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公开(公告)号：CN110416356B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201910618812.5
申请日：2019-07-10
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/072
Abstract: 一种硒化锑薄膜太阳能电池的制备方法，配置一定质量比的二氧化锡水胶体分散液和氯化镉水溶液，在洁净的图案化ITO导电玻璃上，通过旋转涂布法依次旋涂制备二氧化锡电子传输层和氯化镉修饰层，烘干并热处理得到基片，将硒化锑粉体和基片放置在石英管中放入气氛炉，对腔体抽真空，加热保温，保温结束立刻打开气氛炉上盖，使腔体快速降温冷却至室温后，取出基片，完成薄膜沉积得到硒化锑薄膜，最后，通过真空热蒸发法在硒化锑薄膜表面蒸镀一层黄金作为电池电极，获得硒化锑薄膜太阳能电池。本发明的优点是：(1)以氯化镉溶液旋涂成膜作为修饰层，获得高效率的电池器件。(2)操作简单，薄膜制备过程用时少、效率高，对实验环境要求较低，且所制备的电池器件性能稳定。
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公开(公告)号：CN106098394B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201610378978.0
申请日：2016-05-31
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 二维层状氮掺杂Ti3C2“纸”纳米复合材料及其制备方法及用该材料制备复合电极的方法。以Ti3C2纳米材料为基体，通过尿素化学剥离和热处理氮掺杂制备二维层状氮掺杂Ti3C2“纸”纳米复合电极材料，并将其应用在电化学电容器方面。相比所报道其他制备方法，这种方法能够方便、快捷、环保、安全的控制层片的分层剥离和氮元素的掺杂。采用尿素剥离Ti3C2，即能减小Ti3C2纳米片的层数，也能扩大层间距，从而提高了其比表面积；进一步氮掺杂分层Ti3C2纳米片，不仅改善了材料的电导率，而且提高了其赝电容活性位的利用率，最终增强了Ti3C2复合电极的比容量、倍率性能等电化学性能。
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公开(公告)号：CN110863177B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201911075887.X
申请日：2019-11-06
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种硒半导体薄膜的制备方法，首先清洗纯玻璃基片或ITO基片；其次将称量好的硒粉体的和基片放置在石英管的相应位置；然后对腔体抽真空，在较低温度下(接近室温)以一定升温速率给气氛炉升温，到达一定温度后，保温几分钟，保温结束立刻打开气氛炉上盖，使腔体快速降温冷却至室温后，将基片取出，完成薄膜沉积得到硒半导体薄膜，再将沉积得到的薄膜在空气气氛中一定温度下退火一定时间。本发明的优点是：(1)操作简单，重复性高，薄膜制备过程用时少、效率高，对实验设备及环境要求较低；(2)制备的硒半导体薄膜形貌规则、薄厚均匀。
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公开(公告)号：CN110863177A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911075887.X
申请日：2019-11-06
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种硒半导体薄膜的制备方法，首先清洗纯玻璃基片或ITO基片；其次将称量好的硒粉体的和基片放置在石英管的相应位置；然后对腔体抽真空，在较低温度下(接近室温)以一定升温速率给气氛炉升温，到达一定温度后，保温几分钟，保温结束立刻打开气氛炉上盖，使腔体快速降温冷却至室温后，将基片取出，完成薄膜沉积得到硒半导体薄膜，再将沉积得到的薄膜在空气气氛中一定温度下退火一定时间。本发明的优点是：(1)操作简单，重复性高，薄膜制备过程用时少、效率高，对实验设备及环境要求较低；(2)制备的硒半导体薄膜形貌规则、薄厚均匀。
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公开(公告)号：CN106111114A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610416314.9
申请日：2016-06-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: B01J23/18 , C02F1/30 , C02F101/30
CPC classification number: B01J23/002 , B01J23/18 , B01J35/004 , B01J2523/00 , C02F1/30 , C02F2101/30 , C02F2305/10 , B01J2523/33 , B01J2523/43 , B01J2523/54
Abstract: 本发明公开了一种型In2O3/Bi2Sn2O7复合可见光催化剂及其制备方法，该复合可见光催化剂包括Bi2Sn2O7颗粒及立方型In2O3块体；本发明使用水热法和浸渍法，即利用Bi2Sn2O7作为基体与In(NO)3混合物来制备In2O3/Bi2Sn2O7复合光催化剂；这种复合光催化剂可以减少电子空穴对的复合，能够有效提高太阳光的利用率；本发明的优点是：工艺简单，可控性好，协调性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110416356A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910618812.5
