公开(公告)号：CN117805565A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202410169058.2

申请日：2024-02-06

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 孙安邦 ,  刘文瑄 ,  刘昊琰 ,  张立伟 ,  张冠军

IPC: G01R31/12

Abstract: 本发明公开了一种离子流诱发真空绝缘击穿实验装置及方法，该装置包括离子源、供电系统、高真空实验平台、供气系统、测试系统以及定制金属电极；该装置将离子源出口置于金属电极组件前方，通过对屏栅施加正极性电压、加速栅施加负极性电压实现离子的引出，金属电极组件内开设有用于通过离子的通孔，研究气压、电极结构及表面缺陷等因素在离子流诱导下对真空间隙击穿特性的影响。

公开(公告)号：CN119989849A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510470367.8

申请日：2025-04-15

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 孙安邦 ,  王安之 ,  张立伟

IPC: G06F30/25

Abstract: 本发明属于电磁粒子模拟领域，涉及一种真空汇流区电磁粒子模拟方法、系统、设备及介质，包括以下过程：S1：构建真空汇流区电场和磁场的粒子仿真域，向粒子仿真域内注入粒子，对粒子仿真域进行区域分解，得到多个子域；S2：获取每个子域内网格点的电荷密度和电流密度；对麦克斯韦方程组离散为Cx=D方程的形式，将每个子域内网格点的电荷密度和电流密度代入Cx=D方程中，采用GMRES算法对Cx=D方程求解，得到每个子域内电势和矢量磁势分布；S3：求解获得每个子域内网格点的电场强度和磁感应强度，得到粒子所受的电场和磁场，从而确定每个子域内下个时间步的粒子位置；S4：更新下个时间步时每个子域内粒子所受的电场和磁场。

公开(公告)号：CN217002172U

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202220938383.7

申请日：2022-04-21

Applicant: 西安交通大学 ,  中国长峰机电技术研究设计院

Inventor： 孙安邦 ,  李程 ,  杨谨远 ,  张思远 ,  李昊霖 ,  张立伟 ,  李依潇 ,  程学彬

IPC: F03H1/00

Abstract: 本实用新型属于射频离子推力器技术领域，涉及一种射频离子推力器底部进气装置，包括放电室、射频天线、栅极系统和气体供应环，射频天线缠绕在放电室外部；所述气体供应环为空心圆柱结构，在气体供应环的内壁上开有若干个出气孔；所述气体供应环安装于放电室底部，栅极系统设置在气体供应环的外侧；在气体供应环的外壁上开有进气孔，进气孔连接有进气管，进气管另一端与工质气体储罐连接。气体供应环安装于放电室底部，工质气体可以更长时间停留在放电室中，提高了工质气体在放电室中的均匀度和停留时间，从而提高了工质气体的电离率，减少了工质气体的损失，提高现有射频离子推力器的放电性能和工质利用率。