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公开(公告)号：CN116343563A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310503093.9
申请日：2023-05-06
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： G09B23/18
摘要： 本发明公开一种光电效应教学实验装置及其应用，包括太阳能电池模块或LED模块、光源模块、光学腔模块、供电模块、工作电路模块以及测量模块；光源模块设置多个波段光源，多个波段光源均匀地照射在太阳能电池模块或LED模块的受光面，多个波段光源与太阳能电池模块或LED模块的受光面距离相相同，工作电路模块连接太阳能电池模块或LED模块，太阳能电池模块或LED模块和光源模块可拆卸地设置在光学腔模块中，光学腔模块内部设有反射层，外壁覆有吸光层；供电模块为光源模块供电；测量模块用于监测光源模块及太阳能电池模块的输入输出电压电流值，能够用于测量不同波段光照射下太阳能电池作用效应得到的填充因子，进一步可得系统的转换效率和量子效率。
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公开(公告)号：CN102568858B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201210010959.4
申请日：2012-01-13
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01G9/045
摘要： 本发明提供一种高介电常数复合氧化铝膜的生产方法，本发明能够提高铝电解电容器用阳极箔的比容。通过对目前工业生产线进行改进，实现在腐蚀铝箔表面引入高介电常数氧化物并进行纳米复合形成具有高介电常数的复合氧化铝膜介质层。该技术首先在表面改性的腐蚀铝箔表面通过湿化学方法沉积一层高介电常数氧化物前驱体，水解后，梯度热处理，然后将腐蚀铝箔浸入到形成液中纳米复合，获得一层具有高介电常数的纳米复合氧化铝膜，从而提高腐蚀铝箔高比容。与未处理的化成铝箔相比，本发明能提高铝箔比容20～50％。该技术可与目前工业电化学腐蚀扩面实现联动。
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公开(公告)号：CN115071128A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210655131.8
申请日：2022-06-10
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： B29C64/135 , B29C64/268 , B29C64/282 , B29C64/386 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y50/00
摘要： 本发明公开一种基于傅里叶变换的快速全息3D复印方法及系统，系统包括记录部分、再现部分和数据处理部分，记录部分扫描并记录待扫描物体的轮廓信息，数据处理部分将记录部分中CCD记录到的信息经处理后输入到再现部分的SLM上；再现部分的激光经SLM调制后照射到光敏树脂槽中，通过光固化效应使材料固化成型，最终得到与被扫描物体外形相同的物体。本申请与采用逐层堆积成型的传统3D打印方式制造出来的零件相比，表面质量均一性好，不会存在零件力学性能分层现象。成型速度远大于传统逐层打印的速度，提高了制造效率，并且实现了用现有的零件模型快速制造出与其形状相同的零件，可满足三维实体的快速复印需求，为增材制造技术提供新的发展思路。
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公开(公告)号：CN102543478B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201210010926.X
申请日：2012-01-13
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01G9/055
摘要： 本发明提供一种提高低压阳极铝箔比容的方法，能够降低氯离子含量、降低漏电流密度、提高阳极铝箔比容量。本发明主要特征是：利用形成初期的电化学处理将铝箔中的氯离子加快析出并在铝箔中形成均匀致密的氧化铝晶核；通过调整形成液的浓度、温度、交换流量以及加载电压、电流的大小，减少铝箔中残留氯离子与铝箔发生腐蚀反应，使其扩散到形成液中，同时在铝箔中形成大量的氧化铝晶核，在随后的阳极氧化过程中，这些晶核不断长大，提高介质层中晶型氧化铝的含量，从而提高阳极铝箔比容。与未处理的阳极铝箔相比，能提高铝箔比容3～20％、降低漏电流密度40～60％。该技术可直接应用在目前的工业大规模生产中。
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公开(公告)号：CN114627732A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210375486.1
申请日：2022-04-11
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开一种简便的虹和霓复现装置及方法，装置包括实心匀质透明球、光纤输出钨灯光源、以及光学平板，光学平板上可移动地布置观察光屏、实心球底座以及光源底座，光源底座设置旋转机构和升降机构，实心球底座设置升降机构，实心球设置多个，一个实心球底座顶端设置一个实心匀质透明球，布置观察光屏的位置处设置有光谱仪积分球，光纤输出钨灯光源安装在光源底座上，设置多个实心匀质透明球，观察光屏垂直于光学平板放置；通过实心匀质透明球、光纤输出钨灯光源等器材复现出亮度高、色彩亮丽的虹霓，集现象演示与参数测量于一体，能够研究虹霓形成原理，揭示虹霓成因区别，具有教学功能，在光学实验教学和科普教育中具有应用价值。