申请日：2019-07-10
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/072
Abstract: 一种硒化锑薄膜太阳能电池的制备方法，配置一定质量比的二氧化锡水胶体分散液和氯化镉水溶液，在洁净的图案化ITO导电玻璃上，通过旋转涂布法依次旋涂制备二氧化锡电子传输层和氯化镉修饰层，烘干并热处理得到基片，将硒化锑粉体和基片放置在石英管中放入气氛炉，对腔体抽真空，加热保温，保温结束立刻打开气氛炉上盖，使腔体快速降温冷却至室温后，取出基片，完成薄膜沉积得到硒化锑薄膜，最后，通过真空热蒸发法在硒化锑薄膜表面蒸镀一层黄金作为电池电极，获得硒化锑薄膜太阳能电池。本发明的优点是：(1)以氯化镉溶液旋涂成膜作为修饰层，获得高效率的电池器件。(2)操作简单，薄膜制备过程用时少、效率高，对实验环境要求较低，且所制备的电池器件性能稳定。
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公开(公告)号：CN108899426A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810771274.9
申请日：2018-07-13
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种一步制备钙钛矿-空穴传输层渐变异质结薄膜的方法，整个制备过程采用溶液化学的方法，首先将甲基铅碘钙钛矿前驱体溶液滴加在玻璃衬底上，然后开始旋涂，旋涂程序包括一个低速过程和一个高速过程，在高速过程的最后阶段滴加定量的2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴氯苯反溶液，最后通过退火得到结晶的甲基铅碘-2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴渐变异质结薄膜。本发明不再需要单独沉积空穴传输层，全部采用溶液化学的方法来制备，整个过程具有工艺简单，重复性好等特点。并且可以通过调节转速和溶液浓度来调节混合层以及覆盖层的厚度进而易于控制空穴传输层材料在钙钛矿薄膜中的分布。
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公开(公告)号：CN105514279B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201610052524.4
申请日：2016-01-26
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种多孔层结构的钙钛矿型太阳能电池及其制备方法，该钙钛矿型太阳能电池包括依次层叠的衬底，致密层，多孔层，吸光层，空穴传输层和金属电极层。本发明通过使用新型多孔层，即利用NaYF4为基质的上转换材料与TiO2纳米颗粒的混合物来制备多孔层。上转换材料，可吸收近红外光发出可见光，此多孔材料不仅能增长电子传输路径，减少其电子空穴对的复合，而且可有效提高钙钛矿薄膜层吸收的光子数。本发明制备方法的优点是：工艺简单，可控性好，协调性高。
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公开(公告)号：CN106971854A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201710251110.9
申请日：2017-04-18
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 过渡金属氧化物纳米颗粒掺杂的二维层状Ti3C2膜纳米复合材料及其制备方法，利用盐酸和氟化锂的混合水溶液腐蚀处理Ti3AlC2粉体，进一步加水超声波处理，制得二维单层或者多层Ti3C2纳米材料。以单层或者多层Ti3C2纳米片为基体，利用静电吸附，与硝酸锰溶液混溶，抽滤成膜，再经热处理合成出二维层状氧化锰掺杂Ti3C2膜纳米复合材料，并将其应用在电化学电容器方面。高本发明能够方便、快捷、环保、安全的控制氧化锰颗粒的掺杂程度和膜的厚度。这种高柔性自支撑的Ti3C2基纳米复合材料，不仅提高了其比表面积和降低了电极与电解液的接触电阻，而且还提高了其赝电容活性位的利用率，最终增强了Ti3C2复合电极的比容量、倍率性能等电化学性能。
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公开(公告)号：CN102795665A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210310647.5
申请日：2012-08-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 二氧化钛纳米管（杆）阵列的制备方法，整个制备过程采用湿化学法，首先通过溶胶凝胶法在导电玻璃上制备氧化锌籽晶层，然后通过液相沉积法在籽晶层上生长氧化锌纳米杆阵列模板，之后再通过液相沉积法，将氧化锌纳米杆模板转化成二氧化钛纳米管（杆）阵列，从而得到一维二氧化钛纳米管（杆）阵列。本发明的优点是：（1）与其他方法相比（如阳极氧化法等），该方法工艺简单，无需复杂设备和苛刻环境，可以直接在导电玻璃上制备出二氧化钛纳米管（杆）阵列；（2）该方法可以方便地控制氧化锌纳米线的直径、长度和二氧化钛壳层的厚度。
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