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公开(公告)号：CN103943168A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410161165.7
申请日：2014-04-18
申请人： 西安交通大学 , 宁夏银星能源股份有限公司
IPC分类号： H01B1/16 , H01B1/22 , H01B13/00 , H01L31/0224
摘要： 一种Ag(Ti,Zr)/稀土晶体硅太阳电池复合浆料及其制备方法，按质量份数计，包括玻璃粘结剂0.1-0.4份，超细银粉7.5-8份，超细TiO2粉末和超细ZrO2粉末的混合物0.2-0.5份，稀土粉末0.1份，有机粘合剂1-1.4份和稀释剂0.3-0.4份。本发明在含有Ti和Zr的浆料中掺入微量稀土添加剂Ce、Eu或Gd等，由于稀土是形成Ag/Si接触的媒介物质，在制备电池的烧结工艺过程中使银硅接触更加致密，进一步减小了接触电阻和增强了电极的附着力。同时，减小了丝网印刷银浆与硅基底的接触电阻，增强了电极附着力，同时，减小了金属银的消耗，提高了晶体硅太阳电池效率，降低了电池成本。
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公开(公告)号：CN103943168B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410161165.7
申请日：2014-04-18
申请人： 西安交通大学 , 宁夏银星能源股份有限公司
IPC分类号： H01B1/16 , H01B1/22 , H01B13/00 , H01L31/0224
摘要： 一种Ag(Ti,Zr)/稀土晶体硅太阳电池复合浆料及其制备方法，按质量份数计，包括玻璃粘结剂0.1-0.4份，超细银粉7.5-8份，超细TiO2粉末和超细ZrO2粉末的混合物0.2-0.5份，稀土粉末0.1份，有机粘合剂1-1.4份和稀释剂0.3-0.4份。本发明在含有Ti和Zr的浆料中掺入微量稀土添加剂Ce、Eu或Gd等，由于稀土是形成Ag/Si接触的媒介物质，在制备电池的烧结工艺过程中使银硅接触更加致密，进一步减小了接触电阻和增强了电极的附着力。同时，减小了丝网印刷银浆与硅基底的接触电阻，增强了电极附着力，同时，减小了金属银的消耗，提高了晶体硅太阳电池效率，降低了电池成本。
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公开(公告)号：CN118523284A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410414956.X
申请日：2024-04-08
申请人： 西安交通大学 , 国网宁夏电力有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明提供一种数模联合驱动的图深度强化学习电力系统优化调度方法，包括：分别构建电力系统源网荷储协同优化调度模型与电力系统优化调度决策的图神经网络模型；根据上述模型进行马尔科夫模型重构，得到组成图深度强化学习电力系统优化调度的决策智能体的状态空间、动作空间和奖励函数；基于电力系统源网荷储协同优化调度模型的目标函数和约束条件进行调整，得到决策智能体的决策动作安全动作映射及后处理方法；根据最大化所述奖励函数的奖励值为目标对初始决策智能体进行离线训练，得到调度决策智能体；通过调度决策智能体进行电力系统优化调度的在线决策。本发明的方法提高了调度决策的效率和安全性，促进了可再生能源消纳。
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公开(公告)号：CN110491786B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201910718681.8
申请日：2019-08-05
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/308
摘要： 一种采用盐溶液腐蚀晶体硅的方法，首先在晶体硅片上制备出带有图形的第一金属膜，再在晶体硅片上制备出带有图形的第二金属膜，然后置于盐溶液中，在有氧气参与的条件下进行反应，待反应完毕后去除反应剩余的第一金属膜和第二金属膜，清洗、烘干，在晶体硅片上腐蚀出所需要的凹坑或通孔。本发明采用了对环境友好的盐溶液作为腐蚀液，按照工艺要求，在晶体硅片上腐蚀出所需要的凹坑或者通孔。采用该方法腐蚀时，产生的氢氧根离子数目及腐蚀点精确可控，可以在晶体硅上腐蚀出凹坑或者通孔，满足晶体硅器件加工要求的需要。
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公开(公告)号：CN105826416B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201610290234.3
申请日：2016-05-04
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/18 , H02S30/10
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 一种抗PID的晶体硅太阳电池组件及制备方法，包括从下向上依次设置的低铁压花钢玻璃、第一封装胶膜、整个电池片、第二封装胶膜和背板，所述的电池片周围设置一圈导电保护环，其中，所述整个电池片为若干电池片互相串联而成。当有太阳光时，各子串会输出直流高压，该直流高压的正极和导电保护环相连接，这样该导电保护环相对于各组件的铝边框是正电压，形成的电场由保护环指向玻璃外面，这样从根本上预防了玻璃中的金属离子向电池片表面迁移，从而从根本上解决了晶体硅光伏组件存在的PID衰减，该方法简单易行，成本低、效果好。本发明从根本上消除了晶体硅太阳电池组件的PID衰减，克服了现有方法的局限性和危险性。
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公开(公告)号：CN102110734A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201110020790.6
