应用于驱动器的低滞回耐高温铅基压电陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN117865672A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202311684787.3

    申请日:2023-12-08

    摘要: 本发明提供了一种应用于驱动器的低滞回耐高温铅基压电陶瓷及其制备方法,通过倍增PZT压电陶瓷的晶粒尺寸,降低晶界效应最终减小材料的滞回,因此制备出的应用于驱动器的低滞回耐高温铅基压电陶瓷具有低滞回和耐高温特性,其滞回为5.8%,Tc温度为342℃,室温至250℃内应变不会衰减,比传统软性陶瓷应用范围更广,服役温度范围更宽,稳定性更强。且本发明制备陶瓷粉体及其流延浆料的烧结温度低、制备流程简单、制造成本低,可直接用于多层共烧压电陶瓷驱动器的制备。显然利用本发明提出的压电陶瓷配方制备的驱动器可以在不使用反馈电路和应变片传感器的情况下实现高精度直接驱动和快速响应,有效降低驱动器控制电路的设计难度和驱动器的制造成本。

    应用于驱动器的低滞回耐高温铅基压电陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN117865672B

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202311684787.3

    申请日:2023-12-08

    摘要: 本发明提供了一种应用于驱动器的低滞回耐高温铅基压电陶瓷及其制备方法,通过倍增PZT压电陶瓷的晶粒尺寸,降低晶界效应最终减小材料的滞回,因此制备出的应用于驱动器的低滞回耐高温铅基压电陶瓷具有低滞回和耐高温特性,其滞回为5.8%,Tc温度为342℃,室温至250℃内应变不会衰减,比传统软性陶瓷应用范围更广,服役温度范围更宽,稳定性更强。且本发明制备陶瓷粉体及其流延浆料的烧结温度低、制备流程简单、制造成本低,可直接用于多层共烧压电陶瓷驱动器的制备。显然利用本发明提出的压电陶瓷配方制备的驱动器可以在不使用反馈电路和应变片传感器的情况下实现高精度直接驱动和快速响应,有效降低驱动器控制电路的设计难度和驱动器的制造成本。