一种硫化铜纳米花的制备方法

    公开(公告)号:CN110395759A

    公开(公告)日:2019-11-01

    申请号:CN201910723642.7

    申请日:2019-08-06

    IPC分类号: C01G3/12 B82Y40/00

    摘要: 本发明公开了一种硫化铜纳米花的制备方法,涉及纳米材料制备技术领域,包括以下步骤:S100、将铜源加入去离子水中并搅拌;S200、将硫化钠和氧化剂加入到步骤S100得到溶液中超声分散或者静置得到硫化铜初级产物,其中,所述氧化剂为过硫酸铵溶液;S300、将步骤S200得到的硫化铜初级产物洗涤、干燥后得到最终产物硫化铜纳米花。本发明提供的硫化铜纳米花的制备方法适于大规模化的工业生产,具有良好的应用前景。

    一种硫化铜纳米花的制备方法

    公开(公告)号:CN110395759B

    公开(公告)日:2021-04-13

    申请号:CN201910723642.7

    申请日:2019-08-06

    IPC分类号: C01G3/12 B82Y40/00

    摘要: 本发明公开了一种硫化铜纳米花的制备方法,涉及纳米材料制备技术领域,包括以下步骤:S100、将铜源加入去离子水中并搅拌;S200、将硫化钠和氧化剂加入到步骤S100得到溶液中超声分散或者静置得到硫化铜初级产物,其中,所述氧化剂为过硫酸铵溶液;S300、将步骤S200得到的硫化铜初级产物洗涤、干燥后得到最终产物硫化铜纳米花。本发明提供的硫化铜纳米花的制备方法适于大规模化的工业生产,具有良好的应用前景。

    一种形貌可控的铁、锌离子共掺杂的氧化亚铜晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN110467215B

    公开(公告)日:2021-02-26

    申请号:CN201910720017.7

    申请日:2019-08-06

    IPC分类号: C01G3/02 B82Y40/00

    摘要: 本发明公开了一种形貌可控的Fe、Zn离子共掺杂的氧化亚铜晶体的制备方法,涉及纳米材料制备技术领域,包括步骤:S100、将二价铜盐和表面活性剂溶解在去离子水中,充分搅拌得到第一溶液;S200、向第一溶液中加入含有Fe3+和Zn2+的溶液,并在室温下搅拌得到第二溶液;S300、将第二溶液通过碱性溶液和还原剂处理得到初级产物,其中,所述还原剂为葡萄糖溶液;S400、将初级产物离心、洗涤、干燥得到最终产物Fe、Zn掺杂的磁性氧化亚铜粉末。本发明提供的Fe、Zn掺杂的纳米氧化亚铜粉末的制备方法适于大规模化的工业生产,并且得到的Fe、Zn掺杂的纳米氧化亚铜粉末具有良好的磁学性能,具有良好的应用前景。

    一种形貌可控的铁、锌离子共掺杂的氧化亚铜晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN110467215A

    公开(公告)日:2019-11-19

    申请号:CN201910720017.7

    申请日:2019-08-06

    IPC分类号: C01G3/02 B82Y40/00

    摘要: 本发明公开了一种形貌可控的Fe、Zn离子共掺杂的氧化亚铜晶体的制备方法,涉及纳米材料制备技术领域,包括步骤:S100、将二价铜盐和表面活性剂溶解在去离子水中,充分搅拌得到第一溶液;S200、向第一溶液中加入含有Fe3+和Zn2+的溶液,并在室温下搅拌得到第二溶液;S300、将第二溶液通过碱性溶液和还原剂处理得到初级产物,其中,所述还原剂为葡萄糖溶液;S400、将初级产物离心、洗涤、干燥得到最终产物Fe、Zn掺杂的磁性氧化亚铜粉末。本发明提供的Fe、Zn掺杂的纳米氧化亚铜粉末的制备方法适于大规模化的工业生产,并且得到的Fe、Zn掺杂的纳米氧化亚铜粉末具有良好的磁学性能,具有良好的应用前景。

    一种紧凑型线圈分段式波荡器
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118117433A

    公开(公告)日:2024-05-31

    申请号:CN202310559443.3

    申请日:2023-05-17

    IPC分类号: H01S4/00 H01F3/00

    摘要: 本发明公开了一种紧凑型线圈分段式波荡器,所述波荡器包括排列在电子束传输路径两侧的第一磁体组和第二磁体组,所述第一磁体组和第二磁体组之间形成磁间隙,所述第一磁体组和第二磁体组结构相同。所述第一磁体组包括第一磁场源和第二磁场源,所述第一磁场源和第二磁场源之间相互交错排列,所述第一磁场源和第二磁场源结构相同。所述第一磁场源包括磁芯和线圈,所述磁芯的结构为圆角四方体,且在圆角四方体一端设有楔形,所述线圈绕制在磁芯的圆角四方体部位,所述楔形作为磁极。所述波荡器结构紧凑,空间利用率高。

