公开(公告)号：CN116063072B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310076567.6

申请日：2023-01-16

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 赵天龙 ,  石柯飞 ,  费春龙 ,  董广志 ,  孙韬 ,  王满之 ,  孙昕郝 ,  张娟 ,  刘文 ,  全熠 ,  戴显英

IPC: C04B35/472 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种高温压电陶瓷异质结材料及其制备方法，包括：制备A层为铋层状结构的陶瓷材料；制备B层为钪酸铋‑钛酸铅结构的陶瓷材料；按照AB、ABA、BAB中至少一种叠层方式，将A层和B层以特定比例混合压制成型；采用特定排塑烧结工艺进行烧制形成高温压电陶瓷异质结材料。本发明制备成本低，制备得到的高温压电陶瓷异质结材料更具有实际使用价值。

公开(公告)号：CN116063072A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202310076567.6

申请日：2023-01-16

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 赵天龙 ,  石柯飞 ,  费春龙 ,  董广志 ,  孙韬 ,  王满之 ,  孙昕郝 ,  张娟 ,  刘文 ,  全熠 ,  戴显英

IPC: C04B35/472 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种高温压电陶瓷异质结材料及其制备方法，包括：制备A层为铋层状结构的陶瓷材料；制备B层为钪酸铋‑钛酸铅结构的陶瓷材料；按照AB、ABA、BAB中至少一种叠层方式，将A层和B层以特定比例混合压制成型；采用特定排塑烧结工艺进行烧制形成高温压电陶瓷异质结材料。本发明制备成本低，制备得到的高温压电陶瓷异质结材料更具有实际使用价值。

公开(公告)号：CN116063071A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202310065885.2

申请日：2023-01-16

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 赵天龙 ,  石柯飞 ,  费春龙 ,  董广志 ,  王满之 ,  孙韬 ,  孙昕郝 ,  张娟 ,  刘文 ,  全熠 ,  戴显英

IPC: C04B35/472 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种高温压电陶瓷材料及其相界调控方法，包括：制备R相压电陶瓷材料；制备T相压电陶瓷材料；将R相压电陶瓷材料和T相压电陶瓷材料按照特定比例混合以寻找相界MPB，并将该相界MPB处对应的R相压电陶瓷材料和T相压电陶瓷材料压制成型形成陶瓷胚体；采用特定排塑烧结工艺对陶瓷胚体进行烧制形成最终的高温压电陶瓷材料。本发明可以快速寻找到相界MPB，从而缩短高温压电陶瓷材料的制备周期。