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公开(公告)号：CN102414345A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080019798.4
申请日：2010-03-03
Applicant: 西安大略大学
CPC classification number: H05H3/02 , B05D3/007 , B05D3/068 , B05D3/145 , C01B3/00 , C01B3/02 , Y02E60/324
Abstract: 本发明公开了制备超高温分子氢的方法，以及将其用于选择性断裂C-H键或Si-H键而不断裂其它键的用途。维持氢等离子体，并使用电场抽取质子，以将它们加速至合适的动能。质子进入漂移区以与气相中的分子氢碰撞。连串碰撞产生高流量的超高温分子氢，其流量比从氢等离子体中抽取的质子流量高许多倍。通过漂移区中的氢气压力和通过漂移区的长度控制超高温分子氢相对于质子的标称流量比。由这些超高温分子分配质子的抽吸能，使得通过质子的抽吸能和标称流量比控制超高温分子氢的平均能量。由于超高温分子氢射弹不带有任何电荷，可将所述超高温氢流用以对电绝缘产品和导电产品进行工程表面改性。当将这样的产生高流量超高温分子氢的方法用于在基质上轰击具有所期待的化学官能团的有机前驱物分子(如硅酮或硅烷分子)时，由于来自超高温氢射弹对所述前驱物分子中氢原子的能量沉积的动力学选择性，C-H键或Si-H键由此优先断裂。所引起的交联反应产生稳定的分子膜，其具有可控的交联度，并保持前驱物分子的所期待的化学官能团。
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公开(公告)号：CN102414260A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080019797.X
申请日：2010-03-03
Applicant: 西安大略大学
CPC classification number: C08J7/123 , B29C64/124 , C08J7/04 , C08J2443/04
Abstract: 本发明公开了用于生长多层聚合物型异质结装置的方法，所述方法利用选择性断裂C-H键或Si-H键而不断裂其它键导致快速固化以制备具有通过常规溶液型沉积方法沉积的聚合物异质结的层合聚合物装置。在一个实施方案中，保持氢等离子体，并使用电场抽取质子，以将它们加速至合适的动能。质子进入漂移区，与气相中的分子氢碰撞。连串碰撞产生高流量的超高温分子氢，其流量比从氢等离子体中抽取的质子流量高许多倍。通过漂移区中的氢压力和通过漂移区的长度容易地控制超高温分子氢相对于质子的标称流量比。质子的抽取能由这些超高温分子共用，使得超高温分子氢的平均能量由质子的抽取能和标称流量比容易地控制。由于与质子不同，超高温分子氢射弹不带有任何电荷，所以可将高流量的超高温分子氢的流体用以对电绝缘产品和导电产品进行工程表面改性。在典型实施方案中，使用溶液型沉积方法在基质上缩合具有期待的化学官能团或化学官能团组，并具有期待的电学性质的有机前驱物分子(或硅酮或硅烷分子)。由来自氢等离子体的高流量超高温分子氢轰击分子层。由于来自超高温氢射弹对前驱物分子中的氢原子的能量沉积的动力学选择性，C-H键或Si-H键由此优先断裂。所引起的交联反应产生稳定的分子层，其保留由前驱物分子给予基质的所期待的化学官能性和电学性质。由此分子层固化并易于形成其它的分子层，以制备通常包括一个或多个聚合物异质结的聚合物装置。
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公开(公告)号：CN102414260B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201080019797.X
申请日：2010-03-03
Applicant: 西安大略大学
CPC classification number: C08J7/123 , B29C64/124 , C08J7/04 , C08J2443/04
Abstract: 本发明公开了用于生长多层聚合物型异质结装置的方法，所述方法利用选择性断裂C-H键或Si-H键而不断裂其它键导致快速固化以制备具有通过常规溶液型沉积方法沉积的聚合物异质结的层合聚合物装置。在一个实施方案中，保持氢等离子体，并使用电场抽取质子，以将它们加速至合适的动能。质子进入漂移区，与气相中的分子氢碰撞。连串碰撞产生高流量的超高温分子氢，其流量比从氢等离子体中抽取的质子流量高许多倍。通过漂移区中的氢压力和通过漂移区的长度容易地控制超高温分子氢相对于质子的标称流量比。质子的抽取能由这些超高温分子共用，使得超高温分子氢的平均能量由质子的抽取能和标称流量比容易地控制。由于与质子不同，超高温分子氢射弹不带有任何电荷，所以可将高流量的超高温分子氢的流体用以对电绝缘产品和导电产品进行工程表面改性。在典型实施方案中，使用溶液型沉积方法在基质上缩合具有期待的化学官能团或化学官能团组，并具有期待的电学性质的有机前驱物分子(或硅酮或硅烷分子)。由来自氢等离子体的高流量超高温分子氢轰击分子层。由于来自超高温氢射弹对前驱物分子中的氢原子的能量沉积的动力学选择性，C-H键或Si-H键由此优先断裂。所引起的交联反应产生稳定的分子层，其保留由前驱物分子给予基质的所期待的化学官能性和电学性质。由此分子层固化并易于形成其它的分子层，以制备通常包括一个或多个聚合物异质结的聚合物装置。
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