公开(公告)号：CN113484199B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202110753066.8

申请日：2021-07-02

申请人： 西安建筑科技大学

发明人： 苗瑞 ,  王磊 ,  张文娟 ,  裘晓晓 ,  周优雅 ,  杨程舒

IPC分类号： G01N15/00

摘要： 本发明公开了一种膨润土纳米颗粒QCM‑D芯片及制备方法，包括：将QCM‑D二氧化硅基础芯片在强碱高温条件下进行活化处理；对膨润土颗粒进行预处理，并配制膨润土纳米颗粒悬浮液；将已活化的二氧化硅基础芯片的正面浸渍于聚乙烯亚胺溶液中，形成均一粘接层；将所得含有粘结层的芯片浸渍于膨润土纳米颗粒悬浮液中，之后用氮气吹干并置于150℃烘箱中进行热处理，获得膨润土纳米颗粒QCM‑D芯片。该方法实现了基础芯片表面纳米级厚度、均匀且不易脱落膨润土功能层的制备，获得了膨润土纳米颗粒QCM‑D芯片，利用该芯片可实现水体中污染物在膨润土表面吸附累积行为的监测。

公开(公告)号：CN113484199A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110753066.8

申请日：2021-07-02

申请人： 西安建筑科技大学

发明人： 苗瑞 ,  王磊 ,  张文娟 ,  裘晓晓 ,  周优雅 ,  杨程舒

IPC分类号： G01N15/00

摘要： 本发明公开了一种膨润土纳米颗粒QCM‑D芯片及制备方法，包括：将QCM‑D二氧化硅基础芯片在强碱高温条件下进行活化处理；对膨润土颗粒进行预处理，并配制膨润土纳米颗粒悬浮液；将已活化的二氧化硅基础芯片的正面浸渍于聚乙烯亚胺溶液中，形成均一粘接层；将所得含有粘结层的芯片浸渍于膨润土纳米颗粒悬浮液中，之后用氮气吹干并置于150℃烘箱中进行热处理，获得膨润土纳米颗粒QCM‑D芯片。该方法实现了基础芯片表面纳米级厚度、均匀且不易脱落膨润土功能层的制备，获得了膨润土纳米颗粒QCM‑D芯片，利用该芯片可实现水体中污染物在膨润土表面吸附累积行为的监测。