公开(公告)号：CN114425092B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202111595342.9

申请日：2021-12-23

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 吕锐婵 ,  林碧 ,  王展 ,  刘凯凯 ,  王燕兴 ,  蔡伶伶 ,  袁瑛 ,  陶晓峰

IPC: A61K49/00 ,  A61K49/08 ,  A61K41/00 ,  A61K47/22 ,  A61K31/53 ,  A61P35/00 ,  B82Y5/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种MRI/NIR II双模成像的喷洒造影剂及其制备法方法和应用。MRI/NIR II双模成像的稀土探针包括：具有近红外二区荧光成像元素以及磁共振成像元素的镧系氟氧化物纳米材料REOF:Ln，以及负载在纳米材料REOF:Ln表面的双氢青蒿素和卡马替尼，其结构通式为：REOF:Ln‑DHA‑Cap，其中，RE和Ln均为镧系元素，RE包括磁共振成像元素，Ln包括敏化剂元素、上转化发光元素和近红外二区荧光元素，DHA为双氢青蒿素，Cap为卡马替尼。本发明的MRI/NIR II双模成像的稀土探针中的纳米材料REOF:Ln具有较好的磁共振成像(MRI)和近红外二区荧光性能，其穿透深度深，荧光强度强，能够实现喷洒后的舌癌NIRII成像效果。

公开(公告)号：CN114425092A

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN202111595342.9

申请日：2021-12-23

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 吕锐婵 ,  林碧 ,  王展 ,  刘凯凯 ,  王燕兴 ,  蔡伶伶 ,  袁瑛 ,  陶晓峰

IPC: A61K49/00 ,  A61K49/08 ,  A61K41/00 ,  A61K47/22 ,  A61K31/53 ,  A61P35/00 ,  B82Y5/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种MRI/NIR II双模成像的喷洒造影剂及其制备法方法和应用。MRI/NIR II双模成像的稀土探针包括：具有近红外二区荧光成像元素以及磁共振成像元素的镧系氟氧化物纳米材料REOF:Ln，以及负载在纳米材料REOF:Ln表面的双氢青蒿素和卡马替尼，其结构通式为：REOF:Ln‑DHA‑Cap，其中，RE和Ln均为镧系元素，RE包括磁共振成像元素，Ln包括敏化剂元素、上转化发光元素和近红外二区荧光元素，DHA为双氢青蒿素，Cap为卡马替尼。本发明的MRI/NIR II双模成像的稀土探针中的纳米材料REOF:Ln具有较好的磁共振成像(MRI)和近红外二区荧光性能，其穿透深度深，荧光强度强，能够实现喷洒后的舌癌NIRII成像效果。