一种具有十四面体结构的锰酸钙微晶粉体及其制备方法

    公开(公告)号:CN118479539A

    公开(公告)日:2024-08-13

    申请号:CN202410640867.7

    申请日:2024-05-22

    IPC分类号: C01G39/00

    摘要: 本发明公开了一种具有十四面体结构的锰酸钙微晶粉体及其制备方法,该方法,采用两步法制备了具有十四面体结构的CaMnO3微晶粉体,首先通过水热法制备了MnO2纳米线,然后,以MnO2纳米线为前驱体,采用熔盐法制备了具有十四面体结构的CaMnO3微晶,在700~800℃温度范围下制备的CaMnO3微晶具有规则的十四面体结构,本发明将水热法和熔盐法结合起来,发挥了两种方法对产物形貌控制的特点,制备了形状规则,尺寸均匀的十四面体CaMnO3微晶,研究了熔盐法温度对微晶形貌的影响规律。

    一种嵌套式CeO2/GO/AAO纳米阵列超级电容器电极材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN110148524B

    公开(公告)日:2020-12-22

    申请号:CN201910427903.0

    申请日:2019-05-22

    摘要: 本发明公开了一种嵌套式CeO2/GO/AAO纳米阵列超级电容器电极材料及其制备方法,基于AAO模板首先利用真空旋涂法生长氧化石墨烯纳米管阵列,最后利用负压注入法在石墨烯纳米管中沉积CeO2纳米阵列,形成CeO2/GO/AAO纳米阵列相嵌套的电极结构。纳米阵列CeO2/GO/AAO结构较好地防止氧化石墨烯的团聚,实现氧化石墨烯的剥离,减薄石墨烯的厚度;CeO2/GO/AAO嵌套的电极管状三明治结构,可背靠背形成电容器的并联,改善了电极材料的电容性能;CeO2/GO/AAO材料间的良好接触性和和协同作用进一步改善了电容器库伦倍率性能。纳米阵列CeO2/GO/AAO嵌套式电极材料通过提高其能量密度来改善超级电容器的整体性,有望使高性能纳米阵列CeO2/GO/AAO嵌套式电极材料的超级电容器得到广泛应用。

    一种嵌套式CeO2/GO/AAO纳米阵列超级电容器电极材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN110148524A

    公开(公告)日:2019-08-20

    申请号:CN201910427903.0

    申请日:2019-05-22

    摘要: 本发明公开了一种嵌套式CeO2/GO/AAO纳米阵列超级电容器电极材料及其制备方法,基于AAO模板首先利用真空旋涂法生长氧化石墨烯纳米管阵列,最后利用负压注入法在石墨烯纳米管中沉积CeO2纳米阵列,形成CeO2/GO/AAO纳米阵列相嵌套的电极结构。纳米阵列CeO2/GO/AAO结构较好地防止氧化石墨烯的团聚,实现氧化石墨烯的剥离,减薄石墨烯的厚度;CeO2/GO/AAO嵌套的电极管状三明治结构,可背靠背形成电容器的并联,改善了电极材料的电容性能;CeO2/GO/AAO材料间的良好接触性和和协同作用进一步改善了电容器库伦倍率性能。纳米阵列CeO2/GO/AAO嵌套式电极材料通过提高其能量密度来改善超级电容器的整体性,有望使高性能纳米阵列CeO2/GO/AAO嵌套式电极材料的超级电容器得到广泛应用。

    一种耐蚀性的纳米阵列氧化铝/二氧化铈复合膜的制备方法

    公开(公告)号:CN103290452B

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201310120193.X

    申请日:2013-04-08

    IPC分类号: C25D11/12 C25D11/20

    摘要: 本发明公开了一种耐蚀性的纳米阵列氧化铝/二氧化铈复合膜的制备方法,在铝及其合金二次阳极氧化后再在含有强氧化剂的稀土盐的溶液中电沉积或化学沉积制备纳米阵列氧化铝/二氧化铈复合膜。该方法在第二次铝阳极氧化过程倾斜阴极,控制铝基阳极氧化纳米阵列中氧化铝阵列的结构,提高铝基体和氧化铝的结合力。本发明的成膜方法不腐蚀掉铝基体上的氧化铝阻挡层也能在多孔层中沉积高质量的二氧化铈膜,工艺简单,阴极沉积成膜温度为室温,化学成膜温度低于60℃,生产周期短,所需设备简单,成的膜耐腐蚀性高。实现了绿色环保生产。

