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发明公开
一种提高ETFE抗内带电特性的方法及得到的复合电介质无效

公开(公告)号：CN112608547A

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN202011257508.1

申请日：2020-11-11

申请人： 西安交通大学

发明人： 郑舒赛 , 王潇平 , 李盛涛 , 侯欣宾 , 王立

IPC分类号： C08L23/08 , C08K9/00 , C08K3/34

摘要： 本发明公开了一种提高ETFE抗内带电特性的方法及得到的复合电介质，属于ETFE改性领域。本发明的提高ETFE抗内带电特性的方法，以SiC纳米粒子作为填料，采用熔融共混法将之混入基料ETFE中，每100份ETFE中添加0.5‑5份的SiC纳米粒子，得到ETFE/SiC复合电介质。本发明的生产过程简单，条件容易控制，便于大规模生产。本发明的ETFE/SiC复合电介质，在保持优秀绝缘性能的同时，具有优秀的非线性电导特性。非线性电导特性使得当材料内部电场畸变达到一定阈值时，材料的电导率升高，有助于电荷的泄放；而在正常工作情况下其电导率保持较低水平，其击穿场强保持较高水平，不影响其绝缘性能的使用。