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公开(公告)号：CN110142404B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN201910409730.X
申请日：2019-05-16
申请人： 西南交通大学
摘要： 本发明公开了一种纳米铜棒的制备方法，包括，将前驱体放置于具有转角挤压通道的模具中，然后采用冲击装置推动材料推动部件从而使材料推动部件将位于所述转角挤压通道的初始位的所述前驱体以一定应变率到达所述转角挤压通道的结束位，即获得所述纳米铜棒；所述前驱体包括晶粒尺寸大于所述纳米铜棒的晶粒尺寸的铜坯；所述冲击装置是一种利用被膨胀中气体驱动并在膛内加速而在炮口获得所需速度的弹丸来撞击材料推动部件的气炮。弹丸的速度快，冲击能量高，能够使前驱体以高应变率到达所述结束位，从而使前驱体发生较大的晶粒尺寸减小的塑性变形。所得纳米铜棒通过简单的加工即可作为器件使用，显著降低纳米铜器件制作周期和成本。
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公开(公告)号：CN109988980B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201910241223.X
申请日：2019-03-28
申请人： 西南交通大学
摘要： 本发明公开了一种材料的塑性变形方法，以解决改善材料微观结构的技术问题。该方法包括使待操作的材料被推动从模具转角挤压通道的初始位以≥103·s‑1或104·s‑1或105·s‑1或106·s‑1的应变率到达所述转角挤压通道的结束位而转变形成已操作的材料的过程。当使材料以103·s‑1以上的应变率通过该转角挤压通道时，将有助于在材料中形成形变孪晶，甚至可在一定条件下形成巨型形变孪晶，从而提高材料性能。
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公开(公告)号：CN110487831A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910692609.2
申请日：2019-07-30
申请人： 西南交通大学
IPC分类号： G01N23/2251 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了散斑的制备方法及制备纳米金颗粒涂层散斑的方法和设备。该散斑的制备方法包括以下步骤：(1)在样品表面附着活性金属膜，得到散斑前驱体；(2)在蒸气气氛下对散斑前驱体进行加热，使活性金属膜转化为纳米颗粒涂层，所述蒸气相对于所述活性金属呈惰性，所述样品在加热过程中不发生变化；(3)停止加热即在样品表面制备得到散斑。本发明中，整个散斑的制备过程为物理过程，不会对样品产生损坏或使样品性质发生变化，提升EBSD和DIC结果的实用性。同时，散斑由活性金属膜原位生成，而活性金属膜的厚度和位置易于控制，因此散斑的精度高且易获取和控制，有助于提升表征结果的准确性。
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公开(公告)号：CN112014181B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010861114.0
申请日：2020-08-25
申请人： 西南交通大学
IPC分类号： G01N1/28
摘要： 本发明公开了散斑以及散斑的制备方法，以解决现有技术中制作工艺复杂、散斑的分布难以控制、影响待测样品表面性质以及难以达到微米尺度的技术问题。所述散斑设于待测样品表面，所述散斑包括附着于所述待测样品表面的涂层以及贯穿所述涂层的通孔。由此，通孔作为散斑的斑点，由去除其占据的涂层得到，因此可以避免对待测样品表面造成损害。散斑的制备方法包括以下步骤：(1)获取待测样品，然后在待测样品表面附着涂层；(2)去除部分涂层并形成贯穿涂层的通孔，即得到散斑。由此，制作工艺非常简单，且散斑的分布易控制，不影响待测样品的表面性质。
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公开(公告)号：CN110487831B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201910692609.2
申请日：2019-07-30
申请人： 西南交通大学
IPC分类号： G01N23/2251 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了散斑的制备方法及制备纳米金颗粒涂层散斑的方法和设备。该散斑的制备方法包括以下步骤：(1)在样品表面附着活性金属膜，得到散斑前驱体；(2)在蒸气气氛下对散斑前驱体进行加热，使活性金属膜转化为纳米颗粒涂层，所述蒸气相对于所述活性金属呈惰性，所述样品在加热过程中不发生变化；(3)停止加热即在样品表面制备得到散斑。本发明中，整个散斑的制备过程为物理过程，不会对样品产生损坏或使样品性质发生变化，提升EBSD和DIC结果的实用性。同时，散斑由活性金属膜原位生成，而活性金属膜的厚度和位置易于控制，因此散斑的精度高且易获取和控制，有助于提升表征结果的准确性。
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公开(公告)号：CN110202708B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910537115.7
