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公开(公告)号：CN109632456B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201811527792.2
申请日：2018-12-13
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明提出一种辐照腔中大型效应物内部场强全局增强的装置，提高了大型效应物内部大块区域的场强，达到了大型效应物内部测点场全局增强的效果。本发明在辐照腔工作空间上、下平板的间距减小可以增加工作空间的场强、以及电磁波在介质表面会发生反射和折射理论的基础上，研究辐照腔中大型效应物内部场强的全局增强方式时发现，采用在辐照腔工作下金属板上放置一定尺寸、形状及介质参数的介质块、效应物搁置在该介质块上、并给效应物加上介质套时，大型效应物内部的场出现了全局增强的现象，而且场强增强的效果在一定程度上要好于减小辐照腔工作空间上、下平行板的间距以及增加辐照腔激励源的电压峰值等常规手段。
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公开(公告)号：CN109364377B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201811137271.6
申请日：2018-09-27
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G01N1/44
摘要： 本发明提出一种实现辐照腔内非金属效应物内部场强聚焦的装置，能够高效提升辐照腔内效应物场强的局部聚焦。该装置包括辐照腔和放置于辐照腔内的效应物，辐照腔具有上、下金属极板；效应物周围的辐照腔内局部区域填充有均匀介质，所述均匀介质的相对介电常数介于空气与效应物的相对介电常数之间；所述上、下金属极板之一具有弯折形成的尖端，该尖端靠近所述均匀介质并对应于效应物的聚焦位置。本发明的场强聚焦方式能够兼顾介质相对介电常数缓慢过渡、金属尖端处电流局部增强从而使得辐照腔内效应物内部的场实现了聚焦的效果。
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公开(公告)号：CN105375905A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510833941.8
申请日：2015-11-25
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： H03K4/02
摘要： 本发明涉及一种高重复频率、高电压、亚纳秒前沿的脉冲产生装置及方法，脉冲产生装置包括多级阶梯状脉冲形成线，多级阶梯状脉冲形成线的输入端并联设置至少两只半绝缘砷化镓雪崩开关，各半绝缘砷化镓雪崩开关在时间上顺次导通；工作时，半绝缘砷化镓雪崩开关由光脉冲触发导通，每只开关以固定的重复频率工作。各并联的半绝缘砷化镓雪崩开关在时间上顺次导通。如果时间间隔为单只开关工作的时间周期除以开关联数量，本发明基于半绝缘砷化镓雪崩开关的脉冲产生装置及方法可实现高重复频率、高输出电压和亚纳秒脉冲前沿的脉冲输出。
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公开(公告)号：CN109632456A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811527792.2
申请日：2018-12-13
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明提出一种辐照腔中大型效应物内部场强全局增强的装置，提高了大型效应物内部大块区域的场强，达到了大型效应物内部测点场全局增强的效果。本发明在辐照腔工作空间上、下平板的间距减小可以增加工作空间的场强、以及电磁波在介质表面会发生反射和折射理论的基础上，研究辐照腔中大型效应物内部场强的全局增强方式时发现，采用在辐照腔工作下金属板上放置一定尺寸、形状及介质参数的介质块、效应物搁置在该介质块上、并给效应物加上介质套时，大型效应物内部的场出现了全局增强的现象，而且场强增强的效果在一定程度上要好于减小辐照腔工作空间上、下平行板的间距以及增加辐照腔激励源的电压峰值等常规手段。
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公开(公告)号：CN105375905B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201510833941.8
申请日：2015-11-25
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： H03K4/02
摘要： 本发明涉及一种高重复频率、高电压、亚纳秒前沿的脉冲产生装置及方法，脉冲产生装置包括多级阶梯状脉冲形成线，多级阶梯状脉冲形成线的输入端并联设置至少两只半绝缘砷化镓雪崩开关，各半绝缘砷化镓雪崩开关在时间上顺次导通；工作时，半绝缘砷化镓雪崩开关由光脉冲触发导通，每只开关以固定的重复频率工作。各并联的半绝缘砷化镓雪崩开关在时间上顺次导通。如果时间间隔为单只开关工作的时间周期除以开关联数量，本发明基于半绝缘砷化镓雪崩开关的脉冲产生装置及方法可实现高重复频率、高输出电压和亚纳秒脉冲前沿的脉冲输出。
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公开(公告)号：CN109701162B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201811527813.0
申请日：2018-12-13
