公开(公告)号：CN109742649A

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201811500610.2

申请日：2018-12-10

申请人： 西安理工大学

发明人： 林涛 ,  郝莎莎 ,  宁少欢 ,  李晶晶

IPC分类号： H01S5/02

摘要： 一种基于碳保护膜的半导体激光器外延片的退火方法，包含下述步骤：1)650℃-720℃条件下，在衬底上先生长一层缓冲层，再依次生长半导体激光器的材料结构中的其他各层薄膜，获得半导体激光器外延片；2)半导体激光器外延片表面处理，在半导体激光器外延片的表面涂覆光刻胶，将光刻胶在高温下进行固化和碳化，使其表面形成一层致密的碳保护膜；3)退火处理，将表面有碳保护膜的半导体激光器外延片在高温退火炉中进行高温退火处理；4)去除半导体激光器外延片表面的碳保护膜，通过去碳保护膜溶液浸泡和超声清洗来除去退火后的半导体激光器外延片表面的碳保护膜；可有效降低外延片缺陷密度，提高激光器外延片质量，保证激光器的优越性能。

公开(公告)号：CN115828786A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211592089.6

申请日：2022-12-12

申请人： 西安理工大学

发明人： 封扬帆 ,  李鹏 ,  王添 ,  于坤霞 ,  周世璇 ,  韩建纯 ,  郭嘉嘉 ,  马红斌 ,  董亚维 ,  李晶晶 ,  刘蓓蕾 ,  崔志伟

IPC分类号： G06F30/28 ,  G06F30/23 ,  G06T17/20 ,  G06F113/08 ,  G06F119/14

摘要： 本发明公开了一种次洪过程中淤地坝系减沙量的计算方法，首先收集流域控制水文站的场次径流、泥沙数据，采集流域降水数据、数字高程模型(DEM)及土地利用类型数据，淤地坝设计资料(包括坝址分布点位、控制面积、坝高、泄水建筑物等)；其次根据实测径流泥沙数据建立流域次暴雨水沙响应模型；构建流域水文水动力模型；模拟同场降雨条件下淤地坝系未建设与建设情景的流域次洪水过程；根据流域出口断面洪水模拟结果计算不同建坝情境下的径流侵蚀功率，并利用次暴雨水沙响应模型确定输沙模数；最后基于输沙模数得出流域淤地坝系的减沙量。本发明的一种次洪过程中淤地坝系减沙量的计算方法，为评估次洪条件下各运行阶段坝系的减沙潜力提供技术支撑。

公开(公告)号：CN109742649B

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201811500610.2

申请日：2018-12-10

申请人： 西安理工大学

发明人： 林涛 ,  郝莎莎 ,  宁少欢 ,  李晶晶

IPC分类号： H01S5/02

摘要： 一种基于碳保护膜的半导体激光器外延片的退火方法，包含下述步骤：1)650℃‑720℃条件下，在衬底上先生长一层缓冲层，再依次生长半导体激光器的材料结构中的其他各层薄膜，获得半导体激光器外延片；2)半导体激光器外延片表面处理，在半导体激光器外延片的表面涂覆光刻胶，将光刻胶在高温下进行固化和碳化，使其表面形成一层致密的碳保护膜；3)退火处理，将表面有碳保护膜的半导体激光器外延片在高温退火炉中进行高温退火处理；4)去除半导体激光器外延片表面的碳保护膜，通过去碳保护膜溶液浸泡和超声清洗来除去退火后的半导体激光器外延片表面的碳保护膜；可有效降低外延片缺陷密度，提高激光器外延片质量，保证激光器的优越性能。