申请日：2011-01-18
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01L31/06 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0747 , Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种纳米硅/晶体硅异质结光伏电池。该电池依次由正面银电极，正面TCO导电薄膜，p型重掺杂纳米硅层，p型轻掺杂纳米硅层，p型轻扩散晶体硅层，n型晶体硅层，本征纳米硅层，n型纳米硅层，背面TCO导电薄膜，背面银电极构成。通过在电池正面的p型重掺杂纳米硅层与n型晶体硅衬底间制备出p型轻掺杂纳米硅层和p型轻扩散晶体硅层，在p型重掺杂纳米硅层和n型晶体硅衬底间形成了薄的缓冲层和浓度梯度结。利用本结构，能够克服常规异质结光伏电池p型层与i型层之间晶格失配的问题，增强了界面电场，减少了界面复合，提高了光伏电池的开路电压和填充因子，提高了光电转换效率。
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公开(公告)号：CN117352590A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311377177.9
申请日：2023-10-23
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/0747 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种以聚酰亚胺钝化太阳电池切面的方法，对太阳电池片切割，在半片太阳电池的切面处涂覆聚酰亚胺溶液，烘干使溶液固化；对固化后的半片太阳电池进行加热，使切面处聚酰亚胺溶液亚胺化，形成聚酰亚胺薄膜。本发明利用聚酰亚胺溶液在切面的亚胺化过程中形成C‑O‑Si共价键，饱和了切面上的悬挂键，实现切面钝化，减小太阳电池切面光生载流子的复合，提高了太阳电池的并联电阻以及半片太阳电池电性能的均匀性。由于聚酰亚胺具有优异的绝缘和耐热性能，采用聚酰亚胺钝化切面后的太阳电池制备的光伏组件，太阳电池正负极绝缘电阻大，可以在高温、高湿、高压下维持正负极间的电绝缘，从而提升组件的光电转换效率及可靠性。
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公开(公告)号：CN111668347B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202010664691.0
申请日：2020-07-10
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/068
摘要： 本发明公开了一种基于表面pn结晶体硅太阳电池的制备方法，首先对原始硅片进行清洗、制绒、氧化、光刻处理，采用选择性局域扩散的方法在硅片表面形成表面pn结，然后去除边缘和背面的pn结，在正反两面形成对应的钝化层，再通过丝网印刷及烧结的方法形成电极。上述表面pn结晶体硅太阳电池的制备方法是在电池受光面进行局域扩散，从而形成表面pn结，这样的表面pn结避免了传统硅太阳电池表面“死层”的存在，使得入射的紫外光子全部转换成电能输出，有利于提高硅太阳电池的效率，这种表面结太阳电池既可以用来发电也可以用来做紫外探测或太阳光谱探测。
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公开(公告)号：CN114552547A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210199818.5
申请日：2022-03-01
申请人： 国网宁夏电力有限公司 , 西安交通大学 , 国网宁夏电力有限公司电力科学研究院 , 国网宁夏电力有限公司培训中心
发明人： 陈海东 , 王庆 , 蒙飞 , 侯峰 , 余金花 , 杨彦波 , 张静忠 , 李涛 , 田波 , 李江鹏 , 刘刚 , 耿天翔 , 王运 , 严兵 , 丁涛 , 马一鸣 , 张华龙 , 常鹏 , 高任龙 , 赵磊 , 田坤 , 杨龙 , 徐建忠 , 王鑫 , 刘一峰 , 李金东 , 白鹭 , 孙原 , 杨家麒 , 朱仔新 , 李桐 , 孙阳 , 钟当书 , 王勇 , 杨波 , 杨宏 , 卢峰 , 秦建翔 , 高海洋
摘要： 本发明公开了一种连接分布式电源的配电线路故障性质识别方法及系统，本发明通过分布式电源控制器与线路保护装置配合，分布式电源在接收到线路保护装置的保护动作和故障选相信息以后改变逆变器工作模式，向配电线路注入试探信号，并检测信号响应特征，实现故障性质识别。本发明充分利用了分布式电源逆变器控制灵活和响应速度快的特点，向配电线路注入试探信号，不需要增加额外的附加注入装置，只需对分布式电源控制器算法进行升级，经济性更优，实用性更好。
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公开(公告)号：CN102110734B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110020790.6
申请日：2011-01-18
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0747 , Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种纳米硅/晶体硅异质结光伏电池。该电池依次由正面银电极，正面TCO导电薄膜，p型重掺杂纳米硅层，p型轻掺杂纳米硅层，p型轻扩散晶体硅层，n型晶体硅层，本征纳米硅层，n型纳米硅层，背面TCO导电薄膜，背面银电极构成。通过在电池正面的p型重掺杂纳米硅层与n型晶体硅衬底间制备出p型轻掺杂纳米硅层和p型轻扩散晶体硅层，在p型重掺杂纳米硅层和n型晶体硅衬底间形成了薄的缓冲层和浓度梯度结。利用本结构，能够克服常规异质结光伏电池p型层与i型层之间晶格失配的问题，增强了界面电场，减少了界面复合，提高了光伏电池的开路电压和填充因子，提高了光电转换效率。
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