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G01R29/08
摘要： 本发明提出一种辐照腔中效应物内部场强的局部聚焦装置及其构建方法，基于介质透镜的聚焦原理来研究辐照腔内效应物内部场强局部聚焦，采用在辐照腔上、下两个平行板的内侧分别放置一定尺寸及一定介质参数的两个介质透镜，靠近介质透镜的效应物内测点的场出现局部增强，并且场强聚焦点与透镜聚焦点并非同一坐标位置(两个位置相近)。本发明克服了实现频率为0～200MHz左右场强聚焦的单凸透镜尺寸过大的技术难题，提高了靠近介质透镜的效应物内部测点的场强，达到了效应物内部测点的局部聚焦效果。
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公开(公告)号：CN102739201B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201210219150.2
申请日：2012-06-29
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： H03K3/02
摘要： 本发明的一种基于SOS的百kHz超宽谱脉冲发生器，属于脉冲功率技术领域。所述脉冲发生器依次包括充电电源、初级低压快脉冲产生单元、磁饱和直线变压器、泵浦电容、SOS和负载六个部分。本发明各单模块最外周均布的若干组初级低压快脉冲产生单元，增大了初级电流输出能力。采用触发器控制MOSFET导通关断，产生重复频率百kHz以上几十ns至百ns脉冲。采用磁饱和直线变压器，即多个完全相同的单模块串联构成。一方面，可通过增加单模块的串联级数提高输出电压。另一方面，变压器磁芯饱和后，次级为一个同轴鼠笼式结构，减小了反向泵浦电感，缩短了反向电流泵浦时间，SOS快速截断电流，在负载上产生高压超宽谱脉冲。采用初级储能大电容向次级泵浦小电容失谐充电方式，一方面在泵浦电容上得到高电压；另一方面，在相同目标电压下，降低了单模块的串联级数，减小了反向泵浦电感，有利于产生百kHz超宽谱脉冲。
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公开(公告)号：CN109364377A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811137271.6
申请日：2018-09-27
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： A61N5/00
摘要： 本发明提出一种实现辐照腔内非金属效应物内部场强聚焦的装置，能够高效提升辐照腔内效应物场强的局部聚焦。该装置包括辐照腔和放置于辐照腔内的效应物，辐照腔具有上、下金属极板；效应物周围的辐照腔内局部区域填充有均匀介质，所述均匀介质的相对介电常数介于空气与效应物的相对介电常数之间；所述上、下金属极板之一具有弯折形成的尖端，该尖端靠近所述均匀介质并对应于效应物的聚焦位置。本发明的场强聚焦方式能够兼顾介质相对介电常数缓慢过渡、金属尖端处电流局部增强从而使得辐照腔内效应物内部的场实现了聚焦的效果。
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公开(公告)号：CN103715937A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310676093.5
申请日：2013-12-12
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： H02M9/04
摘要： 本发明涉及两个倍压电路串联输出的磁脉冲压缩单元及磁脉冲压缩源，其特征在于：磁饱和脉冲变压器ST1和电容C1、C2构成一个次级倍压电路，磁饱和脉冲变压器ST2和电容C3、C4构成另一个次级倍压电路；次级倍压电路的两个次级电容C1和C2，C3和C4串联后形成两倍充电电压输出，两个倍压电路串联后四个串联电容C1、C2、C3和C4形成接近四倍电压输出。一种磁脉冲压缩源，输入单元是磁饱和脉冲变压器ST1和ST2的初级回路；磁脉冲压缩单元为两个包含磁饱和脉冲变压器的次级倍压电路的串联输出回路；输出单元是基于半导体断路开关（SOS）的脉冲产生回路。优点在于：效率不受影响，克服了现有技术通过增加脉冲压缩级数提高输出电压导致的系统效率下降问题。
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公开(公告)号：CN102739201A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210219150.2
申请日：2012-06-29
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： H03K3/02
摘要： 本发明的一种基于SOS的百kHz超宽谱脉冲发生器，属于脉冲功率技术领域。所述脉冲发生器依次包括充电电源、初级低压快脉冲产生单元、磁饱和直线变压器、泵浦电容、SOS和负载六个部分。本发明各单模块最外周均布的若干组初级低压快脉冲产生单元，增大了初级电流输出能力。采用触发器控制MOSFET导通关断，产生重复频率百kHz以上几十ns至百ns脉冲。采用磁饱和直线变压器，即多个完全相同的单模块串联构成。一方面，可通过增加单模块的串联级数提高输出电压。另一方面，变压器磁芯饱和后，次级为一个同轴鼠笼式结构，减小了反向泵浦电感，缩短了反向电流泵浦时间，SOS快速截断电流，在负载上产生高压超宽谱脉冲。采用初级储能大电容向次级泵浦小电容失谐充电方式，一方面在泵浦电容上得到高电压；另一方面，在相同目标电压下，降低了单模块的串联级数，减小了反向泵浦电感，有利于产生百kHz超宽谱脉冲。
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