公开(公告)号：CN119630080A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202411811733.3

申请日：2024-12-10

Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 冯欣 ,  暴智宇 ,  张苇杭 ,  董鹏飞 ,  吴银河 ,  刘先河 ,  周弘 ,  刘志宏 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H10F30/28 ,  H10F77/30 ,  H10F77/20 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明公开了一种宽光谱响应的光电突触晶体管及其制作方法，主要解决现有光电突触晶体管的电导和响应率难以同时线性调控及光响应波段窄的问题。其自下而上包括:衬底层、紫外光通道层、源极和漏极、可见光通道层、栅极，该可见光通道层的上部设有铁电介质层，用于改变极化状态实现对可见光通道层的掺杂状态改变，使器件具有多个工作状态；该栅极平行位于铁电介质层之上，以实现对铁电介质层的极化状态的调控；该源、漏极位于紫外光通道层与可见光通道层之间。当可见光照射到可见光通道层或紫外光照射到紫外光通道层将对光信号产生响应并传输光电流。本发明能拓宽光电突触晶体管光响应波段，实现对器件电导与响应率的线性调控，可用于光电探测器和神经计算器。