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公开(公告)号：CN111370188B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN201911333426.8
申请日：2019-12-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开一种用于三相共箱式紧凑型GIS/GIL的三相三支柱绝缘子，包括绝缘子腹部和设置在绝缘子腹部上的导体包覆区和支腿，导体包覆区和支腿在绝缘子腹部的周向相间分布，支腿内设有金属嵌件，导体包覆区沿轴向的宽度大于绝缘子腹部沿轴向的厚度，导体包覆区与绝缘子腹部之间通过第一倒角平缓过渡，支腿的宽度大于绝缘子腹部沿轴向的厚度，支腿与绝缘子腹部之间通过第二倒角平缓过渡，绝缘子腹部上位于支腿与导体包覆区之间的部分通过第一弧线段平缓过度，第一弧线段为内凹的弧线段。本发明的三相三支柱绝缘子表面合成场强、切向场强及金属嵌件表面场强能够大幅度降低，满足工程中的控制值要求，从而提高该绝缘子在长期运行下的稳定性。
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公开(公告)号：CN111370188A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201911333426.8
申请日：2019-12-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开一种用于三相共箱式紧凑型GIS/GIL的三相三支柱绝缘子，包括绝缘子腹部和设置在绝缘子腹部上的导体包覆区和支腿，导体包覆区和支腿在绝缘子腹部的周向相间分布，支腿内设有金属嵌件，导体包覆区沿轴向的宽度大于绝缘子腹部沿轴向的厚度，导体包覆区与绝缘子腹部之间通过第一倒角平缓过渡，支腿的宽度大于绝缘子腹部沿轴向的厚度，支腿与绝缘子腹部之间通过第二倒角平缓过渡，绝缘子腹部上位于支腿与导体包覆区之间的部分通过第一弧线段平缓过度，第一弧线段为内凹的弧线段。本发明的三相三支柱绝缘子表面合成场强、切向场强及金属嵌件表面场强能够大幅度降低，满足工程中的控制值要求，从而提高该绝缘子在长期运行下的稳定性。
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公开(公告)号：CN211455407U
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201922339775.2
申请日：2019-12-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本实用新型公开一种用于三相共箱式紧凑型GIS/GIL的三相三支柱绝缘子，包括绝缘子腹部和设置在绝缘子腹部上的导体包覆区和支腿，导体包覆区和支腿在绝缘子腹部的周向相间分布，支腿内设有金属嵌件，导体包覆区沿轴向的宽度大于绝缘子腹部沿轴向的厚度，导体包覆区与绝缘子腹部之间通过第一倒角平缓过渡，支腿的宽度大于绝缘子腹部沿轴向的厚度，支腿与绝缘子腹部之间通过第二倒角平缓过渡，绝缘子腹部上位于支腿与导体包覆区之间的部分通过第一弧线段平缓过度，第一弧线段为内凹的弧线段。本实用新型的三相三支柱绝缘子表面合成场强、切向场强及金属嵌件表面场强能够大幅度降低，满足工程中的控制值要求，从而提高该绝缘子在长期运行下的稳定性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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