一种低维氮化硅纳米材料的制备方法

    公开(公告)号:CN107337186A

    公开(公告)日:2017-11-10

    申请号:CN201710477693.7

    申请日:2017-06-20

    Abstract: 本发明公开了一种低维氮化硅纳米材料的制备方法,包括以下步骤:1)将SiO粉末置于坩埚底部,分别将纳米碳粉、碳纳米管、碳纤维等材料置于坩埚中部,再将坩埚放在多功能烧结炉中,抽真空至真空度低于10-3Pa;2)向多功能烧结炉内充入高纯氮气,气氛压力为0.225~0.5MPa;3)多功能烧结炉升温至1650℃~1850℃,保温1~3小时进行气固反应,得到尺寸形貌可控的Si3N4纳米颗粒、纳米管、纳米纤维等低维纳米材料。该制备方法工艺简便,成本低廉,不产生污染环境的气体。本发明获得的低维氮化硅纳米材料可以广泛应用于纳米场发射器件、纳米光电子器件和纳米复合材料等领域。

    一种多孔莫来石陶瓷/环氧树脂复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN106589821B

    公开(公告)日:2018-07-17

    申请号:CN201611148190.7

    申请日:2016-12-13

    Abstract: 本发明涉及一种莫来石纤维/环氧树脂复合材料的制备方法,属于复合材料技术领域。本发明所述制备方法先采用溶胶凝胶法获得3Al2O3·2SiO2型莫来石前驱体粉末,所得粉体在不同压力进行模压成型,获得不同气孔率的坯体。所得坯体进行高温烧结后得到不同气孔率的多孔莫来石陶瓷,其中,莫来石为纤维状,并相互搭接。将预热多孔莫来石陶瓷置于环氧树脂、促进剂和固化剂的混合溶液中保持一定时间,经固化后,得到莫来石纤维/环氧树脂复合材料。该制备方法可通过控制多孔材料的体积密度来调控复合材料中莫来石纤维的体积分数;另一方面,复合材料中的莫来石纤维为连续相,可大幅度提高复合材料的高低温力学性能、热导率、抗高温蠕变能力。

    一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法

    公开(公告)号:CN107324807B

    公开(公告)日:2020-05-22

    申请号:CN201710470661.4

    申请日:2017-06-20

    Abstract: 本发明公开了一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法,包括以下步骤:1)按照体积配比,选取45~70%的SiC粉末,5~15%的ZrO2粉末,10~30%的Al2O3粉末,10~30%的构成玻璃体系复合氧化物粉末,混合均匀,过200目筛储存备用;2)按照粉料重量:PVA重量=95:5的比例加入8%固含量的PVA,手动混合均匀后,过80目筛,在80MPa压力下压制形成生坯;3)将生坯放入空气炉中进行烧结,升温速率为5℃/h,升温至450℃,保温12h;4)将排胶后的生坯放入真空烧结炉中,填充Ar,升温至1600~1800℃进行烧结,保温时间为1~3h,升温速率为5℃/min。本发明制备得到的SiC半导体复合材料具有发火电压低,火花能量大、不受气压和环境介质的影响,耐热冲击、耐电火花的腐蚀,熄灭再启动、高空性能好等优良性能。

    一种莫来石纤维/环氧树脂复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN106589821A

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201611148190.7

    申请日:2016-12-13

    CPC classification number: C08K9/06 C08K7/08 C08K7/10 C08L63/00

    Abstract: 本发明涉及一种莫来石纤维/环氧树脂复合材料的制备方法,属于复合材料技术领域。本发明所述制备方法先采用溶胶凝胶法获得3Al2O3·2SiO2型莫来石前驱体粉末,所得粉体在不同压力进行模压成型,获得不同气孔率的坯体。所得坯体进行高温烧结后得到不同气孔率的多孔莫来石陶瓷,其中,莫来石为纤维状,并相互搭接。将预热多孔莫来石陶瓷置于环氧树脂、促进剂和固化剂的混合溶液中保持一定时间,经固化后,得到莫来石纤维/环氧树脂复合材料。该制备方法可通过控制多孔材料的体积密度来调控复合材料中莫来石纤维的体积分数;另一方面,复合材料中的莫来石纤维为连续相,可大幅度提高复合材料的高低温力学性能、热导率、抗高温蠕变能力。

    一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法

    公开(公告)号:CN107324807A

    公开(公告)日:2017-11-07

    申请号:CN201710470661.4

    申请日:2017-06-20

    Abstract: 本发明公开了一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法,包括以下步骤:1)按照体积配比,选取45~70%的SiC粉末,5~15%的ZrO2粉末,10~30%的Al2O3粉末,10~30%的构成玻璃体系复合氧化物粉末,混合均匀,过200目筛储存备用;2)按照粉料重量:PVA重量=95:5的比例加入8%固含量的PVA,手动混合均匀后,过80目筛,在80MPa压力下压制形成生坯;3)将生坯放入空气炉中进行烧结,升温速率为5℃/h,升温至450℃,保温12h;4)将排胶后的生坯放入真空烧结炉中,填充Ar,升温至1600~1800℃进行烧结,保温时间为1~3h,升温速率为5℃/min。本发明制备得到的SiC半导体复合材料具有发火电压低,火花能量大、不受气压和环境介质的影响,耐热冲击、耐电火花的腐蚀,熄灭再启动、高空性能好等优良性能。

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