申请日：2019-06-20
申请人： 西南交通大学
IPC分类号： B28D5/04
摘要： 本发明专利涉及晶体的切割技术领域，具体涉及一种用于立方晶系的晶体切割方法，包括以下操作：将待切割的晶体固定于扫描电镜中，表征出法向晶向；根据该法向晶向获取所需的晶格，建立所需晶体坐标系；进行1)或2)任意一步骤；1)根据晶向的角度关系计算待旋转的角度并旋转该待切割晶体，使该旋转待切割晶体的晶格的一个面与所需晶体坐标系的一个面重合；进行切割，使已切割晶体的晶格为所需晶格；2)切割所述晶体，使切出的切面与所需晶体坐标系的一个面平行并保持该平行关系，计算待旋转的角度并旋转该单晶体至所需的角度，得到所需晶格。本发明只采用了普遍扫描电镜和线切割设备就可以方便，快捷，切割出想要立方晶系晶向。
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公开(公告)号：CN112014181A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010861114.0
申请日：2020-08-25
申请人： 西南交通大学
IPC分类号： G01N1/28
摘要： 本发明公开了散斑以及散斑的制备方法，以解决现有技术中制作工艺复杂、散斑的分布难以控制、影响待测样品表面性质以及难以达到微米尺度的技术问题。所述散斑设于待测样品表面，所述散斑包括附着于所述待测样品表面的涂层以及贯穿所述涂层的通孔。由此，通孔作为散斑的斑点，由去除其占据的涂层得到，因此可以避免对待测样品表面造成损害。散斑的制备方法包括以下步骤：(1)获取待测样品，然后在待测样品表面附着涂层；(2)去除部分涂层并形成贯穿涂层的通孔，即得到散斑。由此，制作工艺非常简单，且散斑的分布易控制，不影响待测样品的表面性质。
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公开(公告)号：CN109967544A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910301806.7
申请日：2019-04-16
申请人： 西南交通大学
IPC分类号： B21C23/00
摘要： 本发明公开了一种用于等通道转角挤压的坯体。所述坯体的横截面为矩形，所述坯体的横截面与L通道的横截面相匹配，所述坯体包括样品层和与所述样品层侧面连接的改性层，所述改性层的硬度小于所述样品层的硬度。首先，将硬度低于样品层的改性层与硬度较高的样品层(金属材料)相结合，使得坯体在承受剧烈的塑性变形时，在改性层的缓冲作用下，降低凸模碎裂、弯曲以及凹模变成的概率。其次，但是由于存在改性层的限制，因此改性层可以在一定程度上抑制样品层的膨胀。再者，通过调整改性层的尺寸，可以将不同尺寸的样品层制成相同尺寸的坯体，因此可以在原有模具不变的条件下配合作业。
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公开(公告)号：CN109731981A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910007831.4
申请日：2019-01-04
申请人： 西南交通大学
IPC分类号： B21D26/06
摘要： 本发明公开了一种材料的塑性变形设备，以解决改善材料微观结构的技术问题。材料的塑性变形设备，包括：模具，包含转角挤压通道和材料推动部件，所述转角挤压通道具有用于配置待操作的材料的初始位以及用于配置已操作的材料的结束位；和，冲击装置，用于向材料推动部件释放冲击能量从而激发所述材料推动部件推动处于所述初始位的待操作的材料经过转角挤压通道到达结束位而转变形成已操作的材料。当使材料以快的速度(此处的“快”是相对于常规驱动机械推动材料的速度而言)通过该转角挤压通道时，将有助于在材料中形成形变孪晶，甚至可在一定条件下形成巨型形变孪晶，从而提高材料性能。
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公开(公告)号：CN109580677A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811561403.8
申请日：2018-12-20
申请人： 西南交通大学
IPC分类号： G01N23/20008 , G01N23/20058 , G01N23/2251 , G01B15/06
CPC分类号： G01N23/2005 , G01B15/06 , G01N23/20058 , G01N23/2251
摘要： 本发明公开了散斑的制备方法以及材料微区变形的表征方法。该散斑的制备方法包括以下步骤：1)将纳米尺寸的散斑颗粒粉配成悬浮液；2)将悬浮液静置一段时间后取上部母清液进行离心，获得子清液；3)将待测基底置于所述子清液中，使子清液中的散斑颗粒粉附着于待测基底表面，干燥后即在待测基底表面制备出散斑。该材料微区变形的表征方法包括以下步骤：1)首先采用上述的散斑的制备方法在待测基底表面制备出散斑；2)获取待测基底的初始SEM照片和初始EBSD数据；3)对待测基底进行外力加载；4)获取变形后的待测基底的变形SEM照片和变形EBSD数据；5)分析初始SEM照片和变形SEM照片，得到应变场图。本发明将扫描电子显微镜成功应用于DIC实验方法。
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