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公开(公告)号：CN110728083A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910796830.2
申请日：2019-08-27
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G06F30/23
摘要： 本发明公开了一种复合导电膜的仿真分析方法及其电子设备、存储介质，该方法包括对高介电常数基板和复合导电膜层进行建模得到高介电常数基板几何模型和复合导电膜层几何模型，为高介电常数基板几何模型和复合导电膜层几何模型设置材料模块和若干物理场接口模块，并为每个物理场接口模块设置边界条件，得到基于高介电常数基板的复合导电膜模型；在基于高介电常数基板的复合导电膜模型上建立有限元网格模型，对有限元网格模型进行计算得到仿真结果。本发明将高介电常数基板和复合导电膜层同步建模，考虑了高介电常数基板和复合导电膜层之间的相互作用，从而评估高介电常数基板上复合导电膜层脱落情况，仿真模型更加接近实际情况，仿真结果准确性高。
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公开(公告)号：CN110728083B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201910796830.2
申请日：2019-08-27
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G06F30/23
摘要： 本发明公开了一种复合导电膜的仿真分析方法及其电子设备、存储介质，该方法包括对高介电常数基板和复合导电膜层进行建模得到高介电常数基板几何模型和复合导电膜层几何模型，为高介电常数基板几何模型和复合导电膜层几何模型设置材料模块和若干物理场接口模块，并为每个物理场接口模块设置边界条件，得到基于高介电常数基板的复合导电膜模型；在基于高介电常数基板的复合导电膜模型上建立有限元网格模型，对有限元网格模型进行计算得到仿真结果。本发明将高介电常数基板和复合导电膜层同步建模，考虑了高介电常数基板和复合导电膜层之间的相互作用，从而评估高介电常数基板上复合导电膜层脱落情况，仿真模型更加接近实际情况，仿真结果准确性高。
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公开(公告)号：CN111400867B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202010100377.X
申请日：2020-02-18
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G06F30/20 , G06F30/10 , G06F30/17 , G06T17/00 , G06F119/02
摘要： 本发明公开了一种基于仿真分析的微波固放可靠性设计方法，包括：根据微波固放的介质基板和复合导电膜的结构参数，对介质基板和复合导电膜进行三维几何建模，得到建模模型；在建模模型上加载多种仿真条件进行多种物理场的仿真，得到每种仿真条件下的仿真结果；其中，多种仿真条件为对多种仿真因素各自的可选项进行组合得到的；多种仿真因素包括：微波固放的可选热沉条件、介质基板的可选材质类型、介质基板的可选厚度、复合导电膜的可选铜层厚度以及复合导电膜的可选镍层厚度；根据所得到的各个仿真结果，确定微波固放的可靠性设计方案。本发明可以提高所设计的微波固放的可靠性。
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公开(公告)号：CN111400867A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010100377.X
申请日：2020-02-18
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G06F30/20 , G06F30/10 , G06F30/17 , G06T17/00 , G06F119/02
摘要： 本发明公开了一种基于仿真分析的微波固放可靠性设计方法，包括：根据微波固放的介质基板和复合导电膜的结构参数，对介质基板和复合导电膜进行三维几何建模，得到建模模型；在建模模型上加载多种仿真条件进行多种物理场的仿真，得到每种仿真条件下的仿真结果；其中，多种仿真条件为对多种仿真因素各自的可选项进行组合得到的；多种仿真因素包括：微波固放的可选热沉条件、介质基板的可选材质类型、介质基板的可选厚度、复合导电膜的可选铜层厚度以及复合导电膜的可选镍层厚度；根据所得到的各个仿真结果，确定微波固放的可靠性设计方案。本发明可以提高所设计的微波固放的可靠性。
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