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公开(公告)号：CN117026380A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310844881.4
申请日：2023-07-11
Abstract: 本发明公开了一种6LiInSe2单晶体及其制备方法和应用，涉及单晶体材料技术领域。该方法包括将6Li、In和Se三种元素单质，进行阶梯升温处理，获取多晶原料；将多晶原料置于晶体生长炉中，晶体生长结束，即得到黄色的6LiInSe2单晶体。本发明以减少高温下Se与Li的损失，选择合适的坩埚材料从而得到适合用作中子探测的高质量6LiInSe2晶体，该方案可以稳定获得将三种成分的偏离量控制在5％以内的6LiInSe2单晶体。
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