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公开(公告)号：CN114879803B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202210571087.2
申请日：2022-05-24
申请人： 西安微电子技术研究所
IPC分类号： G05F1/573
摘要： 本发明公开了一种LDO的限流保护电路结构，属于集成电路技术领域，解决了现有的低压差线性稳压器限流保护结构存在限流精度受电路工作状态及工艺波动影响较大、当半导体工艺特征尺寸减小到亚微米时，限流保护精度严重恶化、功耗电流较大的技术问题。包括LDO反馈控制环路和限流保护电路结构；所述LDO反馈控制环路包括误差放大器、驱动器、LDO的功率管和反馈电阻；所述限流保护电路结构同时采样LDO的功率管栅极的控制电压Vg与LDO的功率管漏极的输出电压VO，随后将控制电压Vg与输出电压VO对比产生的限流控制电压VIL与输出电压叠加，通过限流保护结构同时采样功率管控制信号与输出电压，电流采样精度更高，限制电流精度更高。
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公开(公告)号：CN114879794B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202210577194.6
申请日：2022-05-25
申请人： 西安微电子技术研究所
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种用于LDO频率补偿的片内电容实现电路及LDO电路，包括第一启动电路模块；第一启动电路模块的输出端与第一电流比例增大电路模块的输入端相连，第二启动电路的输出端与第二电流比例增大模块的输入端相连；电容C0的负极与第一电流比例增大电路模块的输入端相连，电容C0的正极与第二电流比例增大电路模块的输出端相连；第二电流比例增大电路模块的输入端还与第一电流比例增大电路模块的输出端相连；第一电流比例增大电路模块的输出端还与第二启动电路模块的输入端相连；本发明实现了片内电容面积不变而等效容值增大，有效减小了LDO芯片面积；所述实现电路结构简单，占用芯片面积小，易于在各种CMOS工艺上移植。
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公开(公告)号：CN116301154A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310182351.8
申请日：2023-02-28
申请人： 西安微电子技术研究所
IPC分类号： G05F1/56 , H03K19/003
摘要： 本发明一种抗γ瞬时辐照效应的LDO电路拓扑结构，包括电压基准、误差放大器、输出驱动电路、PMOS功率调整管P1、NMOS晶体管N1和反馈电阻；电压基准与误差放大器反相端连接，误差放大器的输出端与输出驱动电路的输入端连接，输出驱动电路的输出端与PMOS功率调整管P1栅极连接，PMOS功率调整管P1源极与输入节点VIN连接，PMOS功率调整管P1漏极与输出节点VOUT连接，NMOS晶体管N1栅极与输入节点VIN连接，NMOS晶体管N1漏极与输出节点VOUT连接，NMOS晶体管N1源极通过反馈电阻与误差放大器正相端连接。本发明能减少LDO输出电压在经受γ瞬时辐照时的扰动幅度和辐照后输出电压恢复时间。
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公开(公告)号：CN118826647A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411034069.6
申请日：2024-07-30
申请人： 西安微电子技术研究所
摘要： 本发明提供了一种RC振荡器放电晶体管防漏电电路，属于模拟集成电路设计技术领域。本发明提出的RC振荡器放电晶体管防漏电电路包括放电模块，用于设定放电电流，放电模块包括NPN型晶体管QN3和放电晶体管QSN1。NPN型晶体管QN3的集电极连接放电晶体管QSN1的发射极，放电晶体管QSN1的基极用于输出放电控制信号，放电晶体管QSN1的集电极连接CT端，NPN型晶体管QN3的基极连接电阻R6的一端，电阻R6的另一端连接NPN型晶体管QN1的集电极，NPN型晶体管QN3的发射极连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端接地。与现有技术相比，本发明有效地解决了现有技术中放电晶体管发射极电位与接地电位直接相连导致放电晶体管静态工作点设计难度较大和对工艺偏差的兼容性较低的问题。
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公开(公告)号：CN116909343A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310926907.X
申请日：2023-07-26
申请人： 西安微电子技术研究所
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种高瞬态响应低压差线性稳压器及其控制方法，涉及集成电路设计领域，在PMOS管的体端增加电位调节电路，这与原有阻容反馈网络、误差放大器组成的控制环路相互独立，对IP1的调节速度是叠加关系。体端电位调节电路是逻辑电路与小型开关电路，静态功耗低、面积小，不影响低压差线性稳压器的效率、体积。在控制环路功耗不变、Class‑AB静态偏置电流不变、不增加额外功率管的情况下，利用开关型电位转换电路改变Class‑AB中NMOS管体电位，实现额外的LDO输出电流变化，从而提高LDO速度。本发明在不用大幅增加静态功耗的条件下提高输出电流IOUT调节速度，降低VOUT在输出负载跳变后的恢复时间。
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公开(公告)号：CN114879803A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210571087.2
申请日：2022-05-24
申请人： 西安微电子技术研究所
IPC分类号： G05F1/573
摘要： 本发明公开了一种LDO的限流保护电路结构，属于集成电路技术领域，解决了现有的低压差线性稳压器限流保护结构存在限流精度受电路工作状态及工艺波动影响较大、当半导体工艺特征尺寸减小到亚微米时，限流保护精度严重恶化、功耗电流较大的技术问题。包括LDO反馈控制环路和限流保护电路结构；所述LDO反馈控制环路包括误差放大器、驱动器、LDO的功率管和反馈电阻；所述限流保护电路结构同时采样LDO的功率管栅极的控制电压Vg与LDO的功率管漏极的输出电压VO，随后将控制电压Vg与输出电压VO对比产生的限流控制电压VIL与输出电压叠加，通过限流保护结构同时采样功率管控制信号与输出电压，电流采样精度更高，限制电流精度更高。
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公开(公告)号：CN114879794A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210577194.6
申请日：2022-05-25
申请人： 西安微电子技术研究所
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种用于LDO频率补偿的片内电容实现电路及LDO电路，包括第一启动电路模块；第一启动电路模块的输出端与第一电流比例增大电路模块的输入端相连，第二启动电路的输出端与第二电流比例增大模块的输入端相连；电容C0的负极与第一电流比例增大电路模块的输入端相连，电容C0的正极与第二电流比例增大电路模块的输出端相连；第二电流比例增大电路模块的输入端还与第一电流比例增大电路模块的输出端相连；第一电流比例增大电路模块的输出端还与第二启动电路模块的输入端相连；本发明实现了片内电容面积不变而等效容值增大，有效减小了LDO芯片面积；所述实现电路结构简单，占用芯片面积小，易于在各种CMOS工艺上移植。
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