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公开(公告)号：CN109145448B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201810967724.1
申请日：2018-08-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种基于热环境与桥材料属性的X频段MEMS移相器性能预测方法，包括确定X频段MEMS移相器的结构参数、材料属性和电磁工作参数；建立结构‑热变形仿真模型并热仿真，仿真提取MEMS桥的温度；测试热环境下MEMS桥材料对应的弹性模量值，并函数拟合；计算得到MEMS移相器下拉电压，使得MEMS桥高度产生误差；根据误差利用MEMS桥机电耦合模型计算MEMS桥的相移量；计算MEMS移相器的相移量；预测当前热环境与材料属性下MEMS移相器的相移量。本方法可以直接分析热环境与桥材料属性对移相器的影响，利用环境温度直接对MEMS移相器相移量定量预测，指导设计与优化，改善工作环境下移相器性能的稳健性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107577860B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201710758798.X
申请日：2017-08-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于单根金丝键合的微波器件路耦合传输性能预测方法，包括确定单根金丝键合线结构参数、电磁参数及材料属性；将单根金丝键合线等效为电阻和电感；将单根金丝键合线焊盘等效为两个平行板电容；确定单根金丝键合线及其焊盘的等效二端口网络形式；计算单根金丝键合线长度；计算单根金丝键合线趋肤深度；确定等效二端口网络的串联电阻和串联电感；计算等效电容的极板间距；确定等效二端口网络并联电容；计算二端口网络阻抗Z参数；计算微波器件传输S参数；建立传输S参数与单根金丝键合线结构参数的路耦合模型；计算单根金丝键合下的微波器件传输性能。本发明实现了单根金丝键合线不同结构参数下的微波器件传输性能快速预测与分析。
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公开(公告)号：CN109145448A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810967724.1
申请日：2018-08-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于热环境与桥材料属性的X频段MEMS移相器性能预测方法，包括确定X频段MEMS移相器的结构参数、材料属性和电磁工作参数；建立结构‑热变形仿真模型并热仿真，仿真提取MEMS桥的温度；测试热环境下MEMS桥材料对应的弹性模量值，并函数拟合；计算得到MEMS移相器下拉电压，使得MEMS桥高度产生误差；根据误差利用MEMS桥机电耦合模型计算MEMS桥的相移量；计算MEMS移相器的相移量；预测当前热环境与材料属性下MEMS移相器的相移量。本方法可以直接分析热环境与桥材料属性对移相器的影响，利用环境温度直接对MEMS移相器相移量定量预测，指导设计与优化，改善工作环境下移相器性能的稳健性。
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公开(公告)号：CN108460215B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201810196204.5
申请日：2018-03-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/367 , H01Q21/00 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种阵面电源纹波对有源相控阵天线电性能影响的快速预测方法，包括确定有源相控阵天线阵面电源\阵面电源中电路器件参数,计算阵面电源纹波系数；确定T/R模块中微波放大器件的调相灵敏度参数及理想激励电流相位；计算阵面电源纹波影响下的激励电流相位；确定理想激励电流幅度；计算阵面电源纹波影响下的激励电流幅度；确定天线的理想方向图函数；基于激励电流的相位、幅度及天线的理想方向图函数，确定阵面电源纹波影响下天线的方向图函数。本发明通过确定电源纹波系数，分析纹波影响下阵元激励电流的幅度和相位，建立阵面电源电路器件参数与有源相控阵天线电性能的数学模型，实现不同阵面电源纹波对天线电性能影响的快速预测。
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公开(公告)号：CN108460215A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810196204.5
申请日：2018-03-09
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种阵面电源纹波对有源相控阵天线电性能影响的快速预测方法，包括确定有源相控阵天线阵面电源\阵面电源中电路器件参数,计算阵面电源纹波系数；确定T/R模块中微波放大器件的调相灵敏度参数及理想激励电流相位；计算阵面电源纹波影响下的激励电流相位；确定理想激励电流幅度；计算阵面电源纹波影响下的激励电流幅度；确定天线的理想方向图函数；基于激励电流的相位、幅度及天线的理想方向图函数，确定阵面电源纹波影响下天线的方向图函数。本发明通过确定电源纹波系数，分析纹波影响下阵元激励电流的幅度和相位，建立阵面电源电路器件参数与有源相控阵天线电性能的数学模型，实现不同阵面电源纹波对天线电性能影响的快速预测。
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公开(公告)号：CN107577860A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710758798.X
申请日：2017-08-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于单根金丝键合的微波器件路耦合传输性能预测方法，包括确定单根金丝键合线结构参数、电磁参数及材料属性；将单根金丝键合线等效为电阻和电感；将单根金丝键合线焊盘等效为两个平行板电容；确定单根金丝键合线及其焊盘的等效二端口网络形式；计算单根金丝键合线长度；计算单根金丝键合线趋肤深度；确定等效二端口网络的串联电阻和串联电感；计算等效电容的极板间距；确定等效二端口网络并联电容；计算二端口网络阻抗Z参数；计算微波器件传输S参数；建立传输S参数与单根金丝键合线结构参数的路耦合模型；计算单根金丝键合下的微波器件传输性能。本发明实现了单根金丝键合线不同结构参数下的微波器件传输性能快速预测与分析。
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