公开(公告)号：CN118443738A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410378521.4

申请日：2024-03-29

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 江新兵 ,  聂梓卓 ,  费钰茜 ,  王久洪 ,  丁书江

IPC: G01N27/12 ,  C09D179/02 ,  C09D7/61

Abstract: 一种基于PANI@Au‑TiO2的室温氨气传感器及其制备方法，包括单晶硅衬底，单晶硅衬底的两面设有二氧化硅层，一侧的二氧化硅层上设有金叉指电极，二氧化硅层及金叉指电极表面设有气体敏感材料薄膜，气体敏感材料薄膜由PANI@Au‑TiO2复合材料构成；单晶硅衬底、二氧化硅层以及金叉指电极共同构成传感器芯片；气体敏感材料薄膜接触待测气体即氨气前后电阻会发生变化，通过测量金叉指电极间电阻的变化获得传感器响应值的相关性能；本发明传感器具有检测限低、响应高，并且能显著降低基线漂移情况，提高气体传感器的响应恢复能力和速度，传感器制备方法简单便捷。

公开(公告)号：CN118243746A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410378522.9

申请日：2024-03-29

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 江新兵 ,  聂梓卓 ,  费钰茜 ,  王久洪 ,  丁书江

IPC: G01N27/12 ,  C09D165/00 ,  C09D5/24

Abstract: 一种基于P3HT‑MoS2@CNT的室温氨气传感器及其制备方法，包括单晶硅衬底，单晶硅衬底的两面设有二氧化硅层，一侧的二氧化硅层上设有金叉指电极，二氧化硅层及金叉指电极表面设有气体敏感材料薄膜，气体敏感材料薄膜由P3HT‑MoS2@CNT复合材料构成；单晶硅衬底、二氧化硅层以及金叉指电极共同构成传感器芯片；气体敏感材料薄膜接触待测气体即氨气前后电阻会发生变化，通过测量金叉指电极间电阻的变化获得传感器响应值的相关性能；本发明传感器具有检测限低、响应高，并且能显著降低基线漂移情况，提高气体传感器的响应恢复能力和速度，传感器制备方法简单便捷。

公开(公告)号：CN117388329A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311329925.6

申请日：2023-10-16

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 费钰茜 ,  江新兵 ,  冯小丽 ,  聂梓卓 ,  王久洪 ,  丁书江

IPC: G01N27/12

Abstract: 一种基于聚噻吩/二氧化钛的室温氨气传感器及其制备方法，包括单晶硅衬底，单晶硅衬底的两面设有二氧化硅层，一侧的二氧化硅层上设有金叉指电极，二氧化硅层及金叉指电极表面设有气体敏感材料薄膜，气体敏感材料薄膜由聚噻吩/二氧化钛二元复合材料构成；单晶硅衬底、二氧化硅层以及金叉指电极共同构成传感器芯片；气体敏感材料薄膜接触待测气体即氨气前后电阻会发生变化，通过测量金叉指电极间电阻的变化获得传感器响应值的相关性能；传感器制备方法简单便捷，传感器具有检测限低、响应高的优点，并且能显著降低基线漂移情况。