公开(公告)号：CN118866983A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410848777.7

申请日：2024-06-27

Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 张苇杭 ,  余龙 ,  刘茜 ,  樊昱彤 ,  冯欣 ,  吴银河 ,  刘志宏 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/417 ,  H01L29/20 ,  H01L29/06 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明公开了一种极化终端结构的GaN肖特基势垒二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：依次层叠设置的衬底、缓冲层、n+‑GaN层、n‑‑GaN漂移层、AlGaN层、i‑GaN层和p‑GaN层；i‑GaN层和p‑GaN层组成的层叠结构与AlGaN层极化产生二维空穴气，层叠设置的AlGaN层、i‑GaN层和p‑GaN层的正投影位于n‑‑GaN漂移层的正投影的第一区域，n‑‑GaN漂移层的正投影包括第一区域和第二区域；阳极，位于层叠设置的AlGaN层、i‑GaN层和p‑GaN层上、并延伸至n‑‑GaN漂移层中；阳极的正投影与n‑‑GaN漂移层的正投影的第一区域和第二区域均交叠；阴极，位于n+‑GaN层上、且与n‑‑GaN漂移层间隔设置。本发明能够降低反向泄露电流，以及提高器件耐压。

公开(公告)号：CN118866984A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410848778.1

申请日：2024-06-27

Applicant: 西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 张苇杭 ,  余龙 ,  樊昱彤 ,  刘茜 ,  冯欣 ,  吴银河 ,  刘志宏 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/417 ,  H01L29/20 ,  H01L29/06 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明公开了一种极化结构的氮化镓结势垒肖特基二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：依次层叠设置的衬底、缓冲层、n+‑GaN层、n‑‑GaN漂移层、AlGaN层、i‑GaN层和p‑GaN层；i‑GaN层和p‑GaN层组成的层叠结构与AlGaN层极化产生二维空穴气；阳极，位于层叠设置的AlGaN层、i‑GaN层和p‑GaN层上、并延伸至开口中，与n‑‑GaN漂移层接触；阴极，位于n+‑GaN层上、且与n‑‑GaN漂移层间隔设置；钝化层，覆盖在阳极、p‑GaN层、i‑GaN层、AlGaN层、n‑‑GaN漂移层和阴极暴露的表面，钝化层包括第一开口和第二开口，第一开口暴露出所述阳极，第二开口暴露出阴极。本发明能够降低反向泄露电流，以及提高器件耐压。