一种基于倒装键合的高功率改进型单载流子光电探测器

    公开(公告)号:CN116759466A

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202310715948.4

    申请日:2023-06-16

    摘要: 本发明公开了一种基于倒装键合的高功率改进型单载流子光电探测器,具体为:通过金属有机化学气相沉积在半绝缘InP衬底上生长InP和InGaAs晶圆的外延层结构,外延层结构依次为n接触层、漂移层、悬崖层、吸收层和p接触层;n接触层为重n型掺杂的InP,p接触层为重p型掺杂InGaAs;吸收层为40nm厚的耗尽吸收层和120nm厚的非耗尽吸收层,悬崖层为30nm厚,漂移层为250nm厚;在漂移层下方添加了一层50nm厚的p型掺杂电荷牺牲层。本发明实现了超宽带UTC‑PD,并通过使用倒装键合技术提高器件的散热性能实现高饱和输出功率。

    一种薄膜铌酸锂平台上的超宽带波导耦合光电探测器

    公开(公告)号:CN116779699A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202310715536.0

    申请日:2023-06-16

    IPC分类号: H01L31/0232 H01L31/101

    摘要: 本发明公开了一种薄膜铌酸锂平台上的超宽带波导耦合光电探测器,具体为:在TFLN‑InP异质集成平台上制备波导耦合光电探测器,通过金属有机化学气相沉积在半绝缘的InP衬底上生长外延层,依次包括n接触层、牺牲层、漂移层、悬崖层、四元化合物层、吸收层和p接触层;n接触层和p接触层分别为重掺杂InGaAs和InGaAsP;吸收层为20nm厚的耗尽吸收层和100nm厚的渐变掺杂吸收层。本发明可以同时提高带宽和响应速度,可以与成熟的硅工艺兼容,可以应用于四电平脉冲调幅数据接收系统。

    一种牙种植体螺纹腐蚀疲劳试验装置及其试验方法

    公开(公告)号:CN115290481A

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN202210939918.7

    申请日:2022-08-05

    IPC分类号: G01N3/38 G01N3/56 G01N3/06

    摘要: 本发明公开了一种牙种植体螺纹腐蚀疲劳试验装置及其试验方法,试验时,先将种植体基座试样固定在试样下夹具上,并用一定的扭矩将种植体螺钉拧入基座试样内;然后调整试验装置的二维调整台和调整背板,将试样上夹具夹紧种植体螺钉,并开启试验介质循环系统使介质充满夹具介质槽;最后开启测控系统,使音圈电机和压电陶瓷作动器按给定参数运动,使其对种植体螺钉按要求加载,并通过压力传感器和位移传感器采集相关试验数据,同时按设定循环周次进行疲劳试验。