置有铜靶;使用时,调节螺母,伸长或压缩波纹伸缩管,调整加速筒与放电腔之间的距离,随后外部电路向阳极筒加电压,在电、磁场的共同作用下,使气体电离,产生离子,通过径向引出孔将离子引出,此时加速筒施加正高压,将离子加速引出,打在铜靶上产生中子;本发明通过设置径向引出孔并在加速筒周围配置波纹伸缩管,使离子更容易引出,改善了加速性能,控制了离子束打在铜靶上的面积,提高了铜靶利用率,提升了中子产额。

    一种中子管靶流离子成分比例的检测方法

    公开(公告)号:CN111965690A

    公开(公告)日:2020-11-20

    申请号:CN202010767524.9

    申请日:2020-08-03

    IPC分类号: G01T1/29

    摘要: 本发明涉及中子管及可控中子源领域,具体涉及一种中子管靶流离子成分比例的检测方法,以解决现有技术中存在的检测束流中离子成分比例的方法会提高中子管生产企业的价格成本和技术成本,还可能造成氚污染的问题。该方法先根据中子管最低加速电压U0计算不同加速电压下的Hi参数,再利用D-T中子管测量中子产额,然后利用核反应截面与中子产额之间的关系建立中子产额方程,根据中子产额方程解得靶流中D+和D2+离子所占比例。本发明方法无需使用质谱仪,检测过程简单高效。

    一种双向引出潘宁离子源的中子管结构

    公开(公告)号:CN113097036B

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202110360414.5

    申请日:2021-04-02

    申请人: 西京学院

    IPC分类号: H01J27/04 H01J27/02

    摘要: 一种双向引出潘宁离子源的中子管结构,包括外壳及封装于外壳中的阳极筒,所述阳极筒两侧分别设置有阴极且与阴极共同嵌于陶瓷筒的一侧,陶瓷筒的另一侧与磁环的一侧相连接,磁环的另一侧设有法拉第筒的进口侧,法拉第筒的出口侧连接有靶极绝缘体内侧,靶极绝缘体内侧且法拉第筒内嵌接有靶极,靶极绝缘体外侧贴合外壳内壁;通过外部给阳极筒加高电压,在磁场和电场共同作用下,从阴极发出的电子与阳极筒内部的气体发生电离,产生的离子分别两侧的孔被引出,被引出的离子通过两侧的法拉第筒加速后轰击靶,从而反应生成中子;本发明提高中子产额,增加中子管的使用寿命,提高中子管的利用率,具有结构简单、操作方便及高效实用的优点。

    一种双向引出磁性阳极筒潘宁离子源的中子管结构

    公开(公告)号:CN114007322A

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN202111288594.7

    申请日:2021-11-02

    申请人: 西京学院

    IPC分类号: H05H3/06 H01J27/04

    摘要: 一种双向引出磁性阳极筒潘宁离子源的中子管结构,包括陶瓷筒,陶瓷筒内部正中设有磁性阳极筒,磁性阳极筒两端正中通过陶瓷环固定有阴极,两端的阴极分别通过离子引出结构向外引出潘宁离子源;通过外部给磁性阳极筒加高电压,在磁场和电场共同作用下,从阴极发出的电子与磁性阳极筒内部的气体发生电离,产生的离子分别两侧的引出口被引出,被引出的离子通过两侧的法拉第筒加速后轰击靶,从而反应生成中子;本发明简化了潘宁离子源结构,提升了潘宁离子源产额,得到更为紧凑高效的微型离子源,具有结构简单、操作方便及高效实用的优点。

    一种双向引出潘宁离子源的中子管结构

    公开(公告)号:CN113097036A

    公开(公告)日:2021-07-09

    申请号:CN202110360414.5

    申请日:2021-04-02

    申请人: 西京学院

    IPC分类号: H01J27/04 H01J27/02

    摘要: 一种双向引出潘宁离子源的中子管结构,包括外壳及封装于外壳中的阳极筒,所述阳极筒两侧分别设置有阴极且与阴极共同嵌于陶瓷筒的一侧,陶瓷筒的另一侧与磁环的一侧相连接,磁环的另一侧设有法拉第筒的进口侧,法拉第筒的出口侧连接有靶极绝缘体内侧,靶极绝缘体内侧且法拉第筒内嵌接有靶极,靶极绝缘体外侧贴合外壳内壁;通过外部给阳极筒加高电压,在磁场和电场共同作用下,从阴极发出的电子与阳极筒内部的气体发生电离,产生的离子分别两侧的孔被引出,被引出的离子通过两侧的法拉第筒加速后轰击靶,从而反应生成中子;本发明提高中子产额,增加中子管的使用寿命,提高中子管的利用率,具有结构简单、操作方便及高效实用的优点。

    一种中子管靶流离子成分比例的检测方法

    公开(公告)号:CN111965690B

    公开(公告)日:2023-03-24

    申请号:CN202010767524.9

    申请日:2020-08-03

    IPC分类号: G01T1/29

    摘要: 本发明涉及中子管及可控中子源领域,具体涉及一种中子管靶流离子成分比例的检测方法,以解决现有技术中存在的检测束流中离子成分比例的方法会提高中子管生产企业的价格成本和技术成本,还可能造成氚污染的问题。该方法先根据中子管最低加速电压U0计算不同加速电压下的Hi参数,再利用D‑T中子管测量中子产额,然后利用核反应截面与中子产额之间的关系建立中子产额方程,根据中子产额方程解得靶流中D+和D2+离子所占比例。本发明方法无需使用质谱仪,检测过程简单高效。