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公开(公告)号：CN117209928A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311017720.4
申请日：2023-08-14
申请人： 西北大学
IPC分类号： C08L27/16 , H02N11/00 , H02N1/04 , C08L79/02 , C08K3/24 , C08J5/18 , B01J31/06 , B01J23/52 , B01J35/00 , B01J35/02
摘要： 本发明提供了一种PANI/BCZT/PVDF柔性复合膜及其应用，该复合膜由聚苯胺、锆钛酸钡钙和聚偏氟乙烯制得，该复合膜能够用于制备纳米发电机和压电催化剂。将该复合膜用于制备的纳米发电机时，其输出电压能够达到70V，短路电流能够达到17μA，面功率密度能够达到0.71 W/m2；将该复合膜用于制备压电催化剂时，其催化效率能够达到96%，反应常数为0.02309 min‑1。该复合膜不仅具有良好的柔韧性，同时还兼具优良的压电催化降解能力和很高的发电效率，是一种理想的柔性压电材料。
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公开(公告)号：CN117165010A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310997218.8
申请日：2023-08-09
申请人： 西北大学
摘要： 本发明提供了一种Y‑SrTiO3@Mn‑SrTiO3@ZrO2||TiO2@PDA/PVDF复合膜、制备方法及其应用。该复合膜由Y‑SrTiO3@Mn‑SrTiO3@ZrO2@PDA粉体、TiO2@PDA纳米粒子和聚偏二氟乙烯制成；Y‑SrTiO3@Mn‑SrTiO3@ZrO2@PDA粉体由从外到内依次包覆的聚多巴胺、氧化锆、锰掺杂的钛酸锶和钇掺杂的钛酸锶组成；TiO2@PDA纳米粒子为包覆有聚多巴胺的二氧化钛。本发明的Y‑SrTiO3@Mn‑SrTiO3@ZrO2||TiO2@PDA/PVDF复合膜，在1 kHz下的介电常数能够达到10.520，介电损耗低至0.059，击穿场强能够达到908 kV/cm，最高储能密度能够达到5.653 J/cm3，此外，由于该复合膜中含有聚偏二氟乙烯，因此具有良好的柔韧性和可加工性，因此该复合膜是一种兼具高介电常数、高储能密度、高击穿强度和高柔韧性的材料，在柔性储能电介质领域有具有极大的应用价值。
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公开(公告)号：CN113012772B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202110240258.9
申请日：2021-03-04
申请人： 西北大学
摘要： 本发明公开了一种掺杂改进ZnO阻变性能的测试方法，本方法包括如下步骤：1)建立本征的，Ga、Al、Cu、Ag、Mn、Ni掺杂的，Ga、Al、Cu、Ag、Mn、Ni掺杂并加最近邻氧空位的ZnO体相超晶胞结构模型；2)对建立好的各ZnO体相超晶胞结构模型进行几何优化并计算其能量、能带及态密度；3)根据计算出的各结构模型的能带图和态密度图以及氧空位形成能，得出不同种类掺杂对ZnO阻变性能的影响。本发明实施例提供体相超晶胞结构ZnO的阻变性能的掺杂改进测试方法，为ZnO阻变性能改进的掺杂元素做了定性的分析。
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公开(公告)号：CN116259367A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310165918.0
申请日：2023-02-24
申请人： 西北大学
IPC分类号： G16C10/00 , G16C20/10 , G06F30/20 , G06F119/14
摘要： 本发明提供了一种过渡金属原子与C空位共掺杂的3C‑SiC复合模型及改性方法，该方法主要包括以下内容：构建3C‑SiC超胞；对3C‑SiC超胞进行几何优化，得到原子总内能最低的3C‑SiC超胞；进行过渡金属原子掺杂，得到过渡金属原子掺杂的3C‑SiC超胞；得到优化后的过渡金属原子掺杂的3C‑SiC超胞；去掉优化后的过渡金属原子掺杂的3C‑SiC超胞中与过渡金属原子最近邻的任一C原子形成C空位，得到C空位与过渡金属原子共掺杂的3C‑SiC复合模型，然后对得到的C空位与过渡金属原子共掺杂的3C‑SiC复合模型进行几何优化，得到优化后的C空位与过渡金属原子共掺杂的3C‑SiC复合模型；相比于传统的3C‑SiC基稀磁半导体，掺有空位的3C‑SiC基稀磁半导体的磁矩明显提高，周围原子的自旋极化加强，能够用于自旋电子器件。
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公开(公告)号：CN116166078A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310158794.3
申请日：2023-02-23
申请人： 西北大学
