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公开(公告)号：CN101963698B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201010500828.5
申请日：2010-09-30
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种微机械空间光调制器，属于微光机电系统技术及光通信技术领域。该光调制器包括一个周期可调光栅和一个微扭转镜，所述的周期可调光栅从上到下依次包括光栅器件层6和光栅绝缘层5；所述的微扭转镜从上到下依次包括微扭转镜器件层3、微扭转镜绝缘层2和微扭转镜基底层1；周期可调光栅与微扭转镜通过光栅绝缘层5和微扭转镜器件层3键合为一体；本发明的有益效果是：将微扭转镜和周期可调光栅集成于一体，可以同时实现光开关和光衰减器的作用；利用微扭转镜的扭转来实现对多个光通道的选择，从而减少了光路切换的元件数量，提高了光路稳定性和响应速度；在实现光衰减作用时，可以精确地控制光衰减量。
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公开(公告)号：CN101907769B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201010217116.2
申请日：2010-07-01
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI晶圆双掩膜刻蚀的垂直梳齿驱动微扭转镜及其制作方法，属于微机电系统领域及微细加工领域。该微扭转镜为单边梳齿驱动，具有三层相同结构的可动部分和固定部分。通过给不同的梳齿对施加电压信号，微扭转镜可工作在静态方式或动态方式。该垂直梳齿驱动微扭转镜的制作方法，特征在于采用单片SOI硅片加工，不需要多层薄膜的淀积或键合工艺；整个工艺过程只需要两张掩膜板；上下垂直梳齿利用一张掩膜刻蚀完成，不存在梳齿的对准偏差问题；工艺过程中不需要HF腐蚀，可以有效避免液体环境导致的梳齿间粘附。该制作方法具有精度高、成本低、应力小、成品率高、工艺简单、可重复性好、易批量生产等优点。
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公开(公告)号：CN101493578B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200910021322.3
申请日：2009-02-27
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种周期可调微机械光栅及其制作工艺，属于微光机电(MOEMS)器件领域。该光栅的特征在于，其基底为玻璃、蓝宝石等绝缘透明材料。其制作工艺为：在基底表面淀积一层金属薄膜；在结构材料的一侧刻蚀出一定高度的锚点；两者通过锚点键合在一起，并将结构材料减薄至所需厚度；对结构材料进行刻蚀、释放形成结构层部分，形成光栅。因为该光栅的基底是完全透光的，当入射光入射到光栅上时，一部分反射产生反射式衍射光谱；另一部分通过光栅栅条之间的缝隙到达基底的前表面产生投射，因此能同时工作在反射及透射方式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101963698A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010500828.5
申请日：2010-09-30
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种微机械空间光调制器，属于微光机电系统技术及光通信技术领域。该光调制器包括一个周期可调光栅和一个微扭转镜，所述的周期可调光栅从上到下依次包括光栅器件层6和光栅绝缘层5；所述的微扭转镜从上到下依次包括微扭转镜器件层3、微扭转镜绝缘层2和微扭转镜基底层1；周期可调光栅与微扭转镜通过光栅绝缘层5和微扭转镜器件层3键合为一体；本发明的有益效果是：将微扭转镜和周期可调光栅集成于一体，可以同时实现光开关和光衰减器的作用；利用微扭转镜的扭转来实现对多个光通道的选择，从而减少了光路切换的元件数量，提高了光路稳定性和响应速度；在实现光衰减作用时，可以精确地控制光衰减量。
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公开(公告)号：CN101907769A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010217116.2
申请日：2010-07-01
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI晶圆双掩膜刻蚀的垂直梳齿驱动微扭转镜及其制作方法，属于微机电系统领域及微细加工领域。该微扭转镜为单边梳齿驱动，具有三层相同结构的可动部分和固定部分。通过给不同的梳齿对施加电压信号，微扭转镜可工作在静态方式或动态方式。该垂直梳齿驱动微扭转镜的制作方法，特征在于采用单片SOI硅片加工，不需要多层薄膜的淀积或键合工艺；整个工艺过程只需要两张掩膜板；上下垂直梳齿利用一张掩膜刻蚀完成，不存在梳齿的对准偏差问题；工艺过程中不需要HF腐蚀，可以有效避免液体环境导致的梳齿间粘附。该制作方法具有精度高、成本低、应力小、成品率高、工艺简单、可重复性好、易批量生产等优点。
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公开(公告)号：CN101734613B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200910219285.7
申请日：2009-12-03
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI晶圆的MEMS结构制作及划片方法，属于微机电系统微细加工和晶圆划片领域。该方法的关键在于利用ICP刻蚀的高深宽比效应，采用一张MEMS结构掩膜版与一张与其对应的掩膜版，对SOI晶圆的正反两面进行常规的MEMS加工工艺，包括涂胶、光刻、刻蚀、释放等，实现MEMS结构制作与晶圆划片同步完成。本发明的优点：(1)无机械振动，无应力损伤，无发热，无切屑产生，无污染，成品率高；(2)不需要昂贵的划片设备，在现有MEMS工艺设备基础上即可完成，成本低；(3)MEMS结构的制作过程与划片过程同步完成，效率高。(4)无需添加临时性或永久性保护层，不影响器件与外界信息的交互，释放是与划片同时完成的，中间工艺不致对MEMS可动结构造成破坏。
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公开(公告)号：CN101734613A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910219285.7
申请日：2009-12-03
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI晶圆的MEMS结构制作及划片方法，属于微机电系统微细加工和晶圆划片领域。该方法的关键在于利用ICP刻蚀的高深宽比效应，采用一张MEMS结构掩膜版与一张与其对应的掩膜版，对SOI晶圆的正反两面进行常规的MEMS加工工艺，包括涂胶、光刻、刻蚀、释放等，实现MEMS结构制作与晶圆划片同步完成。本发明的优点：(1)无机械振动，无应力损伤，无发热，无切屑产生，无污染，成品率高；(2)不需要昂贵的划片设备，在现有MEMS工艺设备基础上即可完成，成本低；(3)MEMS结构的制作过程与划片过程同步完成，效率高。(4)无需添加临时性或永久性保护层，不影响器件与外界信息的交互，释放是与划片同时完成的，中间工艺不致对MEMS可动结构造成破坏。
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公开(公告)号：CN101493578A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910021322.3
申请日：2009-02-27
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种周期可调微机械光栅及其制作工艺，属于微光机电(MOEMS)器件领域。该光栅的特征在于，其基底为玻璃、蓝宝石等绝缘透明材料。其制作工艺为：在基底表面淀积一层金属薄膜；在结构材料的一侧刻蚀出一定高度的锚点；两者通过锚点键合在一起，并将结构材料减薄至所需厚度；对结构材料进行刻蚀、释放形成结构层部分，形成光栅。因为该光栅的基底是完全透光的，当入射光入射到光栅上时，一部分反射产生反射式衍射光谱；另一部分通过光栅栅条之间的缝隙到达基底的前表面产生投射，因此能同时工作在反射及透射方式。
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