    一种氮化碳纳米片负载碳化钛纳米复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN115318320B

    公开(公告)日:2024-01-19

    申请号:CN202210844739.5

    申请日:2022-07-18

    IPC分类号: B01J27/24

    摘要: 本公开揭示了一种氮化碳纳米片负载碳化钛纳米复合材料的制备方法,包括:S100:将一定量Ti3AlC2粉末置于氢氟酸溶液中,经搅拌、离心、水洗、干燥后获得块状Ti3C2;S200:将块状Ti3C2分散在二甲基亚砜中,在氮气气氛下超声处理,经离心、清洗、干燥后获得Ti3C2纳米片;S300:将g‑C3N4前驱体煅烧、保温,自然冷却后经研磨获得g‑C3N4粉末;S400:将Ti3C2纳米片和g‑C3N4粉末混合后进行水热反应,获得Ti3C2量子点/g‑C3N4纳米片溶液,将Ti3C2量子点/g‑C3N4纳米片溶液离心、水洗、干燥后获得Ti3C2/g‑C3N4纳米复合材料。

    一种二氧化钛/石墨相氮化碳纳米复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN115318321A

    公开(公告)日:2022-11-11

    申请号:CN202210845527.9

    申请日:2022-07-18

    IPC分类号: B01J27/24

    摘要: 本公开揭示了一种二氧化钛/石墨相氮化碳纳米复合材料的制备方法,包括如下步骤:S100:将聚乙二醇‑聚丙二醇‑聚乙二醇和乙醇混合后置于钛源和浓盐酸的混合溶液中,获得前驱体溶液;S200:将前驱体溶液与乙二醇溶液混合进行溶剂热反应,获得TiO2纳米片溶液,然后清洗、干燥、研磨,获得TiO2纳米粉末;S300:将g‑C3N4前驱体煅烧,保温后自然冷却,获得g‑C3N4纳米片,将g‑C3N4纳米片研磨后获得g‑C3N4纳米粉末;S400:将一定量TiO2纳米粉末和g‑C3N4纳米粉末混合后煅烧,保温后自然冷却至室温,研磨后获得TiO2/g‑C3N4纳米复合材料。

    基于多材料金属同步3D打印技术的电触头制备方法

    公开(公告)号:CN113172235A

    公开(公告)日:2021-07-27

    申请号:CN202110364713.6

    申请日:2021-04-02

    摘要: 本发明公开了一种基于多材料金属同步3D打印技术的电触头制备方法,方法中,将制备电触头的铁粉、铜粉和铬粉放入3D打印机粉末罐中,铁粉、铜粉以及铬粉质量比为5‑20∶40‑70∶50‑65,建立待制备的电触头的3D打印的三维模型,所述三维模型包括多个微结构单元,所述微结构单元模型以铁芯作为软磁相,铜作为高导电相以线状缠绕铁芯,微结构单元之间的间隙填充金属铬作为耐电弧烧蚀相,在氩气或者氦气气氛下利用选择性激光熔化进行3D打印成型电触头,热处理所述3D打印成型的电触头,热处理温度为900‑980℃。

    一种在金属衬底上制备BaZrS3太阳能电池薄膜材料的方法

    公开(公告)号:CN110010724B

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN201910264296.0

    申请日:2019-04-03

    IPC分类号: H01L31/18 H01L51/56

    摘要: 本发明公开了一种在金属衬底上制备BaZrS3太阳能电池薄膜材料的方法,涉及太阳能电池薄膜材料制备领域,包括:称取BaZrO3粉末并硫化处理得到靶材A;将蓝宝石放入磁控溅射系统中镀钨得到衬底B;对靶材A和衬底B进行镀膜得到样品C;将样品C进行热处理得到最终产物BaZrS3太阳能电池薄膜材料。本发明首先制备靶材和金属衬底,然后将制备的靶材和金属衬底放置在脉冲激光沉积设备中溅射镀膜得到样品,然后对样品进行热处理得到最终产物BaZrS3太阳能电池薄膜材料,填补了利用金属衬底制备钙钛矿结构的太阳能电池薄膜材料的空白,对于利用金属衬底制备钙钛矿结构的太阳能电池薄膜材料具有一定的指导意义。