    一种耐蚀性的纳米阵列氧化铝/二氧化铈复合膜的制备方法

    公开(公告)号:CN103290452A

    公开(公告)日:2013-09-11

    申请号:CN201310120193.X

    申请日:2013-04-08

    IPC分类号: C25D11/12 C25D11/20

    摘要: 本发明公开了一种耐蚀性的纳米阵列氧化铝/二氧化铈复合膜的制备方法,在铝及其合金二次阳极氧化后再在含有强氧化剂的稀土盐的溶液中电沉积或化学沉积制备纳米阵列氧化铝/二氧化铈复合膜。该方法在第二次铝阳极氧化过程倾斜阴极,控制铝基阳极氧化纳米阵列中氧化铝阵列的结构,提高铝基体和氧化铝的结合力。本发明的成膜方法不腐蚀掉铝基体上的氧化铝阻挡层也能在多孔层中沉积高质量的二氧化铈膜,工艺简单,阴极沉积成膜温度为室温,化学成膜温度低于60℃,生产周期短,所需设备简单,成的膜耐腐蚀性高。实现了绿色环保生产。

    一种提高碳纤维水泥基复合材料Seebeck系数的方法

    公开(公告)号:CN102923984A

    公开(公告)日:2013-02-13

    申请号:CN201210380830.2

    申请日:2012-10-09

    IPC分类号: C04B22/06

    摘要: 一种提高碳纤维水泥基复合材料Seebeck系数的方法,在碳纤维水泥基复合材料制备过程中,添加Fe2O3和/或Bi2O3粉末,本发明碳纤维水泥复合材料温差电动势与温差的关系曲线为线性关系,其Seebeck系数随Fe2O3和/或Bi2O3粉末添加量的增加而增加,所得碳纤维水泥复合材料Seebeck系数高、热电性能稳定、力学性能优良、制备工艺简单,同时避免了使用轻骨料、钢渣或鳞片石墨带来的复合材料Seebeck系数不稳定的问题,同时由于本发明不需要对碳纤维进行溴插层工艺处理,避免了溴蒸汽的环境污染问题,还避免了轻骨料、钢渣或鳞片石墨使用带来的水泥基复合材料力学性能降低的问题,有利于其在水泥基体中均匀分散。

    AAO模板为支架的石墨烯量子点纳米管GO/YCoO3纳米阵列电极材料的制备

    公开(公告)号:CN110415988A

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201910712840.3

    申请日:2019-08-02

    摘要: AAO模板为支架的石墨烯量子点纳米管GO/YCoO3纳米阵列电极材料的制备,包括以下步骤;步骤(1)采用两步阳极氧化法制备孔径可控的纳米多孔阵列AAO模板;步骤(2)电化学剥离法刻蚀剥离Staudenmaier法制得石墨烯GO纳米片;用聚四氟乙烯抽滤膜过滤后的滤液透析处理得石墨烯GO量子点溶液;步骤(3)采用电化学沉积法在AAO模板的孔道里沉积石墨烯GO量子点,形成AAO/GO量子点纳米管阵列;步骤(4):用真空旋涂法在步骤(3)得到的AAO/GO量子点纳米阵列管中沉积YCoO3溶胶前躯体阵列;步骤(5)煅烧步骤(4)得到的AAO/GO/YCoO3溶胶前躯体使之转化为AAO/GO/YCoO3纳米管阵列,从而形成同轴异质结构的纳米管阵列AAO/GO/YCoO3电极材料。本发明具有能量密度能得以提高,综合性能优良的特点。

    一种水泥基智能复合材料应变传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN102506692B

    公开(公告)日:2014-04-02

    申请号:CN201110318920.4

    申请日:2011-10-19

    发明人: 魏剑 陈晋 贺格平

    IPC分类号: G01B7/16 C04B28/04

    摘要: 本发明公开了一种水泥基智能复合材料应变传感器,由碳纤维水泥基本征智能复合材料以及设置在所述复合材料上的四片平行电极组成,电极为高纯铜网,高纯铜网的孔径大于2mm,复合材料的主要成分为PAN基短切碳纤维和硅酸盐水泥,电极通过预埋工艺与碳纤维水泥基本征智能复合材料结合在一起;该应变传感器具有灵敏系数高、压敏特性线性度高、传感器力学性能优良的特点,制备过程采用干燥混合工艺,避免了纤维素使用带来的传感器强度降低和电学性能变差的问题,且没有纤维团聚现象。