-
公开(公告)号:CN112525940B
公开(公告)日:2023-07-04
申请号:CN202011304219.2
申请日:2020-11-19
申请人: 西北工业大学
IPC分类号: G01N23/2251 , G01N23/20091 , G01N23/2206 , G01N23/20008 , G01N23/2202 , G01N1/28 , G01N1/32 , G01N1/34 , C30B33/10
摘要: 本发明涉及一种全无机卤化物钙钛矿CsPbBr3晶片表面二次相颗粒显现方法,选用MgO和无水乙醇作为抛光液,多次抛光后获得光滑、平整、无划痕的表面。将抛光后的晶片在体积分数为5‑20%的氢溴酸乙醇溶液中腐蚀后用无水乙醇除去表面残留腐蚀液,最后用高纯氮气吹干。最后,使用SEM和EDS实现对二次相颗粒形貌、尺寸、分布和组分特征等参数的精确表征。本发明用氢溴酸乙醇溶液对晶片表面进行腐蚀,晶体中镶嵌分布的二次相颗粒轮廓完整显现,实现对二次相颗粒形貌、尺寸、分布和组分参数的直接观察和精确表征,以及研究二次相颗粒对晶体性能的影响。该方法可以应用于CsPbBr3晶片抛光和二次相颗粒研究领域。
-
公开(公告)号:CN112304895A
公开(公告)日:2021-02-02
申请号:CN202011304234.7
申请日:2020-11-19
申请人: 西北工业大学
IPC分类号: G01N21/3586 , G01N21/3563 , G01N21/41 , G01R27/26
摘要: 本发明涉及一种半导体材料复介电函数确定方法,首先根据参考信号(空气)和待测半导体的THz‑TDS确定待测半导体的近似复折射率,并进一步评估待测半导体对太赫兹(THz)吸收的强弱。当吸收较弱时,待测半导体的近似复折射率即为理论复折射率;当吸收较强时,通过建立理论复传输函数和实验复传输函数的误差函数,并利用MATLAB中的全局优化函数GlobalSearch进行优化计算,确定使误差函数值最小的理论复折射率。最后,通过复折射率与复介电函数之间的转换关系确定待测半导体的复介电函数。该方法操作流程清晰,分析结果准确可靠,适用于确定各种在THz波段有透过性能的半导体材料的复介电函数。
-
公开(公告)号:CN112525940A
公开(公告)日:2021-03-19
申请号:CN202011304219.2
申请日:2020-11-19
申请人: 西北工业大学
IPC分类号: G01N23/2251 , G01N23/20091 , G01N23/2206 , G01N23/20008 , G01N23/2202 , G01N1/28 , G01N1/32 , G01N1/34 , C30B33/10
摘要: 本发明涉及一种全无机卤化物钙钛矿CsPbBr3晶片表面二次相颗粒显现方法,选用MgO和无水乙醇作为抛光液,多次抛光后获得光滑、平整、无划痕的表面。将抛光后的晶片在体积分数为5‑20%的氢溴酸乙醇溶液中腐蚀后用无水乙醇除去表面残留腐蚀液,最后用高纯氮气吹干。最后,使用SEM和EDS实现对二次相颗粒形貌、尺寸、分布和组分特征等参数的精确表征。本发明用氢溴酸乙醇溶液对晶片表面进行腐蚀,晶体中镶嵌分布的二次相颗粒轮廓完整显现,实现对二次相颗粒形貌、尺寸、分布和组分参数的直接观察和精确表征,以及研究二次相颗粒对晶体性能的影响。该方法可以应用于CsPbBr3晶片抛光和二次相颗粒研究领域。
-
-