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公开(公告)号：CN118431302A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410538840.7
申请日：2024-04-30
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L23/60
摘要： 本发明涉及一种阳极静电屏蔽凹槽结构抑制回流二极管，属于真空电子技术领域，延缓零场区产生的离子或者带电粉尘运动至阴极引杆的技术问题，其包括阴极、阳极、凹槽结构。凹槽结构设置在阳极回流轰击区域，包括A部分和B部分，均为金属材料，除半径最大处外，其它角部位置均倒角处理。A部分和B部分与阴极指向阳极的磁力线不相交，包围阴极发射的电子轰击点，阴极回流不能直接轰击A部分或B部分。A部分和B部分相邻侧直线距离为1mm～3mm，A部分的最小半径小于B部分的最小半径，阴极包括阴极引杆。该抑制回流二极管用于降低回流轰击点表面静电场强。
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公开(公告)号：CN114005716B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202111257598.9
申请日：2021-10-27
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明涉及一种带双输出口的径向三腔渡越时间振荡器及微波产生方法，以解决现有的径向三腔渡越时间振荡器存在的各个金属圆筒壁厚相等，及单提取间隙和单输出口结构导致的微波发生器件输出功率和束波转换效率较低的技术问题。该振荡器包括设置在中心轴的聚焦阴极和由良导体材料围成的渡越腔，聚焦阴极用于沿径向向渡越腔发射相对论电子束；沿相对论电子束传输方向依次设置阳极箔、第一渡越腔、第二渡越腔、第三渡越腔；沿轴向上，第三渡越腔一侧依次设置第一提取间隙、第一输出波导、第一输出口，另一侧依次设置第二提取间隙、第二输出波导、第二输出口。还提供了一种基于带双输出口的径向三腔渡越时间振荡器的微波产生方法。
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公开(公告)号：CN118156104A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410228969.8
申请日：2024-02-29
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明公开了一种带漂移段渡越腔的相对论返波管及其抑制模式竞争方法，解决了现有的相对论返波管难以实现抑制模式竞争的问题。具体包括用于产生相对论电子束的环形阴极和依次同轴设置在所述环形阴极后侧的双预调制腔、漂移管、双段非均匀慢波结构、输出波导，以及设置在环形阴极、双预调制腔、漂移管、漂移渡越腔、双段非均匀慢波结构、输出波导外围的磁场线圈；所述环形阴极内同轴设置有阴极反射环；所述漂移管上设有漂移渡越腔；所述漂移渡越腔的直径大于漂移管的直径，用于使通过漂移管的角向非对称模式微波产生相移，以破坏与电子束角向匹配的场分布，从而降低角向非对称模式的耦合阻抗；所述双段非均匀慢波结构为过模结构。
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公开(公告)号：CN114005716A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111257598.9
申请日：2021-10-27
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明涉及一种带双输出口的径向三腔渡越时间振荡器及微波产生方法，以解决现有的径向三腔渡越时间振荡器存在的各个金属圆筒壁厚相等，及单提取间隙和单输出口结构导致的微波发生器件输出功率和束波转换效率较低的技术问题。该振荡器包括设置在中心轴的聚焦阴极和由良导体材料围成的渡越腔，聚焦阴极用于沿径向向渡越腔发射相对论电子束；沿相对论电子束传输方向依次设置阳极箔、第一渡越腔、第二渡越腔、第三渡越腔；沿轴向上，第三渡越腔一侧依次设置第一提取间隙、第一输出波导、第一输出口，另一侧依次设置第二提取间隙、第二输出波导、第二输出口。还提供了一种基于带双输出口的径向三腔渡越时间振荡器的微波产生方法。
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公开(公告)号：CN118737778A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410716317.9
申请日：2024-06-04
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明涉及一种椭圆倒角变径阴极引杆结构抑制回流二极管及抑制二极管回流方法，属于真空电子技术领域，能够有效降低阴极引杆表面场强，抑制场致电子发射以及延缓零场区产生的离子运动至阴极引杆。其抑制回流二极管包括阴极、阴极引杆、阳极。阴极引杆为变径结构，不变径部分D位于两端，变径部分E位于中部，变径部分E通体半径相同，倒角部分F采用椭圆倒角结构。不变径部分D半径与阴极半径相同，变径部分E半径小于阴极半径。其抑制二极管回流方法包括：将阴极引杆位置半径缩小，实现阴极引杆表面电场最优；将半径缩小位置两侧均光滑过渡回原有尺寸，使得可能被阳极离子轰击的阴极引杆位置表面静电场进一步降低。
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公开(公告)号：CN115148564B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202210741480.1
申请日：2022-06-27
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明涉及一种无箔二极管中抑制电子发射的阴极结构及高功率微波系统，以解决目前阴极底座在回流电子束轰击下，会发射电子轰击到阳极组件，导致阻抗崩溃的技术问题。该阴极结构包括阴极底座和阴极引杆；阴极底座的外侧面由母线绕中轴线周向旋转一圈形成；母线包括依次连接的第一圆弧段、第一直线段、第二直线段、第三直线段、第四直线段、第二圆弧段、第三圆弧段、第五直线段及第六直线段；第一直线段、第二直线段、第三直线段及第四直线段周向旋转形成的平面组成电子束收集环腔；第一圆弧段和第二圆弧段的半径分别为R1和R2，0.5R3≤R2≤0.7R3，R1＝R02‑R01。该高功率微波系统包括抑制电子发射的阴极结构。
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公开(公告)号：CN115148564A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210741480.1
申请日：2022-06-27
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明涉及一种无箔二极管中抑制电子发射的阴极结构及高功率微波系统，以解决目前阴极底座在回流电子束轰击下，会发射电子轰击到阳极组件，导致阻抗崩溃的技术问题。该阴极结构包括阴极底座和阴极引杆；阴极底座的外侧面由母线绕中轴线周向旋转一圈形成；母线包括依次连接的第一圆弧段、第一直线段、第二直线段、第三直线段、第四直线段、第二圆弧段、第三圆弧段、第五直线段及第六直线段；第一直线段、第二直线段、第三直线段及第四直线段周向旋转形成的平面组成电子束收集环腔；第一圆弧段和第二圆弧段的半径分别为R1和R2，0.5R3≤R2≤0.7R3，R1＝R02‑R01。该高功率微波系统包括抑制电子发射的阴极结构。
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