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种用于CAN总线收发器的低温漂高精度基准电压源，包括带隙基准产生电路和VDD/2基准产生电路，带隙基准产生电路用于产生1.2V输出电压，VDD/2基准产生电路用于输出基准电压；带隙基准产生电路包括：核心基准产生电路，用于产生稳定的直流电压，启动电路，用于保证核心基准产生电路在零电流的情况下上电，保证在核心基准产生电路正常工作情况下启动电路不工作，高阶曲率补偿电路，用于对核心基准产生电路输出的稳定的直流电压的温漂进行高阶补偿，电阻修调电路，用于对核心基准产生电路输出的直流电压的基准电压进行修调。本发明能够产生收发器内部所需的所有基准，使基准电压具有低温飘系数以及高PSRR的特点，同时消耗更低的静态功耗。
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公开(公告)号：CN107523988B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201710602198.4
申请日：2017-07-21
申请人： 西北大学
IPC分类号： D06M11/48 , D06M101/40
摘要： 本发明公开了一种W18O49包覆碳纤维复合材料及其制备方法，包括以碳纤维为反应源，采用溶剂热法生长W18O49包覆碳纤维复合材料，通过溶剂热法在碳纤维上包覆生长单斜相的W18O49纳米材料，溶剂热制备过程中无需任何模板和催化剂，工艺简单，产率高，且成本低廉，适合批量生产；在碳布上直接生长W18O49纳米材料，所制备的纳米复合材料形态均一、包覆紧密，可以作为光催化、电催化、太阳能电池、柔性传感器，场发射和锂离子电池负极材料。
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公开(公告)号：CN108358244A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810226747.7
申请日：2018-03-19
申请人： 西北大学
CPC分类号： C01G39/06 , B01J27/051 , B01J35/004 , B01J35/08 , B01J35/1004 , B82Y30/00 , C01G9/08 , C01P2002/72 , C01P2004/03
摘要： 本发明公开了一种二硫化钼/硫化锌复合材料及其制备方法，其特征在于所述硫化锌生长在二硫化钼微球上，使用两步水热法合成复合材料，制备方法具体包括：用乙酸锌和硫脲为原料，配置成混合溶液然后转入水热反应釜中，一定条件下得到反应产物，然后用去离子水和乙醇多次清洗并用离心机分离得到硫化锌产物。然后将得到的硫化锌分散到四水合钼酸铵和硫脲的混合溶液中，并加入阳离子表面活性剂，经过水热反应得到二硫化钼/硫化锌复合材料。本发明首次制备出硫化锌颗粒生长在二硫化钼微球上的形貌，并通过添加表面活性剂使产物比表面积增大，产物生长均匀，此方法工艺简单，产率高，且成本低廉，适合批量生产，本发明对光催化领域提供了重要的作用。
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公开(公告)号：CN107604635A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710602202.7
申请日：2017-07-21
申请人： 西北大学
IPC分类号： D06M10/06 , D06M11/48 , D06M101/40
摘要： 本发明公开了一种W18O49包覆碳纤维复合材料及其制备方法，包括在碳纤维表面采用微波辅助溶剂热法生长W18O49纳米材料，微波辅助溶剂热制备过程中无需任何模板和催化剂，工艺简单，产率高，且成本低廉，适合批量生产；在碳布上直接生长W18O49纳米材料，所制备的纳米复合材料形态均一、包覆紧密，可以作为光催化、电催化、太阳能电池、柔性传感器，场发射和锂离子电池负极材料。
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公开(公告)号：CN106830057B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710025400.1
申请日：2017-01-13
申请人： 西北大学
IPC分类号： C01G19/02 , H01M4/48 , H01M10/0525
摘要： 本发明公开了一种碗状结构的氧化亚锡材料，氧化亚锡单体呈圆形空腔结构；氧化亚锡单体的直径为0.9～2.4μm，所述的单体中的圆形空腔的直径为0.5～1.1μm；将加有无水氯化亚锡与油胺混合，加热并搅拌，在150～180℃下将溶于甲苯的双三甲基硅基氨基锂加入混合物中，保温5～60min，然后降至室温，离心，洗涤，得到碗状结构的氧化亚锡材料。本发明制备的碗状结构氧化亚锡材料，均一性好，可用作锂离子电池负极材料；本发明制备的碗状结构氧化亚锡的空腔结构很好的缓冲了在Li‑Sn合金和脱合金反应过程中的体积变化，并且保持结构稳定，有效提高锂离子电池的循环性能。
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