公开(公告)号：CN113113753A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110297239.X

申请日：2021-03-19

申请人： 西安理工大学

发明人： 王凤娟 ,  肖洒 ,  余宁梅 ,  杨媛 ,  朱樟明 ,  尹湘坤

IPC分类号： H01P5/18

摘要： 本发明公开了一种基于硅通孔技术的定向耦合器，包括从上至下依次设置的上氧化层、硅衬底及下氧化层，硅衬底的中心处分别沿竖直方向设置有相互平行的TSV‑I和TSV‑II，TSV‑I的上下两端分别沿水平方向设置有上层RDL‑I和下层RDL‑I，TSV‑II的上下两端分别沿水平方向设置有上层RDL‑II和下层RDL‑II；TSV‑I和TSV‑II的铜柱外壁均包覆有氧化隔离层，掩埋于硅衬底中。本发明采用硅通孔技术大大缩小了传统微带定向耦合器的体积，实现了耦合器的小型化，且具有较好的高频特性，可以在太赫兹频率下工作。

公开(公告)号：CN113809499A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110942135.X

申请日：2021-08-17

申请人： 西安理工大学

发明人： 王凤娟 ,  肖洒 ,  余宁梅 ,  杨媛 ,  朱樟明 ,  尹湘坤

IPC分类号： H01P5/18 ,  H03H7/01

摘要： 本发明公开了一种基于TSV结构的集总参数分支线定向耦合器，包括沿水平方向平行设置的上氧化层和下氧化层，上氧化层和下氧化层之间设有硅基衬底，硅基衬底中分别设有四组TSV电感，四组TSV电感中两两对称设置；每两组TSV电感相连接的位置接一个交指电容的一个极板，四个交指电容的另一个极板均连接金属铜接地板。解决了传统分支线定向耦合器在低频段面积大的问题。

公开(公告)号：CN113113754A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110297244.0

申请日：2021-03-19

申请人： 西安理工大学

发明人： 王凤娟 ,  肖洒 ,  余宁梅 ,  杨媛 ,  朱樟明 ,  尹湘坤

IPC分类号： H01P5/18

摘要： 本发明公开了一种RDL电感补偿的硅通孔定向耦合器，包括硅衬底，沿硅衬底的中心轴线两侧分别对称设有通孔，两个通孔内分别采用铜材料填充，二氧化硅作为铜和硅衬底之间的隔离层，即TSV‑I和TSV‑II，TSV‑I的上端连接输入臂的一端，输入臂的另一端连接RDL电感I；TSV‑I的下端连接直通臂的一端，直通臂的另一端连接RDL电感II；TSV‑II的上端连接耦合臂的一端，耦合臂的另一端连接RDL电感III，TSV‑II的下端连接隔离臂的一端，隔离臂的另一端连接RDL电感IV；本发明解决了目前定向耦合器存在的耦合度、隔离度不高且调试困难、生产环节复杂的问题。

公开(公告)号：CN116845519A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202310756471.4

申请日：2023-06-26

申请人： 西安理工大学

发明人： 王凤娟 ,  肖洒 ,  杨媛 ,  余宁梅 ,  朱樟明 ,  尹湘坤

IPC分类号： H01P5/18 ,  H03H7/01

摘要： 本发明公开了一种基于TSV技术的双频带分支线定向耦合器，包括两组含有TSV结构的BCT1线圈和两组含有TSV结构的BCT2线圈，两组BTC1线圈作为分支线耦合器的支线，两组BTC2线圈作为分支线耦合器的主线。本发明通过双频桥接T型线圈(BTC)实现双频分支线耦合器的小型化。

公开(公告)号：CN113113753B

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202110297239.X

申请日：2021-03-19

申请人： 西安理工大学

发明人： 王凤娟 ,  肖洒 ,  余宁梅 ,  杨媛 ,  朱樟明 ,  尹湘坤

IPC分类号： H01P5/18

摘要： 本发明公开了一种基于硅通孔技术的定向耦合器，包括从上至下依次设置的上氧化层、硅衬底及下氧化层，硅衬底的中心处分别沿竖直方向设置有相互平行的TSV‑I和TSV‑II，TSV‑I的上下两端分别沿水平方向设置有上层RDL‑I和下层RDL‑I，TSV‑II的上下两端分别沿水平方向设置有上层RDL‑II和下层RDL‑II；TSV‑I和TSV‑II的铜柱外壁均包覆有氧化隔离层，掩埋于硅衬底中。本发明采用硅通孔技术大大缩小了传统微带定向耦合器的体积，实现了耦合器的小型化，且具有较好的高频特性，可以在太赫兹频率下工作。

公开(公告)号：CN113113754B

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202110297244.0

申请日：2021-03-19

申请人： 西安理工大学

发明人： 王凤娟 ,  肖洒 ,  余宁梅 ,  杨媛 ,  朱樟明 ,  尹湘坤

IPC分类号： H01P5/18

摘要： 本发明公开了一种RDL电感补偿的硅通孔定向耦合器，包括硅衬底，沿硅衬底的中心轴线两侧分别对称设有通孔，两个通孔内分别采用铜材料填充，二氧化硅作为铜和硅衬底之间的隔离层，即TSV‑I和TSV‑II，TSV‑I的上端连接输入臂的一端，输入臂的另一端连接RDL电感I；TSV‑I的下端连接直通臂的一端，直通臂的另一端连接RDL电感II；TSV‑II的上端连接耦合臂的一端，耦合臂的另一端连接RDL电感III，TSV‑II的下端连接隔离臂的一端，隔离臂的另一端连接RDL电感IV；本发明解决了目前定向耦合器存在的耦合度、隔离度不高且调试困难、生产环节复杂的问题。

公开(公告)号：CN116759778A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202310633488.0

申请日：2023-05-31

申请人： 西安理工大学

发明人： 王凤娟 ,  肖洒 ,  杨媛 ,  余宁梅 ,  朱樟明 ,  尹湘坤

IPC分类号： H01P5/18

摘要： 本发明公开了一种基于同轴TSV和CPW的分支线耦合器，包括两组对称设置的基于同轴TSV和CPW垂直互连的三维曲折传输线和两组平面曲折CPW传输线，两组基于同轴TSV和CPW垂直互连的三维曲折传输线之间分别通过两组平面曲折CPW的中心导带连接。本发明采用同轴TSV和CPW相结合的方式大大缩小了传统分支线耦合器的体积，实现了毫米波段分支线耦合器的小型化。

公开(公告)号：CN203859866U

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201320893228.9

申请日：2013-12-31

申请人： 西安理工大学

发明人： 赵国峰 ,  李峥 ,  肖洒 ,  刘龙飞

IPC分类号： H04R3/00

摘要： 本实用新型公开的通过激光传声的装置，包括第一电源模块和第二电源模块，第一电源模块分别连接有第一放大模块以及发射模块，第一放大模块连接有获取模块，第一放大模块还与发射模块相连，第二电源模块分别连接有接收模块以及第二放大模块，接收模块与发射模块、第二放大模块分别相连，第二放大模块连接有播放模块。本实用新型的通过激光传声的装置解决了现有的便携音频播放设备不能通过音响播放音乐的缺点。本实用新型的通过激光传声的装置设计精巧，功能实用，极大地方便了人们的生活。