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公开(公告)号：CN102543478A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210010926.X
申请日：2012-01-13
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01G9/055
摘要： 本发明提供一种提高低压阳极铝箔比容的方法，能够降低氯离子含量、降低漏电流密度、提高阳极铝箔比容量。本发明主要特征是：利用形成初期的电化学处理将铝箔中的氯离子加快析出并在铝箔中形成均匀致密的氧化铝晶核；通过调整形成液的浓度、温度、交换流量以及加载电压、电流的大小，减少铝箔中残留氯离子与铝箔发生腐蚀反应，使其扩散到形成液中，同时在铝箔中形成大量的氧化铝晶核，在随后的阳极氧化过程中，这些晶核不断长大，提高介质层中晶型氧化铝的含量，从而提高阳极铝箔比容。与未处理的阳极铝箔相比，能提高铝箔比容3～20％、降低漏电流密度40～60％。该技术可直接应用在目前的工业大规模生产中。
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公开(公告)号：CN117848968A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410119736.4
申请日：2024-01-29
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明提供了一种虹现象复现装置及其分析方法，属于大气光学实验装置技术领域，包括光具座和可移动的顺序设置在光具座上的光源设备、折射成像设备及呈像器件；所述光源设备用于向折射成像设备投射光源，所述折射设备用于折射所述投射光源；所述折射成像设备设置在能接收光源并在所述呈像器件上成像的位置；所述呈像器件面对所述光源设备的一面上设置有若干折射介质，所述折射介质用于折射打到呈像器件的光源并在呈像器件上形成彩虹条带。实现了对自然环境中大量液滴在空间堆积后出射光谱的叠加现像的模拟。
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公开(公告)号：CN115071128B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202210655131.8
申请日：2022-06-10
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： B29C64/135 , B29C64/268 , B29C64/282 , B29C64/386 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y50/00
摘要： 本发明公开一种基于傅里叶变换的快速全息3D复印方法及系统，系统包括记录部分、再现部分和数据处理部分，记录部分扫描并记录待扫描物体的轮廓信息，数据处理部分将记录部分中CCD记录到的信息经处理后输入到再现部分的SLM上；再现部分的激光经SLM调制后照射到光敏树脂槽中，通过光固化效应使材料固化成型，最终得到与被扫描物体外形相同的物体。本申请与采用逐层堆积成型的传统3D打印方式制造出来的零件相比，表面质量均一性好，不会存在零件力学性能分层现象。成型速度远大于传统逐层打印的速度，提高了制造效率，并且实现了用现有的零件模型快速制造出与其形状相同的零件，可满足三维实体的快速复印需求，为增材制造技术提供新的发展思路。
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公开(公告)号：CN102568858A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210010959.4
申请日：2012-01-13
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01G9/045
摘要： 本发明提供一种高介电常数复合氧化铝膜的生产方法，本发明能够提高铝电解电容器用阳极箔的比容。通过对目前工业生产线进行改进，实现在腐蚀铝箔表面引入高介电常数氧化物并进行纳米复合形成具有高介电常数的复合氧化铝膜介质层。该技术首先在表面改性的腐蚀铝箔表面通过湿化学方法沉积一层高介电常数氧化物前驱体，水解后，梯度热处理，然后将腐蚀铝箔浸入到形成液中纳米复合，获得一层具有高介电常数的纳米复合氧化铝膜，从而提高腐蚀铝箔高比容。与未处理的化成铝箔相比，本发明能提高铝箔比容20～50％。该技术可与目前工业电化学腐蚀扩面实现联动。
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公开(公告)号：CN217085966U
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202220824052.0
申请日：2022-04-11
申请人： 西安交通大学
摘要： 本实用新型公开一种简便的虹和霓复现装置，装置包括实心匀质透明球、光纤输出钨灯光源、以及光学平板，光学平板上可移动地布置观察光屏、实心球底座以及光源底座，光源底座设置旋转机构和升降机构，实心球底座设置升降机构，实心球设置至少多个，一个实心球底座顶端设置一个实心匀质透明球，布置观察光屏的位置处设置有光谱仪积分球，光纤输出钨灯光源安装在光源底座上，当布置多个实心匀质透明球时，观察光屏垂直于光学平板放置；通过实心匀质透明球、光纤输出钨灯光源等器材复现出亮度高、色彩亮丽的虹霓，集现象演示与参数测量于一体，能够研究虹霓形成原理，揭示虹霓成因区别，具有教学功能，在光学实验教学和科普教育中具有应用价值。
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