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公开(公告)号:CN1007521B
公开(公告)日:1990-04-11
申请号:CN88102651
申请日:1988-05-09
申请人: 西南技术物理研究所
CPC分类号: H01F41/0253 , C21D8/1211 , C21D8/1222 , C22C1/0441 , H01F1/0576 , H01F1/068
摘要: 本发明涉及掺钕和铈的钇铝石榴石[(Nd,Ce):YAG]激光晶体的引上生长方法,包括组份、加热方法及转速和拉速等生长参数的选取等方面。本发明在不损害晶体光学质量的条件下有效地利用了Ce3+→Nd3+的能量转移。使(Nd,Ce):YAG的脉冲激光效率比优质掺钕钇铝石榴石Nd:YAG提高70%以上,而且具有阈值低,抗紫外辐射能力强,重复频率工作稳定,对环境温度的稳定性和冷却要求低等优点,特别适用于重复频率工作的中小能量脉冲激光器。
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公开(公告)号:CN1030798A
公开(公告)日:1989-02-01
申请号:CN88102651
申请日:1988-05-09
申请人: 西南技术物理研究所
摘要: 本发明涉及掺钕和铈的钇铝石榴石[(Nd,Ce):YAG]激光晶体的引上生长方法,包括组份、加热方法及转速和拉速等生长参数的选取等方面。本发明在不损害晶体光学质量的条件下有效地利用了Ce3+→Nd3+的能量转移。使(Nd,Ce):YAG的脉冲激光效率比优质掺钕钇铝石榴石Nd:YAG提高70%以上,而且具有阈值低,抗紫外辐射能力强,重复频率工作稳定,对环境温度的稳定性和冷却要求低等优点,特别适用于重复频率工作的中小能量脉冲激光器。
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