公开(公告)号：CN111030501A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN202010003575.4

申请日：2020-01-03

申请人： 西南交通大学

发明人： 张政权 ,  刘庆想 ,  张同信 ,  王利明

IPC分类号： H02M9/04

摘要： 本发明公开了一种电容充电电源的控制方法及其控制装置，包括S1、构建充电电源两级拓扑结构；S2、获取脉冲功率系统的运行数据和负载的数据；S3、选取适宜的母线电容器。本发明根据脉冲功率系统的重复频率运行状况，实时调整输入的电流，使得输入电流保持连续，减小对电网的冲击和输入的谐波，提高功率因数和系统效率。

公开(公告)号：CN111030501B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202010003575.4

申请日：2020-01-03

申请人： 西南交通大学

发明人： 张政权 ,  刘庆想 ,  张同信 ,  王利明

IPC分类号： H02M9/04

摘要： 本发明公开了一种电容充电电源的控制方法及其控制装置，包括S1、构建充电电源两级拓扑结构；S2、获取脉冲功率系统的运行数据和负载的数据；S3、选取适宜的母线电容器。本发明根据脉冲功率系统的重复频率运行状况，实时调整输入的电流，使得输入电流保持连续，减小对电网的冲击和输入的谐波，提高功率因数和系统效率。

公开(公告)号：CN111064451B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN201911408386.9

申请日：2019-12-31

申请人： 西南交通大学

发明人： 刘庆想 ,  张同信 ,  王利明 ,  张政权

IPC分类号： H03K3/53

摘要： 本发明公开了一种具有反向抑制的BLUMLEIN脉冲形成线，其特征在于，包括：充电电源V1、充电开关S2、等效负载R1、Blumlein脉冲形成线和脉冲吸收电路FR1；所述Blumlein脉冲形成线包括：半导体开关S1、脉冲形成线L1和脉冲形成线L2；本发明解决了负载阻抗与脉冲形成线的阻抗不匹配引起形成线上的反射电压，进而在半导体开关上产生电流震荡以及在负载上形成反向电压造成器件损坏的问题。

公开(公告)号：CN110545089B

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201910836376.9

申请日：2019-09-05

申请人： 西南交通大学

发明人： 刘庆想 ,  张同信 ,  王利民 ,  张政权

IPC分类号： H03K3/011 ,  H03K3/26 ,  H03K3/45

摘要： 本申请提供了一种脉冲形成电路及LTD模块，所述脉冲形成电路包括输入端、输出端、放电开关和脉冲形成网络；所述放电开关和所述脉冲形成网络串联在所述输入端和所述输出端之间；所述放电开关包括绝缘栅双极性晶体管开关以及驱动电路；所述驱动电路与所述绝缘栅双极性晶体管开关电连接；所述驱动电路用于向所述绝缘栅双极性晶体管开关提供触发信号。在本申请中，采用绝缘栅双极性晶体管开关的放电开关，工作寿命更长，工作更加稳定。

公开(公告)号：CN111064451A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201911408386.9

申请日：2019-12-31

申请人： 西南交通大学

发明人： 刘庆想 ,  张同信 ,  王利明 ,  张政权

IPC分类号： H03K3/53

摘要： 本发明公开了一种具有反向抑制的BLUMLEIN脉冲形成线，其特征在于，包括：充电电源V1、充电开关S2、等效负载R1、Blumlein脉冲形成线和脉冲吸收电路FR1；所述Blumlein脉冲形成线包括：半导体开关S1、脉冲形成线L1和脉冲形成线L2；本发明解决了负载阻抗与脉冲形成线的阻抗不匹配引起形成线上的反射电压，进而在半导体开关上产生电流震荡以及在负载上形成反向电压造成器件损坏的问题。

公开(公告)号：CN110545089A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201910836376.9

申请日：2019-09-05

申请人： 西南交通大学

发明人： 刘庆想 ,  张同信 ,  王利民 ,  张政权

IPC分类号： H03K3/011 ,  H03K3/26 ,  H03K3/45

摘要： 本申请提供了一种脉冲形成电路及LTD模块，所述脉冲形成电路包括输入端、输出端、放电开关和脉冲形成网络；所述放电开关和所述脉冲形成网络串联在所述输入端和所述输出端之间；所述放电开关包括绝缘栅双极性晶体管开关以及驱动电路；所述驱动电路与所述绝缘栅双极性晶体管开关电连接；所述驱动电路用于向所述绝缘栅双极性晶体管开关提供触发信号。在本申请中，采用绝缘栅双极性晶体管开关的放电开关，工作寿命更长，工